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耐高压器件
本实用新型公开一种耐高压器件，包括：第一芯片、第二芯片、环氧封装体、正电极和负电极，位于负极连接部正上方的所述正极连接部的下方形成有一上减薄区，所述负极连接部的上方形成有一下减薄区，在水平方向上并排分布的所述第一芯片、第...
张明志沈礼福廖兵
高压器件结构
本发明提供一种高压器件结构，结构包括：衬底，栅介质层，栅介质层形成于沟槽内，且沟槽形成于衬底内；高压P阱，高压P阱形成于衬底内；第一N型扩散区，第一N型扩散区形成于栅介质层的第一侧面处的高压P阱内，并部分地延伸至栅介质层...
田志陈国鹏陈昊瑜邵华
嵌入式闪存高压器件及其制备方法
本发明公开一种嵌入式闪存高压器件及其制备方法，其中，嵌入式闪存高压器件为HVNMOS器件，且其栅极为P型栅。由此，得到的嵌入式闪存HVNMOS器件的阈值电压大约为‑0.9V；而常规的、栅极为N型栅的嵌入式闪存HVNMOS...
沈安星
适用于高压器件的硅片及其制造方法
本发明涉及一种适用于高压器件的硅片及其制造方法。所述适用于高压器件的硅片的制造方法包括如下步骤：提供支撑晶圆，所述支撑晶圆包括沿第一方向相对分布的第一表面和第二表面；于所述支撑晶圆的所述第一表面形成外延堆叠层，所述外延堆...
吴庆东张昱汪金梅李炜李晓标黄俊
一种用于高压器件的碳化硅厚外延片
本发明公开了一种用于高压器件的碳化硅厚外延片，有效解决外延片晶体缺陷和抗烧蚀性能差的问题。通过对碳化硅衬底进行涂布改性碳膜的方法，在外延和退火过程中通过碳膜的碳原子迁移，补充外延层的碳空位，从而实现碳空位修复的目的，提高...
肖陆军罗艾陈威佑蔡清富
SiC JFET晶片上外延GaN HEMT高压器件的制备方法
本发明提供了一种SiC JFET晶片上外延GaN HEMT高压器件的制备方法，方法包括：从斜切n+SiC衬底自下而上生长缓冲层和n‑SiC外延层，制作SiC外延片；在SiC外延片的表面处理形成P‑well和n+SiC的接...
卢双赞柳俊张伟何俊蕾葛晓明李思超程涛向诗力
一种超高压器件结构
本实用新型公开了一种超高压器件结构，属于半导体技术领域，包括元件主体、连接接口和接触点，元件主体端部固定有连接接口，且连接接口端部连接有接触点，所述连接接口端部贴合有接触点，且连接接口和接触点相互连接一侧皆对称套设有防护...
姚磊李毅
一种超结高压器件结构及制造方法
本发明公开了一种超结高压器件结构及制造方法，属于半导体分立器件技术领域，解决了现有技术中超结MOSFET器件雪崩击穿时寄生BJT引起的二次击穿效应的问题。本发明具体技术方案为，通过在超结高压器件的trench Gate之...
肖晓军胡丹丹
用于开关高压器件的通用栅极驱动电路
本公开的各实施例涉及用于开关高压器件的通用驱动器电路。描述了用于驱动功率器件中的晶体管的半导体器件。半导体器件可以包括电压源，被配置为向第一器件提供固定偏置电压，该第一器件被实现为通用栅极器件。半导体器件还可以包括与第一...
佐藤哲雄
利用SOI埋氧层做栅氧的高压器件结构及其制造方法
本发明提供一种利用SOI埋氧层做栅氧的高压器件结构，包括衬底，在衬底上形成有埋氧层，衬底上具有第一器件区和第二器件区的形成区域，第一器件区为高压器件区，第二器件区为低压器件区或中压器件区；第二器件区上形成有硅层；在衬底上...
王晓日陈广龙杨留鹏
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张波
作品数：4,960被引量：7,033H指数：42
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
乔明
作品数：620被引量：131H指数：7
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 功率半导体器件 半导体功率器件 比导通电阻 击穿电压
周锌
作品数：107被引量：12H指数：2
供职机构：电子科技大学
研究主题：半导体功率器件 击穿电压 横向高压器件 导电类型 功率半导体器件
杜锴
作品数：68被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：场板 ALGAN/GAN_HEMT 淀积 击穿电压 ALGAN/GAN
郝跃
作品数：2,568被引量：1,235H指数：13
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