黎建明
作品数: 48被引量:115H指数:6
  • 所属机构:北京有色金属研究总院
  • 所在地区:北京市
  • 研究方向:理学
  • 发文基金:国家高技术研究发展计划

相关作者

苏小平
作品数:84被引量:221H指数:10
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:化学气相沉积 数值模拟 VGF 锗单晶 硫化锌
杨海
作品数:44被引量:142H指数:6
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:ZNS CVD 锗单晶 锗 化学气相沉积
李楠
作品数:19被引量:87H指数:5
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:蓝宝石晶体 晶体生长 蓝宝石 数值模拟 锗单晶
屠海令
作品数:203被引量:306H指数:10
供职机构:国家工程研究中心
研究主题:硅 单晶 硅单晶 存储器 底电极
郑安生
作品数:30被引量:26H指数:4
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:单晶 GAAS 单晶生长 砷化镓 晶体
氧分压对掺钼氧化铟透明导电薄膜光电性能的影响被引量:4
2011年
采用射频磁控反应溅射法在k9玻璃衬底上制备了In2O3:Mo(IMO)透明导电薄膜,分析了不同氧分压条件下IMO薄膜的晶体结构、化学成分及光电性能。结果表明:不同氧分压下制备的IMO薄膜具有不同晶粒的取向性;随着氧分压的增加,薄膜的载流子浓度、载流子迁移率先增加后减小;薄膜的电阻率呈现先增加再减少然后再增加的趋势。在可见及近红外区,有氧气氛下制备的IMO薄膜的平均透过率大于80%以上,并随氧分压的升高而增大。
袁果黎建明张树玉刘伟闫兰琴
关键词:氧分压电学性能光学性能
一种研磨托盘
一种研磨托盘,它包括有一个金属盘体,所述的金属盘体是用铁质材料制成铁圆盘,在该铁圆盘的外表明镀有一层铬层,在铁圆盘的铬层的上表面设置有多个矩形的强力磁条。采用在铁圆盘的外表明镀有铬层,可以保护铁圆盘不被研磨加工时的冷冻液...
黎建明苏小平杨海李玉录霍承松
文献传递
含有补偿掺杂剂的GaAs激光窗口材料及其制备方法
本发明公开了一种含有补偿掺杂剂的GaAs激光窗口材料,该激光窗口材料是采用原料为Ga和As,经合成、拉晶而制成,其中,在合成前所采用的原料还有补偿掺杂剂氧化铬Cr<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>,补偿掺...
黎建明屠海令郑安生
文献传递
<100>P型4英寸无位错锗单晶的研制被引量:5
2018年
从4英寸无位错锗单晶的生长温度梯度条件出发,设计开发了直拉法生长4英寸无位错锗单晶的双加热器热场系统;并对其热场进行了一系列的数值模拟研究,获得了4英寸无位错锗单晶的温度分布、轴向和径向的温度梯度分布以及热应力的分布结果:双加热器热场系统生长的锗单晶中轴向温度梯度在0.1~0.6 K·cm-1范围内,径向温度梯度为0.02~0.26 K·cm-1;锗单晶中局部区域的热应力值超过了锗单晶的临界切应力1 MPa,其他区域的热应力小于临界切应力。实验将双加热器热场系统中生长的无位错锗单晶,按要求切取测试片后进行位错腐蚀测量研究,获得测试片的位错密度和锗晶体的位错纵向分布。论文研究结果表明,锗单晶晶体中的应力分布数值模拟预期结果与实验生长的锗单晶位错腐蚀实验研究结果一致:该双加热器热场系统适合拉制4英寸无位错锗单晶;其位错呈离散分布,位错密度为350~480 cm-2。
高欢欢黎建明冯德伸王霈文李葳
关键词:锗单晶温度梯度
气体湍流对泡生法生长蓝宝石单晶温场的影响被引量:2
2008年
