徐仲英
作品数: 60被引量:51H指数:5
  • 所属机构:中国科学院半导体研究所
  • 所在地区:北京市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

许继宗
作品数:19被引量:11H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 自组织生长 砷化铟 MBE 光致发光
郑宝真
作品数:18被引量:9H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 光致发光 INGAAS/GAAS 自组织生长 砷化铟
罗向东
作品数:85被引量:114H指数:6
供职机构:南通大学
研究主题:光学性质 GAAS GAN X 光谱研究
吕振东
作品数:11被引量:21H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:自组织生长 砷化镓 砷化铟 INAS/GAAS 量子点
葛惟昆
作品数:53被引量:52H指数:4
供职机构:清华大学理学院物理系
研究主题:能级 外加磁场 测量方法 深能级瞬态谱 库仑阻塞