您的位置： 专家智库 > 资助详情>哈尔滨市科技创新人才研究专项资金项目(RC2007QN009016)

哈尔滨市科技创新人才研究专项资金项目(RC2007QN009016)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：杨大伟王颖胡海帆程超更多>>
相关机构：哈尔滨工程大学更多>>
发文基金：哈尔滨市科技创新人才研究专项资金项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>
题名
作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇阈值电压
  • 1篇阈值电压解析...
  • 1篇解析模型
  • 1篇MOSFET
  • 1篇槽栅
  • 1篇槽栅MOSF...
  • 1篇TRENCH

机构

  • 1篇哈尔滨工程大...

作者

  • 1篇程超
  • 1篇胡海帆
  • 1篇王颖
  • 1篇杨大伟

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
相关度排序
短沟Trench MOSFET阈值电压解析模型
2008年
传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench MOSFET的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适,但是对于Trench MOSFET器件来说却显现出越来越多的问题,这是因为Trench MOSFET的沟道方向是垂直的,其杂质分布也是非均匀的。本文基于二维电荷共享模型,给出了Trench MOSFET的一种新的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律,模型的结果和器件仿真软件Sivaco TCAD的仿真结果吻合较好。该模型较好地解决了以往所用的Trench MOSFET阈值电压模型计算不准确的问题。
王颖程超胡海帆杨大伟
关键词：阈值电压解析模型
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0