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一种改善非掺杂多晶硅应力均一性的退火工艺: 本发明提供一种改善非掺杂多晶硅应力均一性的退火工艺，包括如下步骤：提供晶圆，所述晶圆上形成有非掺杂多晶硅层；提供炉管机台，调整所述炉管机台的工艺腔的温度至第一预设温度，所述第一预设温度低于所述炉管机台的待机温度；将所述晶...; 屠超波

一种蝎子型非掺杂有机小分子空穴传输材料及其制备方法和应用: 本发明公开了一种蝎子型非掺杂有机小分子空穴传输材料及其制备方法和应用，该空穴传输材料是以双噻吩并噻吩并吡咯为受体单元，在受体单元的两端噻吩和中间吡咯上分别引入三苯胺给体单元，形成蝎子型空穴传输材料，该材料具有平面性好、共...; 梁爱辉谢罡冯垂政李慧宇陈义旺

一种基于菲并咪唑的有机蓝光小分子及其在制备非掺杂有机电致发光器件方面的应用: 一种基于菲并咪唑的有机蓝光小分子及其在制备非掺杂有机电致发光器件方面的应用，属于有机光电材料技术领域。本发明将刚性结构菲并咪唑与中性基团或弱受体基团通过合理方式相连，使得分子的激发态具有弱电荷转移态特征，有利于提高蓝光发...; 路萍杜春亚刘辉程壮

一种含4,5-二氮芴的D-A型非掺杂空穴传输材料及其制备方法与应用: 本发明公开了一种含4,5‑二氮芴的D‑A型非掺杂空穴传输材料及其制备方法与应用。制备方法包括如下步骤：将4,5‑二氮芴‑9酮、4,4‑二甲氧基三苯胺、酸性催化剂溶于有机溶剂中，在氩气保护下加热反应，反应后，降至室温，调节...; 曹德榕党凌飞唐浩汪凌云

一种含氟非掺杂小分子材料在钙钛矿电池中的应用、钙钛矿太阳能电池及其制备方法: 本发明属于钙钛矿电池技术领域，具体涉及一种含氟非掺杂小分子材料在钙钛矿电池中的应用、钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明提供了一种含氟非掺杂小分子材料在钙钛矿电池中的应用，所述含氟非掺杂小分子材料为所述钙钛矿电池的空穴传...; 李公强常榕钰张仁

基于BCzVB的高效非掺杂蓝色有机电致发光器件被引量：1: 2024年; 以超薄插入方式制备了基于BCzVB(1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene)的高效非掺杂蓝色有机电致发光器件.器件的结构为ITO/MoO_(3)/TAPC(1,1-bis((di-4-tolylamino)phenyl)cyclohexane,50 nm)/BCzVB(x nm)/CBP(4,4’-N,N’-dicarbazole-biphyenyl,20 nm)/BCzVB(x nm)/TPBi(1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene,20 nm)/LiF(1.5 nm)/Al.当BCzVB厚度x为0.3 nm时,器件的最高亮度为12800 cd/cm^(2),最高外量子效率为2.1%(电流效率2.8 cd/A),CIE色坐标为(0.15,0.17).通过优化空穴注入层MoO_(3)的厚度,器件的最高亮度和外量子效率分别达到了14200 cd/cm^(2)和4.2%(电流效率为5.66 cd/A),外量子效率提升了一倍.这远超目前报道的基于BCzVB蓝色OLED的最高效率.; 邹文静吴有智张材荣; 关键词：荧光有机电致发光器件非掺杂

一种以咔唑稠环为核心的非掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用: 本发明属于有机半导体功能材料与其应用技术领域，公开了一种以咔唑稠环为核心的非掺杂空穴传输材料及其合成方法，以及在钙钛矿太阳能电池中的用途。本发明的非掺杂空穴传输材料，以苯并吲哚咔唑的缺电子基团为核心结构，以4,4’‑二甲...; 陈承夏子洋程明王豪鑫

一种PVD生长非掺杂ε-Ga2O3薄膜及其制备方法: 本发明提供了一种PVD生长非掺杂ε‑Ga2O3薄膜及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：步骤S1，准备衬底和靶材，放入物理气相沉积设备的主沉积室；步骤S2，加热衬底至650℃以...; 刘向力董骁恒

一种利于PVD生长高质量非掺杂ε-Ga2O3薄膜的装置及方法: 本发明涉及半导体材料制作技术领域，特别涉及一种利于PVD生长高质量非掺杂ε‑Ga2O3薄膜的装置及方法。其装置包括加热器、夹具、耐高温的弹性件、衬底，加热器的中心设有加热台，衬...; 刘向力董骁恒

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