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单根ZnO:Ga微米带激光光源的构筑与性能研究: 紫外激光器以其独特的短波长和高能量密度的特点,在高科技行业中得到了广泛的运用,涵盖了微电子学、激光雷达、数据存储、光化学等众多领域。紫外激光器在制造超大规模集成电路芯片中也扮演关键角色,并且是微纳制造领域的理想光源。氧化...; 孙雨周; 关键词：P-GAN 激光二极管

一种基于n-ZnO:Ga/p-GaN异质结光电探测器探头的紫外光功率计: 本发明公开了一种基于n‑ZnO:Ga/p‑GaN异质结光电探测器探头的紫外光功率计，包括异质结光电探测器探头、差分I/V转换模块、ADC模块、MCU模块、OLED模块、电源模块。相较于现有技术，本发明通过制备n‑ZnO:...; 阚彩侠程冬平万鹏余梦鑫李文婕姜明明

一种PtNPs@n-ZnO:Ga/p-SiC异质结基自驱动紫外光电探测器及其制备方法: 本发明公开了一种PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑SiC异质结基自驱动紫外光电探测器及其制备方法，该发明所述PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑SiC异质结基自驱动紫外光电探测器包括p‑SiC衬底、PET、PtNPs@Zn...; 姜明明余梦鑫唐楷阚彩侠

一种PtNPs@n-ZnO:Ga/p-SiC异质结基自驱动紫外光电探测器及其制备方法: 本发明公开了一种PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑SiC异质结基自驱动紫外光电探测器及其制备方法，该发明所述PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑SiC异质结基自驱动紫外光电探测器包括p‑SiC衬底、PET、PtNPs@Zn...; 姜明明余梦鑫唐楷阚彩侠

ZnO:Ga微米棒紫外光探测器制备与性能分析: 氧化锌（ZnO）是一种新型半导体,具有直接宽禁带（禁带宽度3.37e V）、较大的激子束缚能（60me V）等优越的光学和电学性能,在光电子器件、生物医药、航空航天等许多领域具有广泛应用和发展前景。近年来,备受人们广泛关...; 余璐瑶; 关键词：水热法紫外光探测器响应度

ZnO:Ga纳米线阵列水热生长及其紫外光探测性能研究: 氧化锌（ZnO）是一种宽禁带半导体,在室温下的禁带宽度约为3.37eV,具有优越的光电性能,被认为是应用在紫外光探测器最有希望的材料之一。低成本、高性能的ZnO基紫外光探测器在许多重要领域具有广泛的应用前景和发展潜力,目...; 徐能昌; 关键词：水热法紫外光探测器探测率

一种ZnO:Ga激活的硼酸盐闪烁微晶玻璃及其制备方法和应用: 本发明公开了一种ZnO:Ga激活的硼酸盐闪烁微晶玻璃及其制备方法和应用。本发明的硼酸盐闪烁微晶玻璃的化学组成表达式为Li2B4O7‑x at％ZnO:Ga...; 马云峰吴金成郭超秦康孙鹏陈富裕徐家跃蒋毅坚

高稳定性ZnO∶Ga/InGaN异质结微型绿光发光二极管被引量：1: 2022年; 绿光光源可广泛应用于固态照明、可见光通信、电子显示、光遗传学等领域。相比于蓝光LED,高性能低维绿色发光器件的设计与制备受限于绿光效率低(Green gap)和高注入电流下效率下降(Efficiency droop)两个主要问题的困扰。本文采用化学气相沉积方法(CVD)生长镓掺杂的氧化锌微米线(ZnO∶Ga MW),结合p型InGaN衬底制备了n-ZnO∶Ga MW/p-InGaN异质结发光二极管。该器件的输出波长为540 nm,半峰宽约为32 nm,在相对较大的注入电流下,器件发光峰位、半峰宽等发光特征参数没有明显的变化,且相对外量子效率(REQE)在较大电流下呈现出相对较小的下降,体现了较高的发光稳定性。此外,利用金纳米薄膜改善了ZnO∶Ga微米线与InGaN衬底间的接触,实现了结区界面的优化,成功提高了发光二极管的发光强度。实验结果表明,采用n-ZnO∶Ga微米线结合p-InGaN衬底构筑的异质结可用于制备高稳定性高亮度的微型绿光发光二极管。; 林毅周雷范宝路于彦龙徐春祥; 关键词：铟镓氮

单根ZnO:Ga微米线异质结基紫外发光与激光器件研究: Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体氧化锌(ZnO)的禁带宽度为3.37 eV,室温下激子束缚能高达60 meV,是制造高效率短波长发光/激光二极管(LEDs/LDs)的理想候选材料之一。一维ZnO微/纳米线具有优越的电子输运和...; 周祥博; 关键词：P型GAN 异质结激光二极管单模激光

单根镓掺杂氧化锌微米线异质结基高亮黄光发光二极管被引量：1: 2022年; 基于半导体低维微纳结构构筑的可见光发光器件,特别是位于500~600 nm波段的黄绿光光源,因具有较高的发光效率、长寿命和低功耗等特点,在超高分辨率显示与照明、单分子传感和成像等领域有着广泛的应用价值。由于高性能低维黄绿色发光器件在发光材料制备、器件结构以及发光器件的“Green/yellow gap”和“Efficiency droop”等方面受到严重限制,极大地影响了低维微纳结构黄绿光发光器件的开发和应用。本文采用单根镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)微米线和p型InGaN衬底构筑了异质结基黄光发光二极管,其输出波长位于580 nm附近,半峰宽大约为50 nm。随注入电流的增加,光谱的峰位和半峰宽几乎没有任何变化,也没有观察到InGaN基光源中常见的量子斯塔克效应。器件相应的色坐标始终处于黄光色域范围。更为重要的是,器件的外量子效率在大电流注入下并没有出现较大的下降。结合单根ZnO∶Ga微米线和InGaN的光致发光光谱,以及n-ZnO∶Ga/p-InGaN异质结能带结构理论,可以推断该制备器件的发光来自于ZnO∶Ga微米线和InGaN结区界面处载流子的辐射复合,器件的Droop效应得到明显抑制。实验结果表明,n-ZnO∶Ga微米线/p-InGaN异质结可用于制备高性能、高亮度的低维黄光发光二极管。; 徐海英刘茂生姜明明缪长宗缪长宗王长顺阚彩侠; 关键词：铟镓氮外量子效率

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