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SiO2薄膜大气压制备及铝硅酸盐玻璃成分解析: 二氧化硅(SiO)薄膜和SiO基玻璃是硅基氧化物的重要组成部分,在学科理论、行业前景、社会发展及国民经济等方面具有重要的研究意义。SiO薄膜因绝缘性能优异被广泛应用在传感器、半导体器件、微电子与集成电路、光电子与光学器件...; 王棋震; 关键词：铝硅酸盐玻璃

超亲水SiO2薄膜大面积制备及光学性能调控: 近年来,超亲水薄膜在海洋防污、油水分离、防雾、自清洁和智能材料等领域广泛应用。然而,其在大面积、均匀且具有成本效益的制备仍然具有挑战。超声喷涂法制备薄膜具有节省原料、操作简单、膜厚可控、基底选择广泛等优点。本论文基于超声...; 李四军; 关键词：SIO2 表面活性剂超亲水

MOS器件用非晶SiO2薄膜电子辐射及电子和质子综合辐射损伤: 电子元器件在航天器中广泛使用,元器件在太空复杂的辐射环境中,容易引起数据错误或器件损毁。已有广大学者对器件的辐照展开深入研究,但关于器件中常用的介质材料SiO薄膜的辐照研究,几乎没有学者涉及。本文采用不同注量和能量的电子...; 李继凯; 关键词：SIO2薄膜电子辐射

SiO2薄膜涂覆层数对304不锈钢抗高温氧化性能的影响被引量：1: 2021年; 为提高304不锈钢的抗高温氧化性能,以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用溶胶-凝胶法,在不锈钢表面制备了SiO2薄膜,通过氧化动力学,XRD,SEM和EDS分析,研究了涂覆层数对不锈钢900℃抗高温氧化性能的影响。结果表明,SiO2薄膜与不锈钢基体的附着性良好,促进了不锈钢表面发生选择性氧化,生成保护作用的Cr2O3和NiCr2O4氧化层,不锈钢的抗高温氧化性能显著提高,其中涂覆3层SiO2薄膜试样的抗高温氧化性能最佳,经900℃循环氧化100 h后氧化增重与氧化剥落仅为未涂覆试样的58.1%和41.4%。SiO2薄膜涂覆有效提高了不锈钢的抗高温氧化性能,是表面处理方法应用于高温环境的又一尝试,为溶胶-凝胶法制备其他薄膜提供了借鉴和参考。; 马静王瑞阳温宁; 关键词：材料失效与保护 SIO2薄膜高温氧化

栅介质用SiO2薄膜电子及重离子辐射缺陷研究: 各种类型航天器广泛使用电子元器件，在轨运行期间，以SiO2为栅介质的电子元器件对带电粒子辐照环境十分敏感。然而，目前缺少对SiO2栅介质材料辐射缺陷形成与演化机制的深入研究。本文选用不同能量的电子及重离子对不同钝化工艺的...; 马迎凯; 关键词：SIO2薄膜电子辐照重离子辐照栅介质; 文献传递

电子束蒸发SiO2薄膜的减散射特性研究: 随着现代高功率激光与精密仪器的快速发展，对光学薄膜的低散射损耗性能提出了更高要求，制备低散射损耗薄膜是高功率光学系统中的一个重要技术难点。SiO2是高功率光学薄膜最常用的低折射率材料，可与多种高折射率材料组合满足不同光谱...; 罗云峰; 关键词：光学薄膜粗糙度; 文献传递

3种SiO2基无机驻极体材料STBR、SPAP及SiO2薄膜的性能对比与研究被引量：1: 2020年; 运用热氧化和高温熔凝工艺在轻掺中阻硅片(ρ=8~13Ω·cm)上制备了3种无机驻极体:SiO2薄膜、SiO2-Ta2O5-B2O3-RO复合材料(STBR)以及SiO2-PbO-Al2O3-P2O5复合材料(SPAP)。实验结果显示,STBR为微晶结构,其材料介电常数高达~2000级别,而SPAP为非晶态结构,其介电常数小于3。恒压电晕充电后所有材料均可以获得与栅压相近的表面电位并在室温下保持一定时间;TSD热刺激放电显示3种材料的电荷输运特性各不相同,其中SiO2薄膜的负电流峰位于T=295℃并随充电温度的提高而向高温区漂移,正电流峰则显示异常,总电流谱呈多峰结构;而STBR和SPAP材料的电流谱则均为单峰结构,正负对称,其中STBR的主峰位于T=240℃,而SPAP的主峰位于T=290℃,基本不随充电温度的变化而改变,显示出完全不同的驻电特性,这表明它们是两种新型的无机驻极体复合材料。; 黄志强马雪涛顾宇杰; 关键词：二氧化硅驻极体

溶胶-凝胶法制备疏水SiO2薄膜: 超疏水薄膜因其具有良好的自清洁等功能已经被广泛应用于生产和生活中，尤其在太阳能领域。但是原料成本、制备方法等诸多因素限制了超疏水薄膜的开发与使用，此外薄膜还存在高透过率与超疏水无法同时兼得的问题。本文以正硅酸四乙酯（TE...; 王永; 关键词：超疏水薄膜溶胶-凝胶法接触角透过率; 文献传递

200mm重掺砷硅衬底APCVD法生长SiO2薄膜的应力特性研究: 随着半导体器件对硅片参数要求越来越高,硅片表面生长薄膜时产生的应力也越来越受到关注。200mm硅衬底在半导体器件制造中仍然占有很大比重,而重掺As硅衬底在基础器件制造中有非常广泛的应用。重掺As衬底在加工过程中在背面生长...; 王海涛; 关键词：硅衬底 SIO2薄膜应力

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