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湿法刻蚀钝化对GaAs表面 性能影响的工艺研究 被引量:1 2024年 砷化镓(GaAs)是一种典型的Ⅲ-V族半导体材料,但材料本身缺少高质量的稳定钝化层,表面 存在较高的表面 态密度,最终影响GaAs基半导体器件的性能。采用多步湿法刻蚀钝化工艺降低了GaAs衬底的表面 态密度,详细分析了不同酸溶液、酸溶液刻蚀时间、酸溶液浓度、酸溶液中有无双氧水(H2O2)、有无正十八硫醇(ODT)溶液对湿法刻蚀钝化工艺的影响,最终获得了一种光致发光(PL)强度提升为GaAs衬底初始PL强度3.02倍的多步湿法刻蚀钝化工艺。此外,通过快速荧光光谱仪、拉曼系统和能谱仪(EDS)对刻蚀钝化前后样品的中心波长、峰值强度、半峰全宽、特征峰和表面 元素含量进行了表征。采用高分辨率扫描电镜(SEM)和亚纳米等级原子力显微镜(AFM)可以看出刻蚀钝化后GaAs衬底表面 的微米级缺陷减少,表面 杂质得到有效清除。 张亚磊 兰云萍 韩佳媛 张洪榕 邹永刚关键词:表面化学 GaAs表面 微纳结构及其制备方法和异质结太阳电池 本申请提出一种GaAs表面 微纳结构及其制备方法和异质结太阳电池。一种GaAs表面 微纳结构的制备方法,包括:对GaAs衬底进行清洗,然后在洁净的GaAs衬底表面 旋涂一层耐稀酸的纳米微球;将带有纳米微球的GaAs衬底进行退火... 李国强 郭建森 郭超英 莫由天 刘沛鑫GaAs表面 清洗钝化工艺及其在半导体激光器中的应用研究 随着近几年的发展,半导体激光器在不同领域被广泛应用,人们对其性能的需求也随之提高。因此,半导体激光器自身的可靠性和输出功率成为当下研究的重点。然而,激光器腔面存在很高的表面 态密度,当器件输出的功率较高时,腔面表面 态会捕获... 张亚磊关键词:半导体激光器 COD 钝化 ODT GaAs表面 处理技术的研究进展及典型应用 2023年 GaAs表面 处理技术可以极大程度降低表面 氧化物和缺陷对GaAs性能的影响,使其具有更好的光学性质与电学性质,更大的增加了GaAs的应用范围。本文概述了湿法钝化、等离子体钝化、生成表面 钝化膜三种表面 处理方法的基本原理,综述了表面 处理技术的国内外研究进展及近年来表面 处理的具体应用。最后,结合现阶段表面 处理方法的发展趋势对GaAs表面 处理技术的应用前景进行了展望。 王东岳 王登魁 魏志鹏关键词:表面处理 GAAS 引入Si掺杂层调控InGaAs/GaAs表面 量子点的光学特性 2023年 在InGaAs/GaAs表面 量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层,以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示,InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加,SQDs的PL峰值位置先红移后蓝移;PL峰值能量与激光激发强度的立方根依赖关系由线性向非线性转变;通过组态交互作用方法发现SQDs的PL峰位蓝移减弱;时间分辨荧光光谱显示了从非线性衰减到线性衰减的转变。以上结果说明Si掺杂能够填充InGaAs SQDs的表面 态,并且改变表面 费米能级钉扎效应和SQDs的荧光辐射特性。本研究为深入理解与InGaAs SQDs的表面 敏感特性关联的物理机制和载流子动力学过程,以及扩大InGaAs/GaAs SQDs传感器的应用提供了实验依据。 