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国家科技支撑计划(2006BAA02A26)

作品数：2 被引量：2H指数：1
相关作者：李翀高飞张婷婷赵卫高山城更多>>
相关机构：西安电力电子技术研究所更多>>
发文基金：国家科技支撑计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇输电
  • 1篇特高压
  • 1篇特高压输电
  • 1篇通流能力
  • 1篇通态压降
  • 1篇阻断电压
  • 1篇晶闸管
  • 1篇高压输电
  • 1篇关断
  • 1篇关断时间
  • 1篇光控
  • 1篇光控晶闸管
  • 1篇UHVDC
  • 1篇触发
  • 1篇穿通
  • 1篇P

机构

  • 2篇西安电力电子...

作者

  • 1篇王正鸣
  • 1篇陆剑秋
  • 1篇罗艳红
  • 1篇高山城
  • 1篇赵卫
  • 1篇张婷婷
  • 1篇高飞
  • 1篇李翀

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
特高压晶闸管p^-层穿通和p^+层发射极结构设计被引量：2
2014年
基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计进行了理论分析并进行了工艺实验,测试结果表明,特高压晶闸管在不损失阻断电压(≥8 500 V)前提下,芯片厚度减薄0.05 mm、通态压降下降0.11 V,反向恢复电荷、dV/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到优化,研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)4 500 A/8 500 V特高压晶闸管,并成功应用于±800 kV/7 200 MW特高压直流输电工程中。
高山城罗艳红张婷婷赵卫高飞李翀
关键词：阻断电压通流能力通态压降关断时间
集成触发保护UHVDC光控晶闸管
2009年
设计制造了5英寸7.5kV光控晶闸管。采用中心对称P型变掺杂技术设计制造光敏区时,在从中心到阴极边界的区域内集成化引入了过电压及电压高上升率保护性触发功能,以及径向开通电流密度控制功能。该晶闸管在正向断态电压或其上升率超过安全限时,能自动进入安全的门极触发开通过程,使器件免受过电压击穿或局部dV/dt开通损毁。满足±800kV特高压直流输电(Ultra High Voltage DC,简称UHVDC)系统电路简化、可靠性高、稳定性高的应用要求。
王正鸣陆剑秋
关键词：光控晶闸管特高压输电触发
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