温亮
作品数: 17被引量:0H指数:0
  • 所属机构:复旦大学
  • 所在地区:上海市
  • 研究方向:自动化与计算机技术

相关作者

曾晓洋
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供职机构:复旦大学
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文海波
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抗单粒子反转的差分10管存储单元
本发明属于集成电路存储器技术领域,具体为一种抗单粒子反转的差分10管存储单元。其单元结构包括两对交叉耦合的PMOS对、两对交叉耦合的NMOS对及一对NMOS传输管,并且含有4个互锁的存储结点。其中,第一和第二个存储结点通...
温亮文海波周可基程旭曾晓洋
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一种支持列选功能的亚阈值存储单元
本发明属于集成电路存储器技术领域,具体为一种支持列选功能的亚阈值存储单元。该存储单元包括一交叉耦合反相器,一个由局部写字线控制的写晶体管,一个供电受列选字线控制的列选择反相器,及一个由读字线控制的读晶体管。当存储阵列进行...
温亮李毅曾晓洋
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双电压亚阈值电平转换器
本发明属于集成电路技术领域,具体为一种亚阈值电平转换器。其结构包括一个输入反相器,一个电平转换电路,一个输出反相器。其中输入反相器用于产生两个互补的差分输入信号;电平转换电路用于实现输入信号从低电压到高电压的电平转换,输...
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双胞胎存储单元
本发明属于集成电路存储器技术领域,具体为一种双胞胎存储单元。其单元电路包括一对结构完全相同的非对称的6管存储单元和一个共享的读晶体管;这对6管存储单元拥有不同的字线,共享一对位线和一个虚拟地结点;每个6管存储单元包含一对...
温亮文海波周可基程旭曾晓洋
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亚阈值6管存储单元
本发明属于集成电路存储器技术领域,具体为一种亚阈值6管存储单元。其单元结构包括一个反相器,一个存储PMOS管,一个电源反馈PMOS管及两个NMOS传输管。反相器与存储PMOS管交叉耦合,形成存储器的存储核心,并且它们的电...
温亮文海波周可基程旭曾晓洋
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单电压亚阈值电平转换器
本发明属于集成电路技术领域,具体为一种单电压亚阈值电平转换器。其结构包括两个串联的电平转换反相器。第一个反相器的输入与电路的输入相连,它的下拉网络由一个NMOS管组成,上拉网络由三个PMOS管构成,这三个PMOS管构成了...
温亮文海波程旭曾晓洋
双电压亚阈值电平转换器
本发明属于集成电路技术领域,具体为一种亚阈值电平转换器。其结构包括一个输入反相器,一个电平转换电路,一个输出反相器。其中输入反相器用于产生两个互补的差分输入信号;电平转换电路用于实现输入信号从低电压到高电压的电平转换,输...
温亮文海波程旭曾晓洋
一种负位线电压产生电路
本发明属于集成电路存储器设计领域,具体为一种负位线电压产生电路。其结构包括一个耦合电容,一个负责将耦合后的电平拉回“0”的下拉管,一个负责对下拉管栅极充电的预充管和一个负责放电的放电管,及两对反相器。其中一个反相器为低偏...
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具有位交叉功能的8管存储子阵列结构
本发明属于集成电路存储器技术领域,具体为一种具有位交叉功能的8管存储子阵列结构。其单元结构包括一个由传统的单端8管存储单元组成的mx1子阵列、一对分别受全局列选位线WBL及其互补位线WBLB控制的PMOS电源共享管和一对...
温亮文海波周可基程旭曾晓洋
亚阈值6管存储单元
本发明属于集成电路存储器技术领域,具体为一种亚阈值6管存储单元。其单元结构包括一个反相器,一个存储PMOS管,一个电源反馈PMOS管及两个NMOS传输管。反相器与存储PMOS管交叉耦合,形成存储器的存储核心,并且它们的电...
温亮文海波周可基程旭曾晓洋