彭英才
作品数： 150被引量：415H指数：11
  • 所属机构:河北大学电子信息工程学院
  • 所在地区:河北省 保定市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:河北省自然科学基金

相关作者

马蕾
作品数：56被引量：88H指数：5
供职机构：河北大学
研究主题：SI纳米线 太阳电池 光致发光 纳米晶粒 NC-SI
傅广生
作品数：402被引量：687H指数：13
供职机构：河北大学
研究主题：脉冲激光烧蚀 光电子 纳米SI晶粒 电子陷阱 脉冲激光沉积
范志东
作品数：20被引量：32H指数：3
供职机构：河北大学电子信息工程学院
研究主题：SI纳米线 光致发光 光致发光特性 热退火 LPCVD
何宇亮
作品数：93被引量：321H指数：12
供职机构：南京大学物理学院物理学系
研究主题：纳米硅薄膜 纳米硅 硅 硅薄膜 H
王英龙
作品数：159被引量：257H指数：9
供职机构：河北大学
研究主题：脉冲激光烧蚀 纳米SI晶粒 激光烧蚀 SI 纳米SI
作品列表
GaN基蓝色发光材料与器件被引量：3
1997年
近年，作为绿色、蓝绿色、蓝色和蓝紫色发光材料，Ⅲ族氮化物，如ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ的研究引起了人们的广泛关注。本文主要介绍了ＧａＮ基蓝色发光材料与发光器件的制备、特性及其应用。
彭英才陈金忠傅广生
关键词：蓝色发光二极管蓝色激光二极管
多孔硅光致发光研究的最新进展被引量：1
1993年
目前关于多孔硅(PS)的光致发光研究已成为材料科学中的一个新的热点。本文介绍了PS的光致发光机理与特性研究的一些最新进展。
彭英才
关键词：多孔硅光致发光
多晶Si薄膜表面金催化Si纳米线生长被引量：1
2012年
以Au膜作为催化剂和大晶粒多晶Si薄膜为衬底,利用固-液-固生长机制,制备出直径在30～100 nm和长度为几百微米的高密度Si纳米线。实验研究了退火温度、生长时间和N2流量对Si纳米线生长的影响。结果表明,随着退火温度的升高,生长时间的延长和N2流量的增加,Si纳米线的长度和密度都显著增加。对不同生长时间下获得的Si纳米线样品进行了X射线衍射测量,结果显示随着生长时间的延长,多晶Si薄膜和表面的Au膜成分都在减少。光致发光谱则显示出弱的蓝光发射和强的红光发射特性,前者应是由非晶SiOx壳层中的氧空位发光中心引起,后者则应归因于Si纳米线芯部与非晶SiOx壳层之间界面区域附近中的Si=O双键态或非桥键氧缺陷中心。
马蕾郭延岭娄建忠彭英才
关键词：SI纳米线退火温度光致发光
实现受激光发射的Si基纳米材料与结构
2007年
提出了5类实现Si基激光器的增益介质材料,即具有强三维量子限制效应的纳米晶Si(nc-Si)薄膜,掺稀土发光中心Er的Si基纳米材料,具有预期人工改性的高纯体单晶Si,基于子带跃迁的SiGe/Si量子级联结构,以及具有受激Raman散射特性的SOI(silicon on insulator)光波导结构．评述了这些材料在近3～5年中在高效率光致发光(PL)、电致发光(EL)、光增益和受激光发射特性方面所取得的重要进展,并简要讨论了今后发展中存在的一些问题．
彭英才傅广生Zhao X．W．
关键词：无机非金属材料增益介质受激光发射
薄膜的光化学气相沉积被引量：4
1991年
光化学气相沉积(光 CVD)是一种继低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子体化学气相沉积(PECVD)之后的又一项新的低温成膜工艺。首先介绍了光化学气相沉积的物理基础,然后重点介绍了光化学气相沉积的实验方法,最后简要介绍了光化学气相沉积在薄膜制备中的一些应用。
彭英才
关键词：光化学气相沉积半导体
测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响被引量：3
1998年
利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用．
彭英才刘明何宇亮江兴流李国华韩和相
关键词：光致发光单晶硅氢化
提高Si量子点发光强度的途径被引量：1
2006年
探讨了提高Si量子点发光强度的可能途径。这些方法主要包括:采用高密度和小尺寸的有序Si量子点、光学微腔结构、表面钝化处理技术和稀土发光中心掺杂。
康建波彭英才简红彬马蕾张雷
关键词：发光强度光致发光电致发光
Si纳米线器件及其研究进展
2011年
Si纳米线是一种新型的准一维纳米半导体材料,具有独特的电子输运特性、场发射特性和光学特性等.本文对利用Si纳米线制备的各类电子器件,例如存储器、场效应晶体管、化学传感器和太阳能电池的研究进展做了简要评述.最后,对Si纳米线的应用前景进行了初步展望.
彭英才张志刚李俊颖娄建忠
关键词：SI纳米线
半导体超晶格与微结构的发展模式浅析——纪念半导体超晶格与微结构研究30年
1999年
半导体超晶格与微结构是半导体科学技术发展史上的一颗璀璨明珠。它的确立与发展不仅对现代信息科学技术,而且对低维物理、材料科学和纳米技术的发展,都产生了重要而深远的影响。今天,在崭新的21世纪来临之际,通过重温它的历史沿革和分析它的发展模式,进而揭示它的内在规律性,以此纪念半导体超晶格与微结构研究发展30年。
彭英才傅广生何宇亮
关键词：半导体超晶格微结构历史沿革
具有窄光致发光谱的纳米Si晶薄膜的激光烧蚀制备被引量：7
2005年
采用XeCl脉冲准分子激光器,在10Pa的Ar气环境下,烧蚀高阻单晶Si靶,分别在距靶3cm的玻璃和单晶Si衬底上制备了纳米Si薄膜.相应的Raman谱和x射线衍射谱均证实了薄膜中纳米Si晶粒的形成.扫描电子显微镜图像显示,所形成的薄膜呈均匀的纳米Si晶粒镶嵌结构.相应的光致发光峰位出现在599nm,峰值半高宽为56nm,与相同参数下以He气为缓冲气体的结果相比,具有较窄的光致发光谱,并显示出谱峰蓝移现象.
王英龙卢丽芳闫常瑜褚立志周阳傅广生彭英才
关键词：纳米SI晶粒脉冲激光烧蚀薄膜形貌光致发光
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