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正反向排水板真空预压法在地基处理工程中的应用: 2024年; 目前真空预压法加固软土地基中排水板负压源通常位于顶部,由于真空度沿竖向的衰减,普通真空预压对深层土体的加固效果较差。为此提出了正反向排水板相结合的排水方式,正向排水板的负压源在排水板顶部,反向排水板的负压源在排水板的底部。将正反向排水板结合真空预压应用于温州某地基处理工程中,对地表沉降、真空度、孔隙水压力等指标的监测结果显示,平均固结度达到93.1%。相同工况下正反向排水板结合真空预压数值模拟得到的地表沉降大于正向排水板结合真空预压得到的地表沉降,增长率达到12.9%;相同工况下正反向排水板结合真空预压数值模拟得到的孔隙水压力在3~10 m范围内的消散情况明显优于正向排水板结合真空预压,地基加固效果更好。正反向排水板结合真空预压方法值得在工程中进一步推广应用。; 武亚军陈浩VU Quoc Vuong陈国公陈先叠; 关键词：真空预压地表沉降固结度

三亚市排水管渠污泥特性及处理工艺: 2024年; 在雨污水管网养护过程中,清掏出的管网沉积污泥含有大量垃圾、泥砂及腐殖物,含水率高且臭味浓度高,传统处理方式已经不能满足环保要求.随着我国经济的发展以及国家对环境保护的需要,如何对管渠污泥进行经济而有效地处理处置和资源化利用是当前必须解决的问题.为有效解决三亚雨污水管网运营维护中清淤污泥的处理及出路问题,对三亚排水管渠污泥进行了采样检测并分析其基本特性,采用预处理+回收利用联合处理,实现污泥的减量化、无害化处理和资源化利用,解决了当地雨污水管道清淤污泥的出路难问题,可在其他类似处理工程中推广运用.; 宋文清陈偲; 关键词：预处理回收利用

余热锅炉疏水管泄漏分析与优化: 2024年; 余热锅炉是燃气电厂的重要主机设备,受热面泄漏是导致余热锅炉可用率损失的主要原因,也是目前余热锅炉设计、运行维护及监督最重要的技术管理环节。针对某燃气电厂余热锅炉再热器疏水管泄漏事故,通过背景调查、图纸分析及计算,得出泄露原因为管道穿过锅炉底部的密封结构使得疏水管无法随集箱自由膨胀,炉内管道受膨胀应力过大且疲劳强度考虑不足。针对泄露原因,提出增大管道扰度来消除或减少膨胀应力等优化改造措施,以避免此类事故再次发生。; 王振强; 关键词：余热锅炉疏水管热膨胀

水下塑料排水板插设技术与设备发展研究: 2024年; 水下塑料排水板插设技术应用于海上陆域形成、海堤建设、滩涂围垦等工程的软基处理。在20世纪90年代初,我国首台套水下塑料排水板插设设备研制成功,填补了该专业领域的技术空白。通过对该技术不断摸索试验与实践总结,经过4个发展阶段,应用较先进的机械、液压气动、电气技术,形成独特的创新性专用机构,使水下塑料排水板插设技术趋向成熟,设备生产能力不断提高,为水下工程软基处理广泛应用创造条件。; 王武王江; 关键词：塑料排水板

超超临界机组再热热段疏水管弯头断裂失效分析: 2024年; 为了研究再热热段疏水管弯头断裂的原因,以某火力发电厂1000 MW超超临界机组B侧再热热段疏水管为研究对象,对弯头断裂处及附近位置进行了宏观形貌、金相组织、硬度以及力学性能进行了试验分析,疏水管材质为P92,规格为38.1mm×5mm,工作温度603℃,工作压力4.79 MPa。结果表明:一方面,疏水管温度存在反复变化情况,管壁的膨胀与收缩受到一定程度的约束从而产生热应力循环,疏水管弯头产生疲劳损伤,出现热疲劳裂纹;另一方面,弯头外壁存在凹坑,凹坑处易产生裂纹,同时,弯头位置硬度值超过标准上限,使得弯头抗形变能力降低,在排出凝结水过程中,机组负荷变化和排出凝结水的间歇性致使介质流速发生变化,弯头处振动明显,致使弯头处裂纹进一步发展直至出现断裂。; 陶业成胡杰赵月李文正王平; 关键词：超超临界机组热疲劳

通过优化泄荷槽降低楔形封闭容积对压缩机的影响的分析和实验: 2024年; 大多数基于不对称型线的双螺杆压缩机,壳体排气端面与转子排气端的接触线之间会形成一个楔形封闭容积,楔形封闭容积对压缩机的比功率、噪声、振动烈度等都有着不小的影响。在设计压缩机轴向排气口时增加泄荷槽,可以降低楔形封闭容积带来的不利因素。为了进一步降低这种不利因素,可以优化原有泄荷槽的形状、位置等,并通过实验作对比,验证方案的可行性。; 罗吉荣张峤峤李析恒南妍; 关键词：压缩机

