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Structure and microwave properties analysis of substrate removed GaAs/AIGaAs electro-optic modulator structure by finite element method被引量:1
2013年
Kambiz ABEDI Habib VAHIDI
Determining the Effective Refractive Index of AIGaAs-GaAs Slab Waveguide Based on Analytical and Finite Difference Method
2012年
Optical waveguide is the main element in integrated optics. Therefore many numerical methods are used on these elements of integrated optics. Simulation response of an optical slab waveguide used in integrated optics needs such numerical methods. These methods must be precise and useful in terms of memory capacity and time duration. In this paper, we study basic analytical and finite difference methods to determine the effective refractive index of AIGaAs-GaAs slab waveguide. Also, appropriate effective refractive index value is obtained with respect to number of grid points and number of matrix sizes. Finally, the validity of the obtained values by both methods is compared to using waveguide type.
All CetinErcan UcgunM .Selami Kilickaya
Power Conversion Efficiency of Schottky Diode Fabricated on AIGaAs/GaAs Heterostructure
2010年
Parimon NorfarariyantiMustafa FarahiyahHashim Abdui ManafAbd Rahman Shaharin FadzliAbdul Rahman Abdul RahimOsman Mohd NizamAbd Aziz AzlanHashim Md. Roslan
关键词:肖特基二极管微波功率高电子迁移率晶体管HEMT器件
AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性被引量:4
2006年
介绍了 AlGaAs/GaAs 多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基手湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测试并分析。在温度小于40 K 时,随着温度的改变暗电流没有明显的变化;当温度大于40 K 时,暗电流随着温度的升高迅速变大,正、负偏压下 QWIP 暗电流具有不对称特性。
赵永林李献杰蔡道民周洲郭亚娜韩丽丽
关键词:ALGAAS/GAAS量子阱红外探测器暗电流
RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究
2005年
采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以估算衬底温度,更重要的是能计算出材料的生长速率。RHEED强度振荡周期决定生长速率,每一个周期对应一个单层。实验测量GaAs的生长周期为0.82s,每秒沉积1.22单分子层,AlAs的生长周期为2.35s,每秒沉积0.43单分子层。
李林钟景昌张宝顺王勇卢鹏王晓华刘国军
关键词:分子束外延半导体材料
MIp<'+>-AIGaAs/p-n-n<'+>-GaAs太阳电池及其电子辐照效应研究
本文设计制作了适合空间电源用的复合结构的MIp<'+>-Al<,0.3>Ga<,0.7>As/p-n-n<'+>-GaAs太阳电池.制作过程中,通过引入固定负电荷,建立表面感应结,有效提高电池的开路电压近10﹪以上.电子...
涂洁磊陈庭金
关键词:GAAS太阳电池固定负电荷电子辐照空间电源
文献传递
扫描近场光学显微术对近场光谱的研究
2002年
扫描近场光学显微镜是20世纪80年代后期发展起来的一种分辨率超过衍射极限的新型光学显微技术。把扫描近场光学显微镜与光谱仪耦合,可进行纳米尺度的空间超高分辨率光学成象、近场局域光谱等领域中的研究。
顾书龙
垂直场GaAs/AIGaAs多量子阱光折变效应研究
利用独具特色的准低温分子束外延生长技术,生长出高质量的GaAs/AIGaAs多量子阱 光折变材料.研究了材料准低温生长过程中包括衬底温度和III/V束流比在内的生长条件与 深能纺缺陷性质,从而与光折变效应大小的关系,找到...
张燕锋
关键词:深能级二波耦合EL2
文献传递
Design and performance of transimpedance amplifier and cascadable amplifier with AIGaAs/GaAs HBTs
The design and performance of transimpedance amplifier and cascade amplifier of different bandwidth with AIGaA...
Qing-Ming ZengXian-Jie LiXiao-Chun XuWei-Ji LiuJin-Ping AoQuan-Shu Wang
GaAs/AlGaAs多量子阱器件均匀性研究被引量:1
1999年
从几个方面研究了GaAs/AIGaAs多量子阱红外探测器的均匀性,找到了影响其均匀性的几个因素,为今后的工作奠定了基础。
余晓中
关键词:多量子阱红外探测器均匀性焦平面阵列

相关作者

沈文忠
作品数:16被引量:7H指数:1
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:砷化镓 光致发光 Δ掺杂 光谱研究 HG
沈学础
作品数:184被引量:256H指数:9
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:砷化镓 光谱研究 半导体 GAAS 红外探测器
唐文国
作品数:19被引量:7H指数:2
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:光致发光 HG CD HGCDTE A-SI
唐文国
作品数:5被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:Δ掺杂 高电子迁移率晶体管 砷化镓 光谱研究 电子迁移率
尹军舰
作品数:85被引量:61H指数:4
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:砷化镓 GAAS MMIC 欧姆接触 高电子迁移率晶体管