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一种提高SiGe HBT器件电学特性的Ge组分分布被引量：1: 2014年; 介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式。这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布。借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件下,相比于传统的Ge分布和其他文献中的Ge分布,该Ge分布极大地增加了器件厄尔利电压VA以及击穿电压BVCEO。同时,厄尔利电压增益积βVA分别提高了53%和91%,品质因子fT*BVCEO分别提高了10.3%和14.1%。; 张志华刘玉奎谭开洲崔伟申均张静; 关键词：SIGE HBT 击穿电压

Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响被引量：3: 2013年; 众所周知,双极型晶体管的设计主要是基区的设计.一般而言,基区的杂质分布是非均匀的.本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响,发现增益和截止频率具有正温度系数,体内温度较高.随后研究了基区Ge组分分布对这些器件参数的影响.均匀Ge组分分布和梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管增益和截止频率具有负温度系数,具有较好的体内温度分布.进一步的研究表明,具有梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管,由于Ge组分缓变引入了少子加速电场,不但使它的增益和截止频率具有较高的值,而且保持了较弱的温度敏感性,在增益、特征频率大小及其温度敏感性、体内温度分布达到了很好的折中.; 张瑜洁张万荣金冬月陈亮付强郭振杰邢光辉路志义; 关键词：温度特性 GE组分分布

不同基区Ge组分分布对SiGe HBT特性的影响被引量：3: 2013年; 研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210K～410K范围内对SiGe HBT特性的影响。借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流增益β,厄尔利电压VA,截止频率fT随着温度升高而降低;靠近基区发射结的Ge组分越高,β越大;基区Ge组分梯度升高,VA增大,fT增大。提出了一种优化的Ge分布,与传统Ge分布相比,该分布器件的电流增益β对温度的敏感性分别降低72.1%,56.4%和58.7%,扩大了器件的应用领域。; 张志华刘玉奎谭开洲崔伟申均张静; 关键词：SIGEHBT 电流增益截止频率

基区不同Ge组分分布的多指SiGe HBT热学特性: 2012年; 基于半导体器件仿真工具SILVACO TCAD,研究了三种常见的基区Ge组分分布(矩形、梯形和三角形)对多指功率SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的热学特性的影响。结果表明,基区Ge组分为梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT的增益随温度变化比较平缓,各发射极指的峰值温度明显小于矩形分布的各指峰值温度,器件纵向和表面温度分布也更加均匀,因此,与矩形分布相比,梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT在热学特性上有了很大的改善,电学特性也相对热稳定。在这三种结构中,梯形分布可以更好地兼顾增益特性和热学特性。; 张瑜洁张万荣金冬月陈亮付强赵昕; 关键词：HBT GE组分分布温度分布热学特性增益特性

基区Ge组分分布对SiGe HBT热学特性的影响: 2012年; 建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe HBT峰值温度较低、温差较小,温度分布的均匀性优于Ge组分矩形分布结构的SiGeHBT,具有更好的热特性。对不同Ge组分分布下器件增益与温度的依赖关系进行研究,发现当基区Ge组分为三角形和梯形分布时,随着温度升高,器件增益始终低于Ge组分矩形分布的器件,且增益变化较小,提高了器件的热学和电学稳定性,扩大了器件的应用范围。; 赵昕张万荣金冬月谢红云付强张东晖; 关键词：SIGE 异质结双极晶体管热学特性 GE组分分布

基区Ge组分分布对SiGe HBTs热学特性的影响被引量：4: 2012年; 基区Ge组分的加入可以改善SiGe HBT的直流特性、频率特性和噪声特性,但Ge组分及其分布对HBT热学特性的影响报道还很少.本文利用SILVACO半导体器件仿真工具,建立了多指SiGe HBT模型,对基区具有不同Ge组分梯度结构的SiGe HBTs的热学特性和电学特性的热稳定性进行了研究.研究发现,在Ge组分总量一定的条件下,随着Ge组分梯度的增大,器件的特征频率明显提高,增益β和特征频率fΤ随温度变化变弱,器件温度分布的均匀性变好,但增益变小;而基区均匀Ge组分(Ge组分梯度为零)的HBT的增益较大,但随温度的变化较大,器件温度分布的均匀性也较差.在此基础上,将基区Ge组分均匀分布和Ge组分缓变分布相结合,提出了兼顾器件热学特性、增益特性和频率特性的新型基区Ge组分分布-分段分布结构.结果表明,相比于基区Ge组分均匀分布的器件,新器件温度明显降低;β和fΤ保持了较高的值,且随温度的变化也较小,显示了新结构器件的优越性.这些结果对HBT的热学设计具有重要的参考意义,是对SiGe HBT性能研究的一个补充.; 赵昕张万荣金冬月付强陈亮谢红云张瑜洁; 关键词：热学特性 GE组分分布

增强多指SiGe HBT热学性能的Ge组分分布设计和变指间距技术研究: 功率异质结双极型晶体管（HBT）在微波功率领域具有举足轻重的地位。为了提高HBT的功率，通常采用多发射极指并联结构。每个发射极指的自加热效应及各个发射极指之间的热耦合效应，导致各发射极指之间的温度分布不均匀。而发射极指的...; 赵昕; 关键词：GE组分分布; 文献传递

基区Ge组分分布对SiGe pnp HBT的影响: 2006年; 采用SiGe异质结结构提高pnp晶体管的性能,重点研究了Ge组分在基区的三角形分布对晶体管电流增益β和特征频率fT的影响。三角形分布,又分为起点为零和不为零两种情况。同时为了消除集电结处SiGe异质结的价带势垒对空穴输运的影响,Ge组分向集电区延伸进一步提高了晶体管的性能。得到最大电流增益β可达150和特征频率fT可达15 GHz的pnp SiGe HBT,可以广泛地应用到通信、微波和射频领域。; 李立戴显英朱永刚胡辉勇; 关键词：SIGE PNP HBT

pnp型SiGe HBT特性与Ge组分分布的相关性: 2003年; 在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率。本文就基区中Ge组分分布的三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并对结果进行讨论,发现其他条件相同时,梯形分布的pnp SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge组分的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,而特征频率情况类似。; 王喜媛张鹤鸣戴显英胡辉勇; 关键词：HBT GE组分分布

高性能锗硅异质结器件击穿特性的研究: 2017年; 对高频下的SiGe HBT器件击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,分析了影响器件击穿特性的基区Ge分布与集电区掺杂浓度超结结构。在3种不同Ge分布下,仿真结果表明,基区Ge的均匀分布有利于提高击穿电压;同时将超结结构引入集电区后,SiGe HBT器件的击穿电压提高了36%,由2.5V提高到3.4V。; 陈繁谭开洲陈振中陈谱望张静崔伟; 关键词：GE组分分布击穿电压异质结双极晶体管

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