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河北省自然科学基金(2007000098)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：王勇杨克武张志国冯志宏杨瑞霞更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所河北工业大学更多>>
发文基金：天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇泄漏电流
  • 1篇离子注入
  • 1篇表面处理

机构

  • 1篇河北工业大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇冯震
  • 1篇宋建博
  • 1篇杨瑞霞
  • 1篇冯志宏
  • 1篇张志国
  • 1篇杨克武
  • 1篇王勇

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
表面处理与离子注入对GaN HEMT肖特基特性的影响
2008年
研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响。在栅金属化前,采用不同的表面处理方法进行实验,发现通过表面处理,栅肖特基特性得到一定的改善,但还不能从根本上解决漏电大、理想因子偏高的问题。进一步实验发现,硼离子注入才是导致栅肖特基特性变差的主要因素,通过对离子注入的优化,器件栅金属化后的理想因子减小到1.6,栅源反向电压为-20 V时,反向泄漏电流为2.8×10-6A。
宋建博杨瑞霞张志国王勇冯震冯志宏杨克武
关键词：表面处理离子注入泄漏电流
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