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搜索到981篇“ AL掺杂“的相关文章

助催化剂Ni_(3)N负载Al掺杂SrTiO_(3)的合成及其光解水析氢应用: 2025年; 采用熔盐法制备出铝掺杂的钛酸锶(Al-SrTiO_(3)),并通过水热法及气相氮化法在Al-SrTiO_(3)表面紧密负载了Ni_(3)N助催化剂。通过对Ni_(3)N/Al-SrTiO_(3)体系载流子转移特性表征以及密度泛函理论计算分析发现,Al-SrTiO_(3)上的光生电子在费米能级差的作用下可快速转移到Ni_(3)N上,有效促进了Al-SrTiO_(3)上光生载流子的分离,从而提高其分解水析氢性能。光催化析氢测试结果表明,当Ni_(3)N助催化剂负载量(Ni与Al-SrTiO_(3)的质量比)为7%时,Al-SrTiO_(3)的析氢速率相对负载前提升了82倍。; 杨茜常春香谢英鹏李阳陈昱辉王博饶伊鲁东韩忠昊

Al掺杂LiNi_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_(2)材料结构改性及电化学性能研究: 2025年; 三元正极材料LiNi_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_(2)(NCM523)由于其适中的价格和高能量密度而广受关注,但低循环稳定性使其商业化应用受限。本研究以Al为掺杂元素,采用共沉淀结合高温固相的方法制备不同数量的Al原子取代Mn位的三元NCM523微米颗粒型正极材料。结果表明,适量的Al掺杂可以增强过渡金属层的稳定性,显著改善NCM523材料循环稳定性差的问题。Al掺杂量满足Al/Li物质的量比为7%时获得了最佳的电化学性能,在2.7~4.5 V、0.1C倍率下首次放电比容量为165.7 mAh·g^(-1),经50次循环后衰减为134.3 mAh·g^(-1),容量保持率为81.05%。高温(55℃)环境下,Al/Li物质的量比为7%的样品依然保持最佳的电化学性能。; 邢建祥杨延朴杨集舜徐越杨廷海杨刚; 关键词：AL掺杂

Ni-Al掺杂的钙基热化学储热循环性能研究: 2025年; 以CaCO_(3)/CaO可逆反应为基础的钙基热化学储热具有能量密度高、成本低、储存时间长等特点,是下一代聚光型太阳能热发电(concentrated solar power,CSP)技术的储热方案之一。在储、放热循环过程中,钙基的反应活性会迅速降低,制约其进一步应用。为改善这一问题,该文通过溶胶凝胶法和球磨法制备掺杂NiAl_(2)O_(4)的改性钙基储热材料,系统研究NiAl_(2)O_(4)掺杂对钙基储热循环稳定性和储热/放热过程中反应性能的影响。结果表明:NiAl_(2)O_(4)掺杂对提升CaCO_(3)/CaO循环稳定性起到显著的作用,20次循环时的放热效率可达84%以上,其中,当掺杂摩尔比为100:6:12(Ca:Ni:Al)时,改性材料展现出最佳的稳定性,20次循环时的放热效率为88.7%,是未改性的1.6倍;在反应温度为750℃的煅烧-碳酸化等温循环过程中,NiAl_(2)O_(4)掺杂可以提升反应速率,促使碳酸化反应更早开始,减少反应时间。结合表征结果,该文提出掺杂NiAl_(2)O_(4)改善钙基循环稳定性的反应过程:NiAl_(2)O_(4)均匀分布在钙基材料表面,可以有效抑制钙基的团聚,从而减缓循环性能的衰减,改善CaCO_(3)/CaO在储、放热循环过程中的反应性能。; 丁历威陈冬吕洪坤侯成龙国旭涛黄泰格肖刚祝培旺; 关键词：CAO 热化学储热

Al掺杂ZnO纳米线阵列紫外光探测器特性: 2024年; 采用简便水热法,在具有叉指图案的氟掺杂氧化锡导电玻璃基底上,生长出几种Al掺杂浓度ZnO纳米线阵列,Al/Zn原子比分别为0%(未掺杂)、0.5%、1%、2%和4%。实验结果显示:所有样品均为六方纤锌矿结构,Al掺杂ZnO纳米线沿近似垂直基底表面方向生长,形成良好取向阵列。并且用这些Al掺杂ZnO纳米线阵列作为光敏层,制备了五种紫外光探测器,系统研究了器件性能。经分析,所有器件对365 nm紫外光表现出良好响应。1%Al掺杂ZnO纳米线阵列紫外光探测器具有最佳性能,在365 nm波长处,该探测器响应度、比探测率、灵敏度、外量子效率、响应时间和衰减时间分别为6180 mA/W、1.51×10^(12)Jones、83.2、6090%、4.12 s和14.45 s。该研究证实在ZnO纳米线阵列中进行适量Al掺杂,可有效提高其紫外光探测器性能。; 袁兆林许庆鹏谢志文何剑锋游胜玉汪雪元; 关键词：紫外光探测器 AL掺杂水热法光响应

