国家自然科学基金(60276030)
- 作品数：14 被引量：63H指数：4
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- 相关领域：理学电子电信核科学技术更多>>
- 室温半导体核辐射探测器新材料及其器件研究被引量：40
- 2004年
- 本文论述了室温半导体核辐射探测器新材料及其探测器的研究发展过程和最新动态,分别介绍了几种主要室温半导体核辐射探测器新材料晶体的组成、结构、性能及其探测器的制备技术,主要应用情况。结果表明:HgI2、CdZnTe和CdSe单晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料,用其制作的探测器,可在室温下广泛用于环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核武器突防、航空航天、天体物理和高能物理等领域。因此,近年来对大尺寸高质量HgI2、CdZnTe和CdSe单晶体及其室温核辐射探测器的研究,已成为高技术新材料领域的前沿研究课题。
- 朱世富赵北君王瑞林高德友韦永林
- 关键词：单晶体CDZNTECDSE
- 垂直布里奇曼法生长Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的位错分布研究
- 2008年
- 使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe(CZT)单晶体位错分布规律.实验中选择(110)面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-II腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错蚀坑密度,得到CZT单晶体位错密度的分布趋势.结合晶体生长工艺,运用完全弛豫弹性应力近似理论讨论了CZT晶体位错密度分布规律.
- 王智贤赵北君朱世富邱春丽李新磊何知宇陈宝军
- 关键词：CDZNTE晶体位错分布
- CZT单晶生长过程中的Zn分凝现象研究
- 采用改进的Bridgman法生长出φ20 mm×40 mm、外表无裂纹的Cd_(0.8)Zn_(0.2)Te(CZT)单晶体。沿晶锭轴向每隔1.2 cm取点,进行EDX、XRD测试。在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值...
- 李新磊赵北君朱世富邱春丽王智贤丁群何知宇陈宝军
- 关键词：碲锌镉晶格常数
- 文献传递
- 碲锌镉单晶体的正电子寿命研究被引量：2
- 2006年
- 用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷。刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃。
- 唐世红赵北君朱世富王瑞林高德友陈俊张冬敏何知宇方军洪果
- 关键词：碲锌镉正电子湮没技术退火
- 碲锌镉单晶片的退火方法被引量：2
- 2008年
- 探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究。利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善。XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的Cd组分含量有一定增加。采用该方法退火后,晶体品质有一定提高。
- 高德友赵北君朱世富唐世红何知宇张冬敏方军程曦
- 关键词：退火电阻率XRD红外透射谱
- Cd_(0.80)Zn_(0.20)Te晶体的生长及性能研究
- 2007年
- 用本实验室合成的Ca0．80Zn0．20Te多晶料为原料，采用改进的布里奇曼法在镀碳和未镀碳的石英安瓿中生长出Ca0．80Zn0．20Te晶锭。使用X射线衍射仪对合成产物及晶锭进行了分析，生长晶体的X射线衍射峰尖锐，摇摆谱对称，表明晶锭的结晶性能较好；用IRPrestige-21红外光谱仪分析了晶体的红外透射光谱，测试结果表明安瓿镀碳后生长的晶体位错密度小，均匀性较好，电阻率优于未镀碳安瓿生长的晶体；晶体的蚀坑密度在10^3-10^4cm^-2之间，比未镀碳安瓿生长的晶体低1个数量级。
- 方军赵北君朱世富何知宇高德友张冬敏程曦王智贤
- 关键词：碲锌镉晶体生长XRD红外光谱
- CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺被引量：5
- 2006年
- 报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响。先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光，然后分别用H2O2溶液和NH4F／H2O2溶液对晶片进行湿法钝化；再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响。结果发现：用NH4F／H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min，晶片表面形成一层完整的高阻氧化层，表面漏电流最小、晶体电阻率提高1-2个数量级，达到10^9-10 Ω·cm，适合探测器的制备。
- 张冬敏朱世富赵北君高德友陈俊唐世红方军程曦
- 关键词：表面处理漏电流电阻率形貌
- 碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察被引量：8
- 2004年
- 本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级。这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体。
- 高德友赵北君朱世富王瑞林魏昭荣李含冬韦永林唐世红
- 关键词：碲锌镉单晶体腐蚀坑布里奇曼法半导体材料
- CdZnTe晶体的缺陷能级分析被引量：4
- 2004年
- 通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器。另外还研究了CZT晶体在室温下的I V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω·cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am59.5keV能谱。
- 韦永林朱世富赵北君王瑞林高德友魏昭荣李含东唐世红
- 关键词：CDZNTE晶体布里奇曼法激活能电阻率
- CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察
- 利用CdZnTe晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面。采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀,得到了(111...
- 陈俊朱世富赵北君高德友魏昭荣李含冬韦永林唐世红
- 关键词：晶体生长布里奇曼法
- 文献传递
