搜索到176篇“ GAAS表面“的相关文章
湿法刻蚀钝化对GaAs表面性能影响的工艺研究被引量:1
2024年
砷化镓(GaAs)是一种典型的Ⅲ-V族半导体材料,但材料本身缺少高质量的稳定钝化层,表面存在较高的表面态密度,最终影响GaAs基半导体器件的性能。采用多步湿法刻蚀钝化工艺降低了GaAs衬底的表面态密度,详细分析了不同酸溶液、酸溶液刻蚀时间、酸溶液浓度、酸溶液中有无双氧水(H2O2)、有无正十八硫醇(ODT)溶液对湿法刻蚀钝化工艺的影响,最终获得了一种光致发光(PL)强度提升为GaAs衬底初始PL强度3.02倍的多步湿法刻蚀钝化工艺。此外,通过快速荧光光谱仪、拉曼系统和能谱仪(EDS)对刻蚀钝化前后样品的中心波长、峰值强度、半峰全宽、特征峰和表面元素含量进行了表征。采用高分辨率扫描电镜(SEM)和亚纳米等级原子力显微镜(AFM)可以看出刻蚀钝化后GaAs衬底表面的微米级缺陷减少,表面杂质得到有效清除。
张亚磊兰云萍韩佳媛张洪榕邹永刚
关键词:表面化学
GaAs表面微纳结构及其制备方法和异质结太阳电池
本申请提出一种GaAs表面微纳结构及其制备方法和异质结太阳电池。一种GaAs表面微纳结构的制备方法,包括:对GaAs衬底进行清洗,然后在洁净的GaAs衬底表面旋涂一层耐稀酸的纳米微球;将带有纳米微球的GaAs衬底进行退火...
李国强郭建森郭超英莫由天刘沛鑫
GaAs表面清洗钝化工艺及其在半导体激光器中的应用研究
随着近几年的发展,半导体激光器在不同领域被广泛应用,人们对其性能的需求也随之提高。因此,半导体激光器自身的可靠性和输出功率成为当下研究的重点。然而,激光器腔面存在很高的表面态密度,当器件输出的功率较高时,腔面表面态会捕获...
张亚磊
关键词:半导体激光器COD钝化ODT
GaAs表面处理技术的研究进展及典型应用
2023年
GaAs表面处理技术可以极大程度降低表面氧化物和缺陷对GaAs性能的影响,使其具有更好的光学性质与电学性质,更大的增加了GaAs的应用范围。本文概述了湿法钝化、等离子体钝化、生成表面钝化膜三种表面处理方法的基本原理,综述了表面处理技术的国内外研究进展及近年来表面处理的具体应用。最后,结合现阶段表面处理方法的发展趋势对GaAs表面处理技术的应用前景进行了展望。
王东岳王登魁魏志鹏
关键词:表面处理GAAS
引入Si掺杂层调控InGaAs/GaAs表面量子点的光学特性
2023年
在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层,以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示,InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加,SQDs的PL峰值位置先红移后蓝移;PL峰值能量与激光激发强度的立方根依赖关系由线性向非线性转变;通过组态交互作用方法发现SQDs的PL峰位蓝移减弱;时间分辨荧光光谱显示了从非线性衰减到线性衰减的转变。以上结果说明Si掺杂能够填充InGaAs SQDs的表面态,并且改变表面费米能级钉扎效应和SQDs的荧光辐射特性。本研究为深入理解与InGaAs SQDs的表面敏感特性关联的物理机制和载流子动力学过程,以及扩大InGaAs/GaAs SQDs传感器的应用提供了实验依据。
刘晓辉刘景涛郭颖楠王颖郭庆林梁宝来王淑芳傅广生
关键词:时间分辨荧光光谱
GaAs表面微纳结构及其制备方法和异质结太阳电池
本申请提出一种GaAs表面微纳结构及其制备方法和异质结太阳电池。一种GaAs表面微纳结构的制备方法,包括:对GaAs衬底进行清洗,然后在洁净的GaAs衬底表面旋涂一层耐稀酸的纳米微球;将带有纳米微球的GaAs衬底进行退火...
李国强郭建森郭超英莫由天刘沛鑫
载流子注入对InGaAs/GaAs表面量子点光学特性的调控
InGaAs/GaAs表面量子点(Surface quantum dots,SQDs)受到表面费米能级的钉扎效应影响,具有II型能带结构量子点的荧光辐射特征,合理的改善和调控表面费米能级钉扎效应及关联的光电特性有助于开发...
刘晓辉
关键词:载流子注入
基于GaAs表面等离子体栅阵结构的太赫兹调制器
2023年
太赫兹波具有载频高、带宽大、频谱信息丰富等特点,其在高速通信、分子检测和生物医学成像等领域的潜力已得到广泛关注。太赫兹调制器是太赫兹检测系统中的关键器件,但是当前已报道的调制器都不能同时具备高效、高速、低插入损耗等特点。因此,提出并设计了一种基于GaAs肖特基二极管结合表面等离子体栅阵结构的电控太赫兹调制器。该器件将谐振腔和金属栅阵的电场增强效应相互叠加,大幅提升了器件的调制性能,实现了0.4~1.4 THz范围内多频点调制,最高调制深度约为80%,插入损耗低于10 d B,调制速度大于100kHz。
汪辰宇廖宇梅志杰刘旭东孙怡雯
关键词:光电子学肖特基二极管
基于液滴外延技术变Al、Ga组分对GaAs表面液滴生长形貌的影响
2022年
液滴外延技术不仅适用于晶格失配,也适用于晶格匹配材料系统,且易于制备低维半导体结构,如低密度量子点、环等.本文研究了液滴外延法在GaAs表面进行不同Al、Ga组分的量子点生长.在实验中用反射式高能电子衍射仪(Reflection High Energy Electron Diffraction, RHEED)对样品进行原位监控.通过控制Al、Ga液滴的沉积速率来控制液滴同时沉积在衬底上形成的组分.研究发现,随着Al组分的增加,量子点逐渐变得密集,润湿角变低.在Al组分增高超过0.5之后,出现了大小不一的量子点,且量子点密度出现指数型增长.对此进行研究分析,给出了一个经验公式,并就现象进行了解释.
李家伟丁召丁召李耳士宋娟蒋冲王一罗子江王一
关键词:成核
GaAs表面InAs量子环生长研究
本文利用液滴外延法在GaAs(001)衬底上制备InAs量子环结构。通过控制变量分别探究了沉积速率、沉积量、As束流压强对In液滴在GaAs表面生长各个过程中产生的影响,并通过改变衬底温度,探究InAs纳米结构从液滴状转...
李耳士
关键词:砷化铟量子环

相关作者

丁训民
作品数:75被引量:158H指数:8
供职机构:复旦大学
研究主题:砷化镓 多孔硅 GAAS 钝化 硫钝化
侯晓远
作品数:110被引量:226H指数:10
供职机构:复旦大学
研究主题:多孔硅 砷化镓 硫钝化 钝化 发光
曹先安
作品数:16被引量:32H指数:4
供职机构:复旦大学
研究主题:砷化镓 钝化 GAAS表面 砷化镓表面 GAAS
董阳
作品数:3被引量:0H指数:0
供职机构:复旦大学
研究主题:GAAS表面 光电子能谱 光电子能谱研究 硫钝化 砷化镓
陆卫
作品数:760被引量:660H指数:11
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:红外探测器 量子阱红外探测器 膜系 碲镉汞 多量子阱