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异面结构雪崩GaAs光导开关的制备及特性测试: 2024年; 雪崩砷化镓光导开关(PCSS)因其超快开关速度、低触发抖动、光电隔离、高功率容量、高重复频率以及器件结构灵活的特点,得到广泛应用。制备封装了电极间隙为5 mm的异面结构GaAs光导开关,对不同偏置电场下(36~76 kV/cm)开关的暗态和开态的电学特性进行了测试分析,结果表明其具有百皮秒~纳秒量级的上升沿、低暗态泄漏电流(0.15~6.61μA)、高耐压(18~38 kV)的特点。实验探究了开关工作次数与输出电压峰值的关系,结果表明随着工作次数的增大,输出电压幅值呈台阶型降低趋势,在20 kV、2 Hz条件下,开关寿命达4.0×10^(4)次。; 杨迎香杨向红朱章杰黄嘉李昕胡龙; 关键词：砷化镓光导开关

一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源: 本发明实施例提供一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源，通过光导开关的低导通电阻以提高冲激脉冲源的输出功率；包括：在半绝缘GaAs材料表面外延生长一层n<Sup>+</Sup>‑GaAs层；将半绝缘GaAs材...; 栾崇彪刘宏伟王凌云何泱袁建强马勋李洪涛

GaAs光导开关电极制备工艺及性能测试被引量：1: 2022年; 为了解决目前GaAs光导开关成品率低、稳定性差和可靠性低等问题,提出了GaAs光导开关的关键电极制备工艺解决方案。该方案首先以半绝缘GaAs材料作为衬底,利用电子束蒸镀机在GaAs衬底上沉积Ni/Ge/Au/Ni/Au金属复合层作为光导开关电极,并对电极进行快速退火使其与GaAs衬底形成欧姆接触;然后,为了隔绝光导开关与外界环境,在GaAs衬底上沉积氮化硅作为钝化保护层;最后,通过在欧姆接触电极上外延场板的工艺,制备出电极间距为4 mm的异面GaAs光导开关。对所制备的GaAs光导开关的测试结果表明:在400℃退火条件下,电极的接触电阻率最低可达到0.0195Ω·cm^(2);采用50Ω单脉冲形成线,在工作频率为1 kHz、偏置电压为22 kV时,光导开关的输出电压脉冲为10 kV,脉冲上升时间为亚ns量级。采用该制备方法制备的GaAs光导开关的成品率高达约98%,可稳定工作上万次。; 党鑫杨向红孙岳刘康朱莉胡龙李昕刘卫华王小力; 关键词：GAAS光导开关电极制备欧姆接触可靠性

一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源: 本发明实施例提供一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源，通过光导开关的低导通电阻以提高冲激脉冲源的输出功率；包括：在半绝缘GaAs材料表面外延生长一层n<Sup>+</Sup>‑GaAs层；将半绝缘GaAs材...; 栾崇彪刘宏伟王凌云何泱袁建强马勋李洪涛; 文献传递

一种基于石墨烯界面层的体结构GaAs光导开关及其制备工艺: 本发明公开了一种基于石墨烯界面层的体结构GaAs光导开关及其制备工艺，阴极接触电极设置于GaAs衬底的下表面，阳极接触电极设置于GaAs衬底的上表面，阳极接触电极与GaAs衬底之间设置石墨烯层，外接电极设置于阳极接触电极...; 胡龙李昕崔宏旺朱莉刘康孙岳; 文献传递

一种GaAs光导开关载流子浓度分布变化测试方法及光路: 本发明公开了一种GaAs光导开关载流子浓度分布变化测试方法，属于半导体器件测试领域，本发明利用激光照射GaAs光导开关的不同位置，根据被照射位置折射率的变化，获得GaAs光导开关导通过程中内部载流子浓度分布变化曲线，本发...; 栾崇彪赵娟李洪涛马勋肖金水黄宇鹏; 文献传递

一种基于石墨烯界面层的异面结构GaAs光导开关及其制备工艺: 本发明公开一种基于石墨烯界面层的异面结构GaAs光导开关及其制备工艺，GaAs衬底的上、下表面均设有接触电极，两处接触电极分别作为GaAs光导开关的阳极和阴极，两处接触电极的表面均设有外接电极，两处接触电极与GaAs衬底...; 胡龙李昕崔宏旺朱莉刘康孙岳; 文献传递

一种基于石墨烯界面层的体结构GaAs光导开关及其制备工艺: 本发明公开了一种基于石墨烯界面层的体结构GaAs光导开关及其制备工艺，阴极接触电极设置于GaAs衬底的下表面，阳极接触电极设置于GaAs衬底的上表面，阳极接触电极与GaAs衬底之间设置石墨烯层，外接电极设置于阳极接触电极...; 胡龙李昕崔宏旺朱莉刘康孙岳; 文献传递

一种基于石墨烯界面层的异面结构GaAs光导开关及其制备工艺: 本发明公开一种基于石墨烯界面层的异面结构GaAs光导开关及其制备工艺，GaAs衬底的上、下表面均设有接触电极，两处接触电极分别作为GaAs光导开关的阳极和阴极，两处接触电极的表面均设有外接电极，两处接触电极与GaAs衬底...; 胡龙李昕崔宏旺朱莉刘康孙岳; 文献传递

激光二极管触发GaAs光导开关导通特性被引量：6: 2019年; 基于固态平板传输线、同轴电缆、GaAs光导开关和激光二极管触发系统,设计了两种脉冲形成线电路结构,研究了激光二极管触发条件下的GaAs光导开关的导通特性:基于GaAs光导开关的固态Blumlein脉冲形成线可输出具有快前沿的高功率、窄脉冲电压;给出了测量光导开关抖动和导通电阻的方法,测得光导开关的抖动、导通电阻都随激光能量和充电电压的增大而减小,其最小抖动约0.12ns,导通电阻为欧姆量级;测得光导开关导通电流约250～300A(平板传输线特征阻抗Z0=25?),并探索了光导开关并联分流的可行性;测量出光导开关的导通时间约0.4～0.6ns,随工作次数的增多,导通时间逐渐增大。; 谌怡刘毅王卫叶茂张篁夏连胜; 关键词：GAAS 光导开关激光二极管脉冲功率技术

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