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作品数： 5被引量：46H指数：3

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推拉电子取代基与二茂铁基的前线轨道相互作用被引量：6: 1997年; 根据5种二茂铁衍生物R-Fc-A_1(PⅠ)、A_1-Fc-A_1(PⅡ)、D-Fc-R(PⅢ)、D-Fc-A_1(PIV)、D-Fc-A_2(PV)(其中R=CH_2OH,A_1=CHO,A_2=CH=C(CN)_2,D=(C_(18)H_(37))_2N-C_6H_4-CH=CH)的电化学、电子吸收光谱及光谱电化学实验结果,分析了二茂铁基与推拉电子取代基之间前线轨道相互作用.发现吸电子取代基因其LU-MO(π_A)与(C_p^-)_2的e_(2u),e_(2g)能级相近,与二茂铁的e_(2u)((?)_(4u),(?)_(5u))和le_(2g)(d_(x^2-y^2),d_(xy))之间的强相互作用不仅使成键轨道(PⅠ,PⅡ,PⅣ,PⅤ的π_A+[(?)_(4u)]、d_(x^2-y^2)+[π_A])能级大幅度下降,而且也使非键轨道d_(xy)能级下降.推电子取代基因其HO-MO(π_D)与(C_p^-)_2的e_(lu)能级相近,与二茂铁的le_(lu)((?)_(2u),(?)_(3u))之间的强相互作用产生反键轨道(PⅢ,PⅣ,PⅤ的π_D-[(?)_(3u)])和成键轨道(?)_(3u)+[π_D].; 姜月顺柴向东杨文胜张东曹云伟诸真家李铁津J.-M.Lehn; 关键词：二茂铁衍生物

二茂铁衍生物光学特性的氧化还原开关效应被引量：14: 1997年; 设计合成了三种具有推拉电子取代基的二茂铁衍生物D-Fc-R(1),D-Fc-A_1(2),D-Fc-A_2(3)[D:(C_(18)H_(37))_2N-C_6H_4 CH=CH,R:CH_2OH,A_1:CHO,A_2:CH=C(CN)_2],并对其循环伏安及光谱电化学行为进行了研究.三种衍生物均出现两个氧化还原电对,1的两个电对均可逆.单扫第一电对,2的第一电对是可逆,3的第一电对是准可逆.D-Fc^+-R在613nm,D-Fc^+-A_1在705nm有强LMCT带,具有良好的光学特性氧化还原开关效应.; 柴向东张东姜月顺曹云伟杨文胜诸真家李铁津; 关键词：二茂铁衍生物光学

推拉电子取代基对二茂铁衍生物性质及电子结构的影响被引量：30: 1996年; 根据前线轨道理论分析３种具有推拉电子取代基的二茂铁衍生物循环伏安曲线、电子吸收光谱及光谱电化学行为，并给出了分子轨道能级图，实验结果表明，ＰⅡ有两对可逆氧化还原峰，Ｅ１、Ｅ２分别为０．３３、０．５９Ｖ，第一氧化态ＰⅡ＋￣（Ｄ—Ｆｃ￣＋—Ｒ）在６１３ｎｍ有强的ＬＭＣＴ（ｌｉｇａｎｄ－ｔｏ－ｍｅｔａｌ－ｃｈａｒｇｅ－ｔｒａｎｓｆｅｒ）带，是一种良好的光学特性氧化还原开关．ＰⅡ在３５４ｎｍ处出现强的ＬＭＣＴ带，ＰⅢ在３５６ｎｍ和３２０ｎｍ处分别出现强的ＬＭＣＴ和π→πＣＴ带，应具有较高的二阶分子极化系数，应当是较好的ＳＨＧ材料．; 柴向东姜月顺杨文胜张东曹云伟诸真家李铁津; 关键词：二茂铁衍生物电子结构光谱

SnO_2超微粒薄膜上醇的催化氧化被引量：1: 1990年; 等离子体化学气相沉积（PCVD）法可制备多孔柱状结构的SnO2超微粒非晶薄膜,本文研究了薄膜在真空吸附体系中的膜电阻和IR谱随温度变化特性及乙二醇、正丙醇、异丙醇、乙醇和甲醇的气敏灵敏度,提出SnO2薄膜上吸附氧O2-、O-对醇的氧化机理 1实验与结果自制PCVD装置抽空后充入40 Pa的O2,加高频出现辉光。; 姜月顺王雅静戴国瑞董玺娟汤大新诸真家李铁津; 关键词：二氧化锡薄膜催化氧化

金超微粒子氧化的XPS研究: 1989年; 本工作利用 PVD(Physical Vapour Deposition)法制备了金超微粒子,在高分辨电镜下观察了它的粒度和形貌,利用 XPS 研究了金超微粒子在低压氧气中辉光放电氧化和常温常压下放置于氧气中自然氧化的行为.结果表明辉光放电氧化的金超微粒子表面存在多重金氧化态的氧化物,其中包括 Au(Ⅰ)氧化物,Au_2O_3,表面氢氧化物和以前未曾报导过的 Au 至 Au(Ⅰ)之间的氧化物.氧的种类有晶格氧,原子氧以及表面羟基形式存在的氧.; 柴向东姜月顺诸真家肖良质李铁津关若男; 关键词：金超微粒子 XPS