搜索到297篇“ GAAS材料“的相关文章
In掺杂GaAs材料体系电子结构第一性原理研究
2023年
基于密度泛函理论的第一性原理计算得到了本征GaAs和In掺杂GaAs的能带结构和电子态密度。通过对比分析体心掺杂和面心掺杂两种掺杂方式的InGaAs电子结构,得到了不同掺杂方式对InGaAs材料性质的影响规律。研究结果表明,两种In掺杂材料体系的能带结构差异不大,与本征GaAs相比,二者的禁带宽度减少了约40%;掺杂的In原子作为受主杂质在导带中引入了新的杂质能级,使导带底降低;与本征GaAs相比,面心掺杂InGaAs电子分布的能量范围变化不大,但电子分布更均匀,而体心掺杂InGaAs的电子态密度中出现了新的电子分布能量范围,使掺杂后的材料具有更宽的导带。
王兴鸿蔡星会王祖军熊庆王冰黄港聂栩赖善坤唐宁晏石兴李传洲
关键词:第一性原理半导体掺杂电子结构模拟计算
GaAs材料解理加工分子动力学分析及工艺实验
2023年
针对Ga As基半导体激光芯片谐振腔面的超精密解理制造技术需求,开展GaAs材料解理加工分子动力学仿真及加工工艺实验研究。首先建立Ga As材料划片过程的分子动力学模型,研究[100]和[110]晶向的表面微观形貌及亚表面损伤深度,分析材料各向异性对划片形貌的影响机制;然后开展解理工艺实验对MD模型进行了验证,并分析解理面形貌的变化情况。仿真结果表明:相比于[100]晶向,[110]晶向上最大损伤宽度、划片宽度和亚表面损伤深度平均值分别降低5.23%、3.98%和2.61%,沿该晶向所得划片质量更优,此外最大损伤宽度、划片宽度和亚表面损伤深度均随划片深度增加而增加,而划片速度对Ga As表面形貌及亚表面损伤影响较小;通过工艺实验验证了MD仿真结果,并确认[110]为Ga As最佳解理加工晶向。
姜晨高睿郑泽希
关键词:半导体激光器谐振腔解理各向异性分子动力学
一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路
本发明涉及微波电路技术领域,公开了一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路,包括GaAs基FET、平板电容、平面电感或高阻抗传输线、微带传输线及接地金属通孔。所述GaAs基FET开关管起直通或高通滤波器选择...
王超杰王睿蔡雪芳卢子焱
基于SI-GaAs材料的新型脉冲压缩二极管
2021年
针对快前沿高重频脉冲的应用需求,设计并研制了一种基于半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料的新型脉冲压缩二极管,通过实验对其压缩性能和重频运行能力进行了测试。实验结果表明,利用此开关能够将前级脉冲的上升沿压缩约270倍和脉宽压缩14倍;并在50Ω负载上,获得脉冲幅度1.3 kV、上升沿约1.6 ns、脉宽40.59 ns的电脉冲,重复频率达1 kHz,总计运行47 min,触发约两百万次。为研究脉冲压缩二极管的工作原理,对其静态伏安特性进行测试。分析认为,在电压初步加载阶段,SI-GaAs材料内的电场增强型的俘获与离化机制导致耐压增强,二极管在实验过程中出现延迟击穿现象;逆向偶极畴效应产生牵引机制,引发快速上升的位移电流,进而导致反偏结雪崩击穿,二极管表现出瞬间负阻特性,在负载上输出高压纳秒电脉冲。新型脉冲压缩二极管无外加触发快脉冲的前级器件,自身可以维持一定时间的强烈雪崩击穿状态,因此具有体积小、生产成本低的优点,可用于制作小型化高重频的纳秒脉冲功率源。
屈光辉汪雅馨赵岚徐鸣贾婉丽马丽纪卫莉
关键词:SI-GAAS重复频率脉冲功率源
GaAs材料在光电化学电池中的稳定性
2021年
光电化学水分解制氢被誉为人工光合作用,其利用太阳能将水分解为氢气和氧气,是未来可持续能源体系潜在的重要能源转换手段。随着光电化学电池的发展,光电化学电池的转换效率得到了大幅提升,然而光电化学电池的使用寿命却与实际应用标准寿命(10年)相差甚远。光电化学电池材料体系中Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs由于其优异的光物理性能逐步受到科学家们的广泛关注。然而,GaAs在光电化学体系中存在严重的光腐蚀问题。如何在充分发挥GaAs本征优势的前提下提升其在电解液中的稳定性近年来已成为Ⅲ-Ⅴ族半导体研究的热点。研究表明,针对不同环境下GaAs电极的腐蚀机制设计不同保护层薄膜对GaAs进行防护,能有效地在保证转换效率的前提下延长GaAs电极的寿命。本文从GaAs材料在不同酸碱性电解液中的腐蚀机理出发,针对GaAs在不同溶液环境中的有效保护措施进行综述,着重阐述了现有手段对GaAs材料在溶液中稳定性提升的成果,同时展望了GaAs材料的未来发展趋势。
曹诗瑶闫小琴
关键词:GAAS稳定性保护层
GaAs材料的光电特性及应用研究
2021年
本文深入研究了GaAs材料的激子效应和电荷畴之间的相互作用,并对其光电导特性进行了分析,阐述了GaAs材料光电导影响因素,研究了当前GaAs材料应用前景,以期为同类研究提供有益的参考。
高剑森毛仕春
关键词:GAAS材料光电特性半导体材料
GaAs材料单晶层的制造方法和外延生长GaAs材料单晶层的衬底
一种用于生产GaAs材料的单晶层的方法,其包括将SrTiO<Sub>3</Sub>材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底,随后外延生长所述GaAs材料的单晶层。
布鲁诺·吉瑟兰
GaAs材料空间辐照损伤的分子动力学模拟
在航天领域,砷化镓(GaAs)是制备太阳电池最常用的半导体材料。它极易受到空间粒子的辐照而产生大量微观的晶体缺陷,造成太阳电池设备的性能衰减,严重影响空间飞行器的可靠性和使用寿命。所以使用分子动力学(MD)方法研究辐照条...
马雪琳
关键词:太阳能电池砷化镓材料辐照损伤航天电源
一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路
本发明涉及微波电路技术领域,公开了一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路,包括GaAs基FET、平板电容、平面电感或高阻抗传输线、微带传输线及接地金属通孔。所述GaAs基FET开关管起直通或高通滤波器选择...
王超杰王睿蔡雪芳卢子焱
文献传递
一种降低GaAs材料杂质浓度的方法和GaAs材料的生长工艺
一种降低GaAs材料杂质浓度的方法和GaAs材料的生长工艺,涉及激光器材料领域。降低GaAs材料杂质浓度的方法,其通过对As源进行除气处理降低As源中的杂质含量,除气处理包括以下步骤:在第一温度下进行第一除气步骤,第一温...
蒋涛沈昌乐王雪敏吴卫东湛治强王新明彭丽萍黎维华邓青华阎大伟赵妍樊龙肖婷婷张颖娟孙亮
文献传递

相关作者

于红艳
作品数:82被引量:10H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 激光器 砷化镓 二氧化硅 刻蚀
米俊萍
作品数:16被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:HEMT器件 硅衬底 SI基 化学抛光 GAAS材料
范缇文
作品数:32被引量:24H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 分子束外延 X GAAS SI
李梦珂
作品数:20被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 HEMT器件 硅衬底 锗 SI基
李士颜
作品数:20被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 砷化镓 HEMT器件 硅衬底 锗