刘晓辉 刘景涛 郭颖楠 王颖 郭庆林 梁宝来 王淑芳 傅广生关键词:时间分辨荧光光谱 GaAs表面 微纳结构及其制备方法和异质结太阳电池 本申请提出一种GaAs表面 微纳结构及其制备方法和异质结太阳电池。一种GaAs表面 微纳结构的制备方法,包括:对GaAs衬底进行清洗,然后在洁净的GaAs衬底表面 旋涂一层耐稀酸的纳米微球;将带有纳米微球的GaAs衬底进行退火... 李国强 郭建森 郭超英 莫由天 刘沛鑫载流子注入对InGaAs/GaAs表面 量子点光学特性的调控 InGaAs/GaAs表面 量子点(Surface quantum dots,SQDs)受到表面 费米能级的钉扎效应影响,具有II型能带结构量子点的荧光辐射特征,合理的改善和调控表面 费米能级钉扎效应及关联的光电特性有助于开发... 刘晓辉关键词:载流子注入 基于GaAs表面 等离子体栅阵结构的太赫兹调制器 2023年 太赫兹波具有载频高、带宽大、频谱信息丰富等特点,其在高速通信、分子检测和生物医学成像等领域的潜力已得到广泛关注。太赫兹调制器是太赫兹检测系统中的关键器件,但是当前已报道的调制器都不能同时具备高效、高速、低插入损耗等特点。因此,提出并设计了一种基于GaAs肖特基二极管结合表面 等离子体栅阵结构的电控太赫兹调制器。该器件将谐振腔和金属栅阵的电场增强效应相互叠加,大幅提升了器件的调制性能,实现了0.4~1.4 THz范围内多频点调制,最高调制深度约为80%,插入损耗低于10 d B,调制速度大于100kHz。 汪辰宇 廖宇 梅志杰 刘旭东 孙怡雯关键词:光电子学 肖特基二极管 基于液滴外延技术变Al、Ga组分对GaAs表面 液滴生长形貌的影响 2022年 液滴外延技术不仅适用于晶格失配,也适用于晶格匹配材料系统,且易于制备低维半导体结构,如低密度量子点、环等.本文研究了液滴外延法在GaAs表面 进行不同Al、Ga组分的量子点生长.在实验中用反射式高能电子衍射仪(Reflection High Energy Electron Diffraction, RHEED)对样品进行原位监控.通过控制Al、Ga液滴的沉积速率来控制液滴同时沉积在衬底上形成的组分.研究发现,随着Al组分的增加,量子点逐渐变得密集,润湿角变低.在Al组分增高超过0.5之后,出现了大小不一的量子点,且量子点密度出现指数型增长.对此进行研究分析,给出了一个经验公式,并就现象进行了解释. 李家伟 丁召 丁召 李耳士 宋娟 蒋冲 王一 罗子江 王一关键词:成核 GaAs表面 InAs量子环生长研究 本文利用液滴外延法在GaAs(001)衬底上制备InAs量子环结构。通过控制变量分别探究了沉积速率、沉积量、As束流压强对In液滴在GaAs表面 生长各个过程中产生的影响,并通过改变衬底温度,探究InAs纳米结构从液滴状转... 李耳士关键词:砷化铟 量子环
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丁训民 作品数:75 被引量:158 H指数:8 供职机构:复旦大学 研究主题:砷化镓 多孔硅 GAAS 钝化 硫钝化 侯晓远 作品数:110 被引量:226 H指数:10 供职机构:复旦大学 研究主题:多孔硅 砷化镓 硫钝化 钝化 发光 曹先安 作品数:16 被引量:32 H指数:4 供职机构:复旦大学 研究主题:砷化镓 钝化 GAAS表面 砷化镓表面 GAAS 董阳 作品数:3 被引量:0 H指数:0 供职机构:复旦大学 研究主题:GAAS表面 光电子能谱 光电子能谱研究 硫钝化 砷化镓 陆卫 作品数:760 被引量:660 H指数:11 供职机构:中国科学院上海技术物理研究所 研究主题:红外探测器 量子阱红外探测器 膜系 碲镉汞 多量子阱