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非对称高斯势量子点中LO声子自发辐射率的研究: 2019年; 本文在偶极近似下,基于费米黄金规则,采用LLP-Pekar幺正变换变分法研究了双参量非对称高斯势量子点(QD)中体纵光学(LO)声子的自发辐射率,并讨论了它的单参量抛物势近似,数值结果表明:声子自发辐射率w随电声耦合强度α、色散系数η的增加而减小,随高斯势阱深V0的增加而增大;声子自发辐射率w随高斯势阱宽L的变化呈现非对称"高斯分布"并受到电声耦合强度α、色散系数η和高斯势阱深V0的显著影响;选用双参量非对称高斯势VG描写QD中电子的受限效应能够反映声子自发辐射的更多量子化特性,而其单参量抛物势VP近似给出的结果较为简单和粗糙。; 辛伟尹洪武韩超额尔敦朝鲁; 关键词：量子点

Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱中电子-LO声子散射率被引量：1: 2017年; 基于费米黄金法则,理论计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱中第一激发态到基态的电子-LO声子的散射率,讨论了平均散射率随阱宽、温度及Mn组分的变化规律。结果表明:电子-LO声子的散射率随总初态能的增大逐渐减小;散射率和平均散射率随阱宽增大先增加后减小,最大值出现在20 nm阱宽附近,当阱宽大于等于20 nm时散射会发生"中断";散射率和平均散射率随温度的增加逐渐增大,温度较低时平均散射率的变化不明显,温度较高时变化显著;量子阱中电子-LO声子的平均散射率随Mn组分的增大逐渐减小。; 陈莎王海龙陈丽李正龚谦; 关键词：光电子学声子

Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱中电子-LO声子散射率的研究: Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体CdTe具有较宽的禁带宽度和直接跃迁的物理特性，宽禁带直接跃迁型半导体是发展光电子技术的理想材料,在固体发光、激光、红外探测和制作高速光开关等精密光学器件领域具有广泛应用。如果在CdTe中掺入具有磁性...; 陈莎; 关键词：光通信器件量子阱材料光学声子

磁场和LO声子效应对量子盘中强耦合磁极化子qubit的影响被引量：1: 2014年; 采用Lee-Low-Pines-Huybrechts变分法研究了外磁场、LO声子效应和量子点厚度对量子盘中电子-LO声子强耦合磁极化子的振动频率和qubit的影响,推导出磁极化子的振动频率λ,量子比特振荡的周期T0和电子的几率分布ρ的表达式。数值计算结果表明,磁极化子基态的振动频率大于激发态的振动频率,λ随ωc和α的增加而增大,随L的增加而减小;T0随受限强度ω0和量子盘厚度L的增加而增大,随电子-声子耦合强度α的增加而减小;ρ随ω0的增加而减小,随L的增加而振荡减小;T0和ρ随ωc和L的变化规律受ω0和α的影响显著。; 乌云其木格白旭芳; 关键词：量子盘磁极化子 QUBIT

Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率被引量：1: 2013年; 在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况下,随着N组分的增加,散射率和平均散射率增加;在N组分恒定的情况下,随着In组分的增加,散射率和平均散射率减小;随着温度的增加,在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大,在温度较高时随温度的增加而增加;随着阱宽的增加,散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值,然后再减小,最大值出现在阱宽200 A附近.计算结果对Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱在光电子器件应用方面有一定的指导意义.; 陈茜王海龙汪辉龚谦宋志棠; 关键词：GAAS量子阱 LO声子

多支LO声子作用对量子点中强耦合极化子基态能量的影响: 2012年; 本文采用线性组合算符和幺正变换方法研究了量子点中极化子的性质,得到了极化子的基态能量.考虑多支LO声子之间相互作用时,研究了多支LO-声子对量子点中极化子基态能量的影响.结果表明:极化子的基态能量随量子点受限长度的增大而减小;量子点受限长度随振动频率λ的增大而减小.在不同的量子点受限长度下,极化子的基态能量随量子点振动频率的减小而增大.考虑多声子相互作用时,基态能量的附加能量等于电子与多支声子耦合.; 李志新; 关键词：极化子量子点强耦合

极性半导体量子点中双极化子LO声子平均数的温度依赖性: 2012年; 采用Huybrechts线性组合算符法和Lee-Low-Pines变分方法研究了极性半导体量子点中双极化子性质的温度依赖性,推导出了量子点中双极化子的LO声子平均数的表达式。数值计算结果表明,双极化子的LO声子平均数随两电子间相对距离的增大或温度的升高而减小,随电子-LO声子耦合强度的增加而增大;两电子间的相对距离、电子-LO声子耦合强度和温度是影响双极化子束缚态稳定性的重要因素。; 乌云其木格韩超额尔敦朝鲁; 关键词：量子点温度依赖性

InGaN合金中LO声子-等离子激元耦合模的研究: 2009年; 分别采用532,488 nm可见光和325 nm紫外光激发,对金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的六方相InGaN/GaN薄膜样品在室温和78 K低温下的拉曼散射谱进行了研究。在可见光激发时,E2模和A1(LO)模的散射信号主要来自GaN层;采用紫外光激发时,A1(LO)模向低频方向移动且共振增强,此散射信号来自InGaN层。在可见光激发的情况下,在A1(LO)模的高频方向观察到一个宽峰,此宽峰为InGaN的LO声子-等离子激元耦合模,根据耦合模频率得到InGaN层中的电子浓度为ne=1.61×1018cm-3。紫外光激发时,没有观察到耦合模,A1(LO)模散射信号主要来自样品表面耗尽层,由此估算样品中的耗尽层宽度大约在40 nm。此外,还对比分析了在室温和78 K低温下LO声子-等离子激元耦合模的散射强度的变化规律,计算了不同温度下等离子激元的屏蔽波矢。这些结论对于了解InGaN材料的基本性质以及氮化物光电器件的开发利用都有重要参考价值。; 王瑞敏陈光德; 关键词：拉曼散射光谱

LO声子对强耦合表面极化子基态能量的影响: 2008年; 研究表面极化子的性质对极性材料的应用有着很重要的意义.本文对强耦合表面极化子,只考虑SO声子以及同时考虑SO声子和LO声子影响的两种情况进行了分析,并利用Landau-Pekar变分法计算了表面极化子的基态能量,画图比较了两种情况下基态能量的变化.; 徐磊郭振平; 关键词：LO声子强耦合极化子

考虑LO声子影响时电子和空穴的有效作用能: 2007年; 讨论极化晶体中LO声子与瓦尼尔—莫特激子的相互作用,考虑电子有效质量和空穴有效质量不相等情况下,电子和空穴的有效作用势能,并对结果进行讨论。; 霍海燕; 关键词：LO声子空穴

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