Eu、Al掺杂BiFeO3薄膜的制备及性能的研究: BiFeO3（BFO）因其存在独特的铁电性和反铁磁性的共同耦合推动了使其在在传感器、信息存储、自旋电子器件以及光电系统等诸多领域中得到了深度探索及应用。然而,铁电材料的老化现象一直是制约其性能稳定和应用寿命的关键因素。铁...; 何静娴; 关键词：BIFEO3薄膜 EU掺杂 AL掺杂铁电性能

同位靶磁控溅射法制备Al掺杂CdSe薄膜: 2024年; 为增加掺杂薄膜的元素均匀性,基于磁控溅射技术,设计了靶材同位共溅射制备掺杂薄膜的方法,并用于制备Al掺杂CdSe薄膜,获得了Al均匀掺杂的CdSe薄膜。结果表明:制备的薄膜为富Se状态,呈现明显的(111)择优取向。Al掺杂后的CdSe薄膜方块电阻由5.2 kΩ/□升高至544.5 kΩ/□。随着Al掺杂量的增加,薄膜的方块电阻下降。当共溅射Al片为6片时,薄膜方块电阻为7.7 kΩ/□,薄膜半导体类型由p型转变为n型。掺杂薄膜体电导率分别为192.4(未掺杂)、2.01×10^(4)(Al片数1)、506.9(Al片数2)、384.8(Al片数4)、284.9 mΩ·cm(Al片数6)。掺杂薄膜样品的禁带宽度Eg分别为1.82(未掺杂)、1.97(Al片数1)、1.75(Al片数2)、1.78(Al片数4)、1.82 eV(Al片数6)。; 何惠江宣乐毛高翔刘辉王春海

Al掺杂CoCrNiAlY金属黏结层的高温抗氧化行为研究: 2024年; 采用电弧离子镀技术在GH4169高温合金表面制备CoCrNiAlY和Al掺杂CoCrNiAlY涂层,系统开展涂层的高温抗氧化行为与机理研究,利用XRD、SEM和EDS等微尺度分析表征方法,全面解析涂层的物相结构特征、氧化反应产物及表/截面微观形貌。研究结果表明,未掺杂CoCrNiAlY涂层表现较差的结构稳定性和抗氧化性能,涂层呈持续氧化增重趋势,200 h涂层质量增重达0.38 mg/cm^(2)。然而,Al掺杂显著提升CoCrNiAlY涂层的高温抗氧化性能与结构稳定性,质量增重率先迅速增大后趋于稳定,200 h涂层的质量增重约0.30 mg/cm^(2)。本研究结果充分证实Al元素掺杂可显著改善CoCrNiAlY金属黏结层抗氧化性能。; 朱荣涛刘天新陶浩天燕峰胡素影马北一解志文; 关键词：AL掺杂

Al掺杂Fe_(2)(MoO_(4))_(3)的热致变色性能研究: 2024年; 通过溶胶凝胶法制备了单斜Fe_(2)(MoO_(4))_(3)到单斜Al_(2)(MoO_(4))_(3)固溶体系列的Fe_(2-x)Al_(x)(MoO_(4))_(3)(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0,1.2,1.4,1.6,1.8,2.0)粉末样品。通过X射线衍射发现所有样品都具有相同的单斜相结构,没有发生相分离,成功做到不同比例下的Fe_(2-x)Al_(x)(MoO_(4))_(3)共存。单斜Fe_(2)(MoO_(4))_(3)的晶胞体积随铝含量增加而减小,这与Al^(3+)取代Fe^(3+)的进入有关。在600℃下烧制的x=1.6的组合物表现出最好的可逆热致变色性能。基于电荷转移机理的无机可逆热致变色材料具有随温度连续变色的特性,本研究将对钼酸盐基质中的发色团离子之间相互作用的理论机理进行解释,进一步提升新型热致变色材料的可控调节制备及应用。; 刘鹏袁龙孟祥东; 关键词：热致变色

Al掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学性质的影响研究: 2024年; 近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构,经高温退火使Al原子热扩散进入薄膜中,形成Al掺杂的β-Ga_(2)O_(3)薄膜。采用激光区熔法使薄膜区域熔化再结晶,进一步提升掺杂质量。对Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体性质、杂质含量及光学性质进行了测试表征。结果表明:Al掺杂不改变β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体结构;随着Al层溅射时间延长,掺杂含量逐渐增加;当Al溅射时间为5和10 s时,薄膜紫外吸收率分别为40%和50%;随着Al溅射时间的增加,Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜紫外区域光吸收率逐渐增强,Al溅射时间为300 s时,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的光吸收率接近90%;低浓度的Al掺杂会导致β-Ga_(2)O_(3)薄膜的禁带宽度变窄。; 钟琼丽王绪马奎杨发顺; 关键词：AL掺杂磁控溅射光吸收光学带隙

一种Al掺杂α-MnO2水系锌离子电池正极材料及应用: 本专利提供一种Al掺杂α‑MnO2的水系锌离子电池正极材料及其应用。本发明利用Al元素合适的半径以及较高的导电性去解决α‑MnO2固有电导率不足的问题。α‑MnO2<...; 黄海波吴相贤李思阳

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