渐变沟道全耗尽SOI MOSFET漏致势垒降低效应研究: 2024年; 目的集SOI MOSFET(绝缘衬底上的硅金属氧化物半导体场效应晶体管)器件结构与渐变沟道的优点于一体,提出渐变沟道全耗尽SOI MOSFET器件结构,以提高MOSFET器件的微观物理性能。方法分别列出沟道不同掺杂浓度的2个区域的泊松方程并求解,建立阈值电压模型。依据计算结果,详细分析沟道高掺杂区的掺杂浓度和掺杂长度、栅氧化层的介电常数、硅膜厚度等物理参数对漏致势垒降低(DIBL)效应的影响。结果 DIBL随沟道高掺杂区的掺杂浓度的增大而变小,随掺杂长度的减小而变小,随栅氧化层的介电常数的增大而变小,随硅层厚度减薄而变小。结论渐变掺杂沟道结构能够有效抑制器件的DIBL。该研究结果不仅对器件的理论研究有一定的意义,而且对器件的设计提供了一定的参考价值。; 张冰哲辛艳辉; 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管短沟道效应

某型LNG船惰气发生器排海水管安装布置探讨: 2024年; 针对某型液化天然气(Liquefied Natural Gas, LNG)船的惰气发生器安装位置错误造成的排海水管系进出口压差较小,导致惰气发生器喷淋塔内积水的问题,对惰气发生器排海水管的泄放能力进行计算,并对气发生器排海水口的位置和喷淋器出水管管径进行优化。研究表明:该优化方案不仅能有效解决惰气发生器喷淋塔内积水的问题,还能实现最小设计修改量。研究成果可为惰气发生器排海水管的安装布置提供一定参考。; 王继鸣陈祚琛闫冬峰吴海兵朱航宇

FD-SOI器件中PMOS源漏区外延层形貌改善研究: 2024年; 阐述FD-SOI器件中SiGe-RSD形貌不规则是导致Si Cap层被金属扎穿的原因。针对这一问题,对SiGe-RSD的制备工艺进行逐层(L1/L2/L3)优化,最终制备出形貌规则、表面平整的样品。随后的接触通孔工艺环节Si Cap层未被扎穿,形成良好的合金,器件PMOSFET的性能也得到明显提升。; 方精训吕健; 关键词：集成电路制造 FD-SOI

GaN HEMT源漏通道区电阻的自热和准饱和效应模型: 2024年; GaN HEMT在栅极与源极和漏极之间存在一段通道区域,在等效电路模型中通常等效为一电阻,称为源漏通道区电阻R_(D,S)。准确构建GaN HEMT R_(D,S)模型,对于分析GaN HEMT直流和射频特性,构建GaN HEMT大信号模型具有十分重要的意义。本研究给出考虑自热和准饱和效应的R_(D,S)模型。首先由源漏通道区温度T_(CH)与耗散功率P_(diss)的关系,推导出非线性自热效应模型。进一步基于准饱和效应和Trofimenkoff模型,给出源漏通道区电子漂移速度与电场强度的关系表达式,构建非线性R_(D,S)模型。在环境温度Tamb=300~500 K时,源漏通道区二维电子气2DEG面密度n_(S,acc)(T_(CH))和迁移率μ_(acc)(T_(CH))随T_(CH)的升高而下降,这导致低偏置条件下的源漏通道区电阻R_(D0,S0)随T_(CH)呈非线性增长。将本研究和文献报道的R_(D,S)模型与TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真数据进行对比,结果显示:本研究与文献报道的漏通道区电阻RD模型的平均相对误差分别为0.32%和1.78%,均方根误差(RMSE)分别为0.039和0.20Ω;RS模型的平均相对误差分别为0.76%和1.73%,RMSE分别为0.023和0.047Ω。与文献报道的实验数据进行对比,结果显示:本研究与文献RD模型的平均相对误差分别为0.91%和1.59%,RMSE分别为0.012和0.015Ω;RS平均相对误差分别为1.22%和2.77%,RMSE分别为0.0015和0.0034Ω。本研究提出的R_(D,S)模型具有更低的平均相对误差和均方根误差,能够更加准确地表征GaN HEMT线性工作区R_(D,S)随漏源电流I_(DS)的变化。可将本模型用于器件的设计优化,也可作为Spice模型用于电路仿真。; 姚若河姚永康耿魁伟; 关键词：自热效应准饱和效应

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