-
陈永和
-

-

- 所属机构:桂林电子科技大学
- 所在地区:广西 桂林市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
- 李海鸥

- 作品数:348被引量:113H指数:6
- 供职机构:桂林电子科技大学
- 研究主题:功率器件 金属 等离激元 石墨烯 滤波器
- 李琦

- 作品数:237被引量:147H指数:7
- 供职机构:桂林电子科技大学
- 研究主题:功率器件 击穿电压 SOI 漂移区 埋层
- 张法碧

- 作品数:154被引量:86H指数:6
- 供职机构:桂林电子科技大学
- 研究主题:氧化镓 滤波器 可调谐 阵列结构 旋涂
- 肖功利

- 作品数:212被引量:111H指数:6
- 供职机构:桂林电子科技大学
- 研究主题:等离激元 滤波器 可调谐 谐振腔 阵列结构
- 翟江辉

- 作品数:63被引量:50H指数:4
- 供职机构:桂林电子科技大学
- 研究主题:功率器件 耐压结构 SOI 固定电荷 介质材料
- 一种基于阵列等离子体柱的可调谐光开关
- 本发明涉及一种基于阵列等离子体柱的可调谐光开关,解决的是法诺共振频率不可控和通过几何参数调节法诺共振时出现的可调自由度小的技术问题,从而使得光开关能够在不改变结构几何参数的情况下实现共振峰的连续动态可调,实现多阈值光开关...
- 李琦 杨天波 傅涛 安银冰 孙堂友肖功利陈永和张法碧 刘兴鹏李海鸥
- 文献传递
- 一种嵌入式结构可调短波段共焦纵向双焦点超透镜
- 本发明提出一种嵌入式结构可调短波段共焦纵向双焦点超透镜,首先在实现采样精度高而要求周期小的情况下,对结构单元采用1:1的嵌入式比例,可以降低深宽比的限制。根据广义斯涅尔定律求解出不同空间位置的相位,构建超透镜。数值分析表...
- 肖功利陈佳宇杨宏艳赖子凡周嗣童李海鸥陈赞辉张法碧陈永和刘兴鹏王阳培华
- 一种大面积转移制备纳米结构的方法
- 本发明涉及纳米结构技术领域,尤其涉及一种大面积转移制备纳米结构的方法,以Al作为基底,采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板,并对单通AAO多孔纳米结构模板进行两次旋涂,再采用排水法和干法刻蚀制备工艺制备得到双...
- 孙堂友曹乐李海鸥傅涛刘兴鹏陈永和肖功利李琦张法碧李跃
- 文献传递
- 一种多层堆叠的LDMOS功率器件
- 本发明公开一种多层堆叠的LDMOS功率器件,利用两个以上MOS器件单元堆叠所形成的双漂移区,而使得下方漂移区的顶部引入P重掺杂区和N重掺杂区,这样不仅增加一条新的电流路径,提升了开态时的工作电流;而且降低了下方漂移区栅漏...
- 李琦 党天宝李海鸥张法碧陈永和肖功利 傅涛 孙堂友黄洪 姜焱彬王磊
- 一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法
- 本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法,其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配,减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度,并且通过对外延材料采用高In组分In<Sub>...
- 李海鸥马磊李思敏首照宇李琦王盛凯陈永和张法碧肖功利 傅涛李跃常虎东孙兵刘洪刚
- 文献传递
- 一种阻变选择器及其制备方法
- 本申请提供一种阻变选择器及其制备方法,通过磁控溅射法在硅衬底上依次生长形成底电极、阻变层和顶电极,其中,底电极用于接地,阻变层作为介质层,在外加电场的作用下,薄膜材料能表现出两个不同的阻值,顶电极在电流作用下,通过氧化还...
- 张法碧李威周娟李海鸥孙堂友陈永和刘兴鹏李琦王阳培华廖清陈赞辉首美花彭英傅涛肖功利
- 应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM被引量:1
- 2023年
- 基于350 nm 2-poly 3-metal EEPROM工艺,设计了一种应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM存储器。在保证存储容量能满足大多数使用场景的情况下,通过优化Dickson电荷泵和读出电路的结构,实现电路版图面积的最小化,从而对整体电路实现低成本设计。优化后的Dickson电荷泵能实现10μs内从3.3 V到16 V的稳定升压,且功耗为334μW;读出电路基于检测NCG器件阈值电压的方式实现存储逻辑值的判别,该方法不需要能提供高精度电流的基准电路和具有高增益的灵敏放大器,有效降低了整体电路的面积。低成本2 kbit EEPROM的工作电压为3.3 V,能实现32位并行输入和1位串行输出,芯片总面积仅为0.14 mm^(2),有效降低了低频无源RFID设计复杂度和制造成本。
- 李海鸥刘耀隆朱蒙洁余新洁徐卫林陈永和翟江辉
- 关键词:射频识别
- 基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件
- 本发明公开一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件,在传统AlGaN/GaN HEMT器件中引入底部栅极,通过背栅与顶栅控制沟道,实现具有P沟道特性的HEMT器件。一方面,通过顶部栅极偏置电压,使得器件处于关断状态...
- 李琦王磊陈永和姜焱彬黄晓咪杨保争曾鹏何智超张锋
- 一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器
- 本实用新型公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器,包括衬底层、底电极层、第一阻变层、氧化层、第二阻变层和顶电极层。通过基于过渡金属硫族化合物的3层堆垛结构,一方面可以发挥该族二维材料的优势,优良的机械性和高透性使器...
- 孙堂友石卉涂杰刘云李海鸥傅涛刘兴鹏陈永和肖功利李琦张法碧
- 一种双光栅高效太阳能电池
- 本发明公开了一种双光栅高效太阳能电池,所述双光栅高效太阳能电池包括晶硅表面纳米结构光栅、背金属纳米结构光栅、吸收层和背金属层,所述晶硅表面纳米结构光栅位于所述吸收层的上表面,所述背金属纳米结构光栅位于所述背金属层的上表面...
- 孙堂友石卉曹乐李海鸥傅涛刘兴鹏陈永和肖功利李琦张法碧刘云涂杰