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国家高技术研究发展计划(2003AA302160): 作品数：28 被引量：207H指数：10; 相关作者：江风益方文卿戴江南王立蒲勇更多>>; 相关机构：南昌大学晶能光电(江西)有限公司教育部发光材料与器件工程研究中心更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划电子信息产业发展基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

N掺杂TiO_2光催化剂的制备及其可见光降解甲醛被引量：40: 2005年; 采用水解沉淀法制备了纯的和N掺杂的TiO2纳米光催化剂,并用二次离子质谱、X射线衍射、紫外-可见漫反射光谱、比表面积、透射电镜等技术进行了表征。以GaN基兰色发光二极管为光源,研究了催化剂光催化降解甲醛的活性。实验表明,在最佳反应条件下,N掺杂的TiO2纳米光催化剂在可见光下对甲醛有良好的光催化活性。; 彭绍琴江风益李越湘; 关键词：N掺杂二氧化钛光催化

Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构被引量：2: 2006年; 用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为108cm-2量级,其中多数为b=1/3〈1120〉的刃位错.; 李翠云朱华莫春兰江风益; 关键词：GAN SI衬底位错 TEM

常压化学气相沉积技术生长ZnO:H薄膜的光学性质被引量：1: 2006年; 采用常压金属有机物化学气相沉积技术(AP-MOCVD),以二乙基锌(DEZn)为Zn源,去离子水(H2O)为氧源,N2作载气,在外延ZnO薄膜的反应气氛中通入少量氢气,在c-Al2O3衬底上生长出了ZnO∶H薄膜。用X射线双晶衍射和光致发光谱对ZnO∶H薄膜的结晶性能和光学性质进行表征。结果表明,ZnO∶H薄膜(002)和(102)面的Ω扫描半峰全宽分别为46.1 mrad和81.4 mrad,表明该薄膜具有良好的结晶性能;室温下,ZnO∶H薄膜具有较强的紫外光发射(380 nm),在低温10 K光致发光谱中观测到位于3.3630 eV处与氢相关的中性施主束缚激子峰(I4)及其位于3.331 eV处的双电子卫星峰(TES)。采用退火的方法,通过观测I4峰的强度变化,研究了氢在ZnO∶H薄膜中的热稳定性。发现随着退火温度的升高,I4峰的强度逐渐减弱,表明在高温下退火,氢会从ZnO薄膜中逸出。; 李璠王立戴江南蒲勇方文卿江风益; 关键词：薄膜光学氧化锌光致发光

Different properties of GaN-based LED grown on Si(111) and transferred onto new substrate被引量：13: 2006年; InGaN MQW LEDs, grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) on Si(111) substrates, were successfully bonded and transferred onto new Si substrate. After chemical etching Si(111) substrate and inductively coupled plasma (ICP) etching the transferred LED film to Si-doped layer, a vertical structure GaN blue LEDs were then fabricated. The characteristics of the lateral structure LED (grown on Si) and the vertical structure LED (bonded on Si) were investigated. It shows the performance of ver- tical structure LEDs had obviously been improved compared to the lateral structure LEDs and the tensile stress in GaN layer of vertical structure LEDs is smaller than that in lateral structure LEDs.; XIONG Chuanbing JIANG Fengyi FANG Wenqing WANG Li LIU Hechu MO Chunnan; 关键词：WAFER

MOCVD生长GaN薄膜的实时干涉曲线分析被引量：2: 2005年; 金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长系统中通常用激光干涉曲线对材料生长进行实时监控。根据薄膜干涉原理,通过建立反射模型,对GaN薄膜的生长干涉曲线振幅的变化与其生长模式及表面粗糙度的关系进行了详细的阐述和分析。结果表明:干涉曲线中的振幅会随薄膜表面粗糙度的增大而衰减,其衰减程度与粗糙的变化快慢有关,根据材料的实时干涉曲线可揭示其在不同生长过程中的生长模式和定量分析样品表面粗糙度。; 李翠云朱华; 关键词：MOCVD 反射率粗糙度

ZnO外延膜与蓝宝石衬底的取向偏差及其弯曲变形被引量：3: 2005年; 采用常压MOCVD方法在Al2O3(00.1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜。由ZnO(00.2)面和Al2O3(00.6)面及ZnO(10.2)面和Al2O3(11.6)面X射线双晶ω/2θ衍射曲线的相对峰位,得到ZnO外延膜的晶格常数及外延层和衬底间的取向差异角。结果表明外延层和衬底在应力作用下产生了取向差和晶格畸变,并且取向倾斜方向与衬底的切割倾角方向一致;高温直接生长的样品的取向差比有低温缓冲层样品更大,晶格畸变也更严重。高温直接生长的样品弯曲半径小而应力更大;实验测量的应力值和理论计算的热应力值之间存在差异,原因主要是晶格失配应力的存在。有缓冲层的样品由于能更好地弛豫晶格失配引入的应力,热应力所占整个残余应力的比例相对更大。; 郑畅达方文卿王立莫春兰蒲勇戴江南刘卫华江风益; 关键词：氧化锌 X射线双晶衍射

Si衬底GaN基LED理想因子的研究被引量：9: 2006年; 首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec。硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行。; 刘卫华李有群方文卿周毛兴刘和初莫春兰王立江风益; 关键词：SI衬底 GAN LED

常压化学气相沉积法在Ag/Si(111)模板上生长ZnO薄膜及其性能研究被引量：7: 2006年; 在Si衬底上利用磁控溅射的方法沉积1.5 nm厚度的Ag膜用以阻挡Si衬底被氧化。采用常压金属有机化学气相沉积法(MOVCD),在Ag/Si(111)衬底上成功地生长出马赛克结构的ZnO薄膜。用光学显微镜观察表面形貌,结果显示有带晶向特征的微裂纹,裂纹密度为100 cm-1。依据X射线晶体衍射的结果,薄膜结晶质量良好,呈C轴高度择优取向。用双晶X射线衍射得到(002)面的ω扫描半峰宽为1.37°。温度10 K时光致发光谱(PL)观察到自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线。结果表明,金属有机化学气相沉积法方法在Si(111)衬底上制备ZnO薄膜时,Ag是一种有效的缓冲层。; 邵碧琳江风益戴江南王立方文卿蒲勇; 关键词：薄膜光学氧化锌 AG SI衬底

静电对Si衬底GaN基蓝光LED老化寿命的影响被引量：3: 2007年; 对几组本工程中心研制的S i衬底GaN基蓝光二极管(LED)施加了不同静电击打后,分别在30、50和70mA的驱动电流下进行了老化实验对比,施加静电电压分别为0、100、500和1 000 V。研究对比了1 000 V范围内的静电对S i衬底上GaN基蓝光LED老化寿命的影响,并对相关实验现象进行了分析。结果表明在1000V范围内施加不同的静电对其寿命没有明显的影响。; 乐淑萍郑畅达江风益; 关键词：SI GAN基蓝光LED 静电

Ag掺杂ZnO的第一性原理计算被引量：10: 2007年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究.研究表明,掺Ag导致晶格膨胀;在ZnO晶格中,杂质Ag最可能以替代Zn位出现,此时将形成一个深受主能级.文中的计算结果与其他研究者的实验结果相吻合.; 万齐欣熊志华饶建平戴江南乐淑萍王古平江风益; 关键词：ZNO AG 第一性原理电子结构

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