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- 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
- 本发明题为“横向扩散金属氧化物半导体晶体管”。在一般方面，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管可包括：第一导电类型的衬底；设置在该衬底中的第二导电类型的埋入式阱区；设置在该埋入式阱区上的该第一导电类型的主体区、设...
- C·C·马
- 一种金属氧化物半导体场效应管结构
- 本申请提供一种金属氧化物半导体场效应管结构。场效应管结构包括衬底，外延层，第一、二阱区，电流扩展层，等电位环区、第一、二源区、第一、第二沟道区、缓冲层及第一、二栅极。外延层形成于衬底上；第一、二阱区、电流扩展层形成于外延...
- 陈禹志郑泽东李驰巫以凡
- 一种金属氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管
- 本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管。该半导体薄膜包括至少一层高迁移率金属氧化物半导体薄膜和至少一层光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜构成的叠层结构；光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜用于淬灭光生载流子；高迁...
- 徐苗李民邹建华陶洪王磊彭俊彪
- 一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法
- 本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，金属氧化物半导体场效应管包括依次层叠的漏极金属层、衬底、外延层、栅极氧化层、栅极层、介质层和源极金属层；外延层的上表面包括间隔设置的离子注入区以及设置于相邻两个离子注...
- 张福胜谢梓翔廖勇波马颖江宋德超
- 一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法
- 本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，所述金属氧化物半导体场效应管包括依次层叠的漏极金属层、衬底、第一外延层、第二外延层、介质层和源极金属层；第一外延层的上表面包括间隔设置的第一掩埋区；第二外延层包括间隔...
- 张福胜谢梓翔廖勇波马颖江
- 一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法
- 本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，所述金属氧化物半导体场效应管中每个元胞包括漏极金属层、衬底、外延层、电流扩展层、基区层、注入层、源极金属区和栅极区；漏极金属层、衬底、外延层、电流扩展层、基区层和注入...
- 陈昊宇谢梓翔廖勇波李春艳马颖江
- 垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法。该垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括至少一个第一单原胞和至少一个第二单原胞组成的单胞阵列，第一单原胞以及第二单原胞均包括：重掺杂衬底，外延层，第一阱区...
- 徐吉程徐宁潘群华
- 元胞结构及其制备方法、金属氧化物半导体场效应晶体管
- 本申请涉及一种元胞结构及其制备方法、金属氧化物半导体场效应晶体管。元胞结构包括：电流扩展层；两个阱区，沿第一方向，每个阱区位于电流扩展层远离外延层的一侧，沿第二方向，两个阱区被电流扩展层隔开；两个第一注入区，沿第一方向，...
- 宋瑞超张文博赵慧超暴杰林翰东
- 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法
- 本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导...
- 付志伟侯波陈思周斌王之哲杨晓锋黄云施宜军梁振堂徐及乐
- 钯基复合金属氧化物半导体材料及其制备方法、氢气传感器
- 本发明提供一种钯基复合金属氧化物半导体材料及其制备方法、氢气传感器，该钯基复合金属氧化物半导体材料的制备包括将二氯化锡、尿素、硝酸镍于去离子水中进行水热反应后的物料分离、干燥，得到复合金属氧化物；将所述的复合金属氧化物分...
- 刘馨璐梁欣王思明郑东前詹月辰刘海利