本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对泡生法生长大尺寸蓝宝石单晶进行了计算机模拟。分析了气体压力对泡生法生长蓝宝石单晶的温场、气体速度场的影响。结果发现在气压P≥105Pa时,特别是在引晶初期,容易出现籽晶根部熔化,这在实验中得到了很好的验证,并提出了三种解决方案。
李金权苏小平那木吉拉图黎建明张峰翊李楠杨海
关键词:温场数值模拟
沉积温度、压力对CVDZnS晶粒尺寸及性能的影响被引量:2
2020年
通过控制H2S流量(2±1)L/min、氩气流量(35±2)L/min,在不同沉积温度[(650±10)、(670±10)、(700±10)℃]、不同沉积压力[(5000±200)、(7000±200)、(9000±200)Pa]工艺条件下采用化学气相沉积法制备出原生ZnS(CVDZnS)样品。利用X射线衍射、金相显微镜、Spectrμm100 Fourier红外变换光谱仪对CVDZnS样品分别进行了物相分析、微观晶粒形貌观察以及2~15μm波段的红外透过率测试。结果表明:CVDZnS主要以立方相形式存在,有少量六方相,沉积生长的优先取向为s(111);金相分析表明在沉积压力为(5000±200)和(7000±200)Pa时,随着温度的升高平均晶粒尺寸有增大趋势,最大平均纵向晶粒尺寸值为15.5μm。平均纵向晶粒尺寸和平均横向晶粒尺寸的比值越接近"1",对于提高材料弯曲强度越有利。确定了在沉积温度为(670±10)℃、沉积压力为(7000±200)Pa工艺条件下,制备的CVDZnS可以有效提高2~5、7~10μm的平均透过率(~72.15%),降低6.0μm左右的吸收。
魏乃光郭立杨海刘晓华田智瑞黎建明李冬旭蒋立朋李文江赵永田杨建纯
关键词:沉积温度光学性能力学性能
ZnSe基底7~14μm波段宽带增透膜被引量:5
2009年
简要叙述了7~14μm波段红外增透膜的膜料选择以及硒化锌基底上高性能红外增透膜的设计和工艺研究。介绍了离子辅助沉积技术沉积该膜的的工艺过程。给出了用该方法制备的7—14μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线,其峰值透过率高达98%以上,在设计波段范围内平均透过率大于97%,膜层附着性能好,光机性能稳定。这对于红外光学系统的应用具有十分重要的意义。
闫兰琴张树玉黎建明杨海苏小平余怀之刘嘉禾刘伟
退火对GaAs窗口晶体力学性能的影响
2004年
在 L EC Ga As晶片中 ,存在相当大的弹性应变 ,在高温退火后 ,晶片的晶格参数的相对变化量不到原生晶片的 70 % ,残余应力得以部分释放 ,从而减小残余应力诱生断裂的可能性 ,提高了 Ga As晶体的断裂模数 .原生 Ga As晶体加工的样品的断裂模数平均值约为 135 MPa,而退火 Ga As晶体加工的样品的断裂模数平均值更高 ,约为15 0 MPa,断裂模数最高值达 16 3MPa.
黎建明屠海令郑安生
关键词:GAAS断裂模数退火
化学气相沉积制备块体ZnS缺陷综述被引量:3
2017年
介绍了CVDZnS的应用背景及国内生产研发现状,并主要论述了CVDZnS中存在的各类缺陷。虽然相关学者已对六方相,Zn-H络合物,异常大晶粒,微裂纹等缺陷进行过相关研究,并提出了各缺陷可能的产生机理及抑制方法,但国内学术领域对CVDZnS部分缺陷问题仍停留在经验上的认识,存在诸多争议。本文除对以上缺陷进行总结补充外,还对关注相对较少的新型缺陷进行阐述与分析,共对六大类缺陷的影响及其产生机理进行界定,旨在为实际生产过程中改进生产工艺参数,探究各类缺陷抑制方法提供理论参考。涉及的材料表征手段包括XRD、SEM以及金相显微镜等。
杨德雨杨海李红卫霍承松魏乃光黎建明杨建纯李冬旭张鹏飞
关键词:CVDZNS
4英寸低位错锗单晶
苏小平杨海冯德伸黎建明李楠等
该项目属先进空间能源材料领域。4英寸低位错锗单晶主要用于制备超薄抛光片,用作空间高效GaAs/Ge太阳电池的衬底片,作为空间飞行器的主要电源。GaAs/Ge太阳电池是新一代空间太阳电池,它具有转化效率高、耐辐照性能好等优...
关键词:
关键词:太阳电池