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一种基于卷积核用于光刻模拟的计算稀疏空间点光强的方法(英文)被引量：3: 2003年; 光学邻近校正 (OPC)系统要求一种精确、快速的方法来预测掩模图形转移到硅圆片的成像结果 .基于 Gabor的“降解为主波”方法 ,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似 ,并用高斯过滤器来模拟光刻胶横向扩散和一些掩模工艺效应 ,由此提出了一种基于卷积核的精确、快速地用于光刻模拟的稀疏空间点光强计算方法 .这种模型的简单性从本质上给计算和分析带来了好处 .; 史峥王国雄严晓浪陈志锦高根生; 关键词：光刻仿真光学邻近校正卷积核半导体

A Content-Driven Model-Based OPC Tool: ＜正＞With OPC technology s wide usage in UDSM and nanometer scale IC manufacture today,new OPC tool with higher ...; MA Yue; 关键词：RET OPC; 文献传递

基于模型的光学校正系统的设计与实现被引量：7: 2004年; 为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术.根据光刻机和光刻胶特性,模拟了实际的光刻过程.校正处理的核心是基于模型的掩模图形优化模块,通过调用光刻模拟器直接对输入待校正的掩模图形进行优化.最后通过对掩模版图的验证,保证校正后的掩模图形满足成像图形的精度要求.应用实例证明,该系统准确实现了版图的精确设计与校正.; 王国雄严晓浪史峥陈志锦; 关键词：光刻模拟光学邻近校正移相掩模

一种快速光刻模拟中二维成像轮廓提取的新方法被引量：15: 2002年; 在一种新颖的快速光刻模拟算法的基础上 ,提出了一种新的基于稀疏空间点光强计算的二维成像轮廓提取算法 .该算法能够根据版图特点合理选择采样线的位置 ,有效地确定轮廓线存在的范围 ,并根据在采样线上光强单调分布的特性来快速地搜寻轮廓点 .实验表明 ,这是一种快速高效的轮廓提取方案 ,能够适应光学邻近校正中巨大的运算量 .; 陈志锦史峥王国雄付萍严晓浪; 关键词：光刻光学邻近校正 OPC 集成电路

Architecture of a Post-OPC Silicon Verification Tool: ＜正＞ With the wider usages of OPC and PSM technologies in current UDSM IC manufacturing, a new step of verifyin...; Xiaolang Yan; 关键词：OPC; 文献传递

一种超深亚微米下IC光刻透射成像的快速算法: 2006年; 光学邻近效应校正(OPC)是下一代集成电路设计和生产的重要工具。但是在OPC中,为了寻找合适的掩模补偿图形,必须迭代计算大量的空间稀疏分布的试探点成像。在这里提出了一种基于卷积核的快速稀疏空间光强的光刻仿真计算方法。一个双线性光学系统分解成为一组空间域卷积核,并通过对版图的空间域卷积来计算空间光强。与采用Hopkins公式的SPLAT相比,这种方法能快速地计算空间光强。尤其对于大面积计算显得更为有效。; 付萍; 关键词：超深亚微米光刻光学邻近效应卷积核

一种用于光刻模拟的新光源模型: 2007年; 讨论提出用连续的光源描述函数代替0～1分布的光源函数精确描述光源光强分布，以提高光刻分辨率．在SPIAT的基础上应用新的光源特征函数，建立新的光源模型，并结合测试模板进行仿真．结果显示，新的模型在精度上有较为明显的改善，新光源特征函数有助于建立更为精确的光刻模型．; 李智峰史峥陈晔; 关键词：光刻仿真光源

基于密集采样成像算法的全芯片可制造性检查技术: 2005年; 分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technology, RET)在集成电路制造中的应用使得光刻用掩模图形日趋复杂, 而掩模制造成本和制备时间也随之增加. 由于光刻工艺包含了一系列复杂的物理和化学过程, 分辨率增强技术本身很难保证其输出结果的正确性, 因此在制造之前, 利用计算机对已经过处理的版图作可制造性验证变得十分必要. 文中介绍了光刻建模、成像模拟和问题区域查找的算法, 回顾和比较了当今流行的post-RET验证方法, 并阐述了基于密集采样成像算法(Dense Silicon Imaging, DSI)的可制造性验证的必要性. 并在密集采样成像算法的各个关键步骤提出了新的加速算法. 在新算法的帮助之下, 以往由于计算量太大而被认为不实用的基于密集采样成像的可制造性检查得到了实现.文章的最后部分给出了密集采样成像算法在实际中应用的例子和实验结果.; 严晓浪陈晔史峥马玥高根生; 关键词：成像算法可制造性光刻掩模分辨率增强技术芯片

一种适于快速OPC的精确光刻胶剖面仿真算法被引量：5: 2002年; 光刻仿真工具是描述实际工艺的有效工具。利用光刻仿真工具 ,能够准确地描述由掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸的变化。利用了改进的空间图像仿真及可变光强阈值模型来获得准确的硅片图形。改进的空间图像的基本思想是 ,用空间图像与一个高斯滤波器进行卷积 ,从而使图像较原来变得模糊 ,以此来模拟光刻胶的实际扩散效应。描述了一种适用于快速光学邻近校正 ( OPC); 王国雄史峥付萍陈志锦严晓浪; 关键词：光学邻近校正光刻仿真高斯滤波器集成电路

亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术被引量：4: 2006年; 讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨率辅助图形的结合使用,可以显著提高亚100纳米级版图线条的光刻分辨率,增大工艺窗口,降低版图成像对生产工艺参数的要求,对于解决亚波长光刻所带来的亚100纳米级集成电路成像质量下降的问题非常必要.; 李季史峥沈珊瑚陈晔; 关键词：离轴照明分辨率增强技术光刻模拟

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