国家教育部博士点基金(20120181120063)
- 作品数：2 被引量：9H指数：2
- 相关作者：邹宇伍建春展长勇黄宁康蒋勇更多>>
- 相关机构：四川大学中国工程物理研究院洛阳船舶材料研究所更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：核科学技术电子电信更多>>
- 腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究被引量：3
- 2013年
- 采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整。当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨。
- 蒋稳邹宇伍建春展长勇朱敬军安竹杨斌黄宁康
- 关键词：中子探测器电化学刻蚀形貌
- 多孔硅阵列结构的形貌研究被引量：7
- 2013年
- 采用电化学腐蚀方法分别在HF+异丙醇(IPA)和HF+IPA+十六烷基三甲基氯化铵(CATC)溶液中制备多孔硅结构阵列,分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响。结果表明:在质量分数40%HF,H2O,IPA的体积比为7∶4∶29时得到优化的多孔硅阵列;腐蚀电流密度越大,孔壁越薄;初始的腐蚀会向外扩展直到形成的孔径达近10μm,在窗口8μm、间距5μm的硅片上腐蚀的孔壁表面出现小孔。CTAC的加入会使孔壁上刻蚀出小孔,并随着CTAC的增加,小孔的孔径减小,数量增加。
- 范晓强蒋勇展长勇邹宇伍建春黄宁康王春芬
- 关键词：中子探测器形貌异丙醇阳极氧化
