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魏雄邦
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- 所属机构:电子科技大学
- 所在地区:四川省 成都市
- 研究方向:一般工业技术
- 发文基金:国家自然科学基金
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- 俞健廖家轩金龙魏雄邦汪澎尉旭波徐自强
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- 魏雄邦吴志明王涛蒋亚东
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- 采用直流反应磁控溅射法制备了厚度为500nm的氧化钒薄膜。采用X射线光电子能谱仪对制得的氧化钒薄膜进行了深度刻蚀分析。结果表明,随薄膜刻蚀深度的增加,薄膜内的氧钒比及钒离子价态发生了递变,当薄膜刻蚀深度小于80nm时,这一递变趋势尤为明显。认为这与氧化钒薄膜中各价态钒氧化合物的稳定性和薄膜的制备工艺密切相关。
- 魏雄邦蒋亚东吴志明廖家轩贾宇明田忠
- 关键词：氧化钒薄膜价态
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- 2013年
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- 关键词：钛酸锶钡薄膜钇介电特性
