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NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法
本发明公开了NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及制备方法，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的N型单晶硅层以及上层的TiSi<SUB>2</SUB>层，所述基区包括...
李迈克
PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法
本发明公开了PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的P型单晶硅层以及上层的金属硅化物层，所述基区包括N型AlGaN层，所述发射区包括...
李迈克
台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构及其制备方法
本发明提供一种台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构，包括单晶硅衬底及层叠于单晶硅衬底表面的埋氧层构成的SOI衬底，埋氧层表面顺序层叠有P型重掺杂单晶硅层、金属硅化物薄层、N型重掺杂Si<Sub>1‑x...
李迈克
一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件及其制备方法
本发明提供一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件，包括N型轻掺杂单晶硅衬底，N型轻掺杂单晶硅衬底表面顺序层叠有N型重掺杂单晶硅层、金属硅化物薄层、P型重掺杂Si<Sub>1‑x</Sub>Ge<Sub>x</...
李迈克
一种具有二次外延集电区和电场保护环的雪崩光电探测器的制备方法
本发明公开了一种具有二次外延集电区和电场保护环的雪崩光电探测器的制备方法，首先在n型InP衬底上依次生长n型InP缓冲层、In<Sub>0.53</Sub>Ga<Sub>0.47</Sub>As吸收层、In<Sub>x<...
杨志茂王斌
集成测温单元的SiC顶集电区紫外光电晶体管及制造方法
本发明公开了一种集成测温单元的SiC顶集电区紫外光电晶体管，包括n型4H‑SiC衬底，n型4H‑SiC衬底的表面向上制作有n<Sup>+</Sup>发射区，n<Sup>+</Sup>发射区表面中间位置向上制作有p型基区，...
王曦熊娟蒲红斌杨莺纪轩陈嘉翔
一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法
本发明公开了一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法，该晶体管通过在P型集电区的侧壁和底部设置一层磷杂质基区，因磷杂质的扩散系数高于硼杂质的扩散系数，在后续集电区退火再扩散过程中N型杂质(磷杂质)和P...
孙有民王清波赵杰卓青青温富刚王成熙
一种具有二次外延集电区和电场保护环的雪崩光电探测器的制备方法
本发明公开了一种具有二次外延集电区和电场保护环的雪崩光电探测器的制备方法，首先在n型InP衬底上依次生长n型InP缓冲层、In<Sub>0.53</Sub>Ga<Sub>0.47</Sub>As吸收层、In<Sub>x<...
杨志茂王斌
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一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法
本发明公开了一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法，该晶体管通过在P型集电区的侧壁和底部设置一层磷杂质基区，因磷杂质的扩散系数高于硼杂质的扩散系数，在后续集电区退火再扩散过程中N型杂质(磷杂质)和P...
孙有民王清波赵杰卓青青温富刚王成熙
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PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件
本实用新型公开了PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的P型单晶硅层以及上层的金属硅化物层，所述基区包括N型AlGaN层，所述发射区...
李迈克
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相关作者

张波
作品数：4,965被引量：7,038H指数：42
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
李泽宏
作品数：1,006被引量：113H指数：5
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 半导体功率器件 导电类型 关断损耗
任敏
作品数：494被引量：21H指数：3
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 功率半导体器件 漂移区 半导体 导通压降
罗小蓉
作品数：313被引量：89H指数：6
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 关断损耗 槽栅 LIGBT SOI
郝跃
作品数：2,572被引量：1,236H指数：13
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