搜索到377篇“ HFO2薄膜“的相关文章
- 基于BaTiO3:Eu2O3和HfO2薄膜忆阻器的神经形态系统研究
- 随着人工智能和大数据的迅速发展,传统冯·诺依曼架构中存储和计算单元分离而造成的计算效率低的问题严重阻碍了神经形态计算技术的发展。忆阻器作为一种新型半导体存储器,由于其结构简单、电阻状态可控、功耗低、具有类生物的多种特性,...
- 张印星
- 关键词：人工神经元
- 正交相HfO2薄膜铁电性能的应变调控
- 因HfO材料具有优异的介电性能,上世纪70年代就开始了对其的研究。特别是,2011年发现Si掺杂HfO薄膜存在铁电性,引起了人们特别的关注。HfO薄膜制备的铁电存储器具有制备简单、没有污染,与硅工艺兼容;薄膜在5 nm厚...
- 陈建文
- 关键词：HFO2薄膜应变梯度
- Si:HfO2薄膜铁电相变及其电畴演变的相场理论研究
- 掺Si氧化铪薄膜铁电性的发现给铁电材料的变革带来了一大机遇。这是因为氧化铪薄膜不但在10nm厚度以下能保持铁电性，并且与CMOS工艺兼容。然而，在氧化铪薄膜中，铁电相是亚稳相，因此如何稳定铁电相，提高铁电性是研究的重点。...
- 邵宴萍
- 关键词：铁电相变
- HfO2薄膜制备工艺及其性能研究
- 随着科技的不断进步,人们对光电子器件在性能和尺寸方面要求日益提高,从而引发对纳米薄膜材料的研究热潮。二氧化铪（HfO2）薄膜因其具有透射率高、光学带隙大、介电常数高和热稳定性好等优点,成为人们关注的材料之一。如何进一步提...
- 赵恒利
- 关键词：HFO2薄膜磁控溅射原子层沉积
- 文献传递
- La:HfO2薄膜的制备与性能研究
- 随着人们对数据存储需求的增加，越来越多的存储器件应运而生。一直以来，铁电材料广泛应用于铁电隧道结和忆阻器等存储器件中。然而传统的钙钛矿型铁电体应用于硅基上有着许多困难，如尺寸效应，矫顽场较小，与CMOS工艺不兼容等。这些...
- 李晓飞
- 关键词：氧化铪铁电性
- 文献传递
- 退火对EBE,IBS和ALD沉积HfO2薄膜的抗激光损伤性能影响被引量：1
- 2020年
- 结合自身实验条件采用电子束蒸发(EBE)、离子束溅射(IBS)和原子层沉积(ALD)三种工艺制备了HfO2薄膜,对其进行退火实验,采用1064 nm Nd:YAG激光测定了即时沉积和退火后各HfO2薄膜的抗激光损伤能力。研究发现,ALD HfO2薄膜的激光损伤阈值最高,EBE HfO2薄膜次之,IBS HfO2薄膜的损伤阈值最低;300℃退火对各工艺薄膜抗激光损伤能力的影响均为负面,500℃退火则会显著降低ALD HfO2薄膜的抗激光损伤能力。
- 刘浩马平蒲云体赵祖珍
- 关键词：HFO2薄膜激光损伤阈值电子束蒸发离子束溅射
- 反应电子束蒸发HfO2薄膜的结构、光学、化学和抗激光损伤特性被引量：7
- 2020年
- 采用反应电子束蒸发技术在不同氧分压下制备了HfO2薄膜,并采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、椭圆偏振仪、X射线光电子能谱仪、1064 nm弱吸收测试仪、1064 nm激光1-on-1损伤测试系统等,对HfO2薄膜的结构、光学性能、化学组分、吸收性能、抗激光损伤特性和损伤形貌等进行了表征和分析。当沉积温度为200℃时,所制备的HfO2薄膜为单斜多晶结构,晶粒尺寸约为10 nm。随着氧分压升高,薄膜的氧化程度随之增大,由化学计量比缺陷主导的薄膜1064 nm弱吸收系数变小,同时薄膜结构变得疏松,折射率随之降低。深入研究后发现,在采用反应电子束蒸发技术制备HfO2薄膜时,提高氧分压有助于抑制膜内纳米吸收缺陷和基底亚表面裂纹,提高HfO2薄膜抗1064 nm激光损伤阈值,对制备出基于HfO2薄膜的高性能光学元器件具有重要的参考价值。
- 余振张伟丽朱瑞齐红基
- 关键词：氧分压
- 掺杂HfO2薄膜铁电性和磁电耦合效应的研究
- 在电介质晶体中，晶胞正负电荷中心不重合会导致出现电偶极矩，产生的电极化强度不等于零，因而材料具有自发极化的特性，晶体的这种性质叫铁电性。目前的铁电材料有千余种，其在微电子机械系统、射频识别系统以及半导体存储器件中具有广泛...
- 王美美
- 关键词：脉冲激光沉积法铁电性能退火工艺
- 文献传递
- 原子层沉积结合微波退火制备HfO2薄膜及其光电性能研究
- 随着科学技术的不断发展,人们对光电子器件、半导体器件在性能和尺寸上要求越来越高,从而引发对纳米薄膜材料的研究热潮。氧化铪（HfO2）薄膜因具备透射率高、光学带隙大、介电常数高和热稳定性好等优点,成为人们关注的材料。本文以...
- 李赛
- 关键词：原子层沉积HFO2薄膜光学性能电学性能
- Gd掺杂HfO2薄膜的电荷俘获存储与铁电特性研究
- 自氧化铪薄膜作为高介电常数栅介质材料成功用于45纳米及其以下节点集成电路CMOS器件以来,新型介电材料在逻辑器件和存储器件扮演着越来越重要的角色,如铁电负电容材料、电荷俘获层材料。钆掺杂氧化铪作为一种性能优异的介电材料具...
- 沈宇鑫
- 关键词：原子层沉积铁电材料
- 文献传递
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- 刘正堂
- 作品数：192被引量：700H指数：13
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- 研究主题：电子结构 第一性原理计算 第一性原理 光学性质 射频磁控溅射
- 范正修
- 作品数：503被引量：1,594H指数：19
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所
- 研究主题：光学薄膜 激光损伤阈值 激光损伤 多层膜 薄膜光学
- 刘文婷
- 作品数：27被引量：48H指数：4
- 供职机构：西安石油大学材料科学与工程学院
- 研究主题：射频磁控溅射 HFO2薄膜 磁控反应溅射 HFO 掺杂
- 邵淑英
- 作品数：37被引量：161H指数：9
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所
- 研究主题：薄膜应力 残余应力 镀膜 沉积温度 电子束蒸发
- 沈军
- 作品数：918被引量：3,388H指数：28
- 供职机构：同济大学
- 研究主题：气凝胶 溶胶-凝胶 快速凝固 碳气凝胶 溶胶-凝胶法
