中国科学院知识创新工程(KGCX2-YW-206)
- 作品数：5 被引量：25H指数：2
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- 相关机构：中国科学院中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家高技术研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 金属／陶瓷界面的第一原理热力学研究被引量：6
- 2009年
- 系统地阐述了用于金属/陶瓷界面稳定性研究的第一原理热力学方法。首先介绍了第一原理热力学方法的理论基础,在第一原理计算中引入了化学势的概念,通过连接能把第一原理计算值与热力学参数(活度,气体偏压)连接起来,构成了第一原理热力学计算的基本理论基础。其次给出了第一原理热力学方法用于金属/Al2O3界面研究的具体例子,如Ni/Al2O3的界面结构稳定性与环境变量活度、氧偏压和化学势差之间的定量关系,进一步阐述该方法的有效性。
- 李洪涛张文清
- 关键词：化学势活度偏压
- 超快大功率SiC光导开关的研究被引量：16
- 2008年
- 选用钒掺杂浓度为0．2at％的高质量6H-SiC晶体，电阻率为7．0×10^8Ω·cm，研制出超快大功率SiC光导开关．在脉冲宽度为20ns的光源激发下，分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性．结果表明：1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越，耐偏压高，光导电脉冲的上升时间快（6．8ns），脉宽〈20ns，稳定性好．负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大，在2．5kV的偏置电压下，最大瞬时电流约为57．5A，瞬时功率高达132kW．
- 严成锋施尔畏陈之战李祥彪肖兵
- 关键词：碳化硅半绝缘光导开关
- 氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用被引量：2
- 2009年
- 采用浓度为10%的氢氟酸(HF)刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响.经24h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压(I-V)曲线.低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线.X射线衍射(XRD)和俄歇能谱(AES)深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物.XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C元素是以非晶态存在.通过研究高温快速退火下元素的互扩散及HF与SiC表层反应机理,发现SiC表面富碳层是这两种方法形成欧姆接触的关键因素.
- 黄维陈之战陈博源张静玉严成锋肖兵施尔畏
- 关键词：欧姆接触SIC互扩散
- 组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响被引量：1
- 2010年
- 采用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质;膜厚从10nm增加到160nm,肖特基接触的电流-电压(I-V)曲线随膜厚发生显著变化.分析表明这种变化源于膜厚对理想因子n和有效势垒高度ФB的影响.1000℃快速退火后,这些肖特基接触都转变为欧姆接触,Ni2Si是主要的生成物.I-V曲线测试表明,Ni膜厚为30至70nm范围时能稳定得到性质较好的欧姆接触.证实了之前认为Ni/SiC高温退火后富碳层存在一个合适范围以形成良好欧姆接触的结论.
- 黄维陈之战陈义施尔畏张静玉刘庆峰刘茜
- 关键词：碳化硅肖特基接触欧姆接触
- 原料空隙率对6H-SiC晶体生长初期的影响被引量：1
- 2010年
- 生长准备中不同的装料方式导致原料的空隙率不同.在其它生长工艺参数保持一致的前提下研究了不同空隙率的原料(50%、55%、60%)对SiC晶体生长初期生长速率和结晶质量的影响.实验发现,在晶体生长初期生长速率随原料空隙率的增大而升高,过快的结晶速率导致晶体的结晶质量下降.同时利用有限元方法模拟了不同空隙率的原料(50%、55%、60%)在生长初期内部温度场分布、质量输运以及晶体生长速度.因为在生长温度下原料内的热量传输主要依靠SiC颗粒间的热辐射,所以空隙率增大会导致其等效热导率增大.模拟结果表明:60%空隙率的原料最短时间内达到稳态传热,初期晶体生长速率最大.模拟的结果合理地解释了原料空隙率对SiC晶体生长初期的影响规律.
- 刘熙陈博源陈之战宋力昕施尔畏
- 关键词：碳化硅生长速率有限元
