国家自然科学基金(59702005)
- 作品数：9 被引量：34H指数：3
- 相关作者：王燕岳瑞峰廖显伯孔光临刁宏伟更多>>
- 相关机构：清华大学中国科学院复旦大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- a-SiN_x∶H薄膜的导电机制被引量：1
- 2001年
- 研究了a SiNx∶H薄膜的电导激活能与氮含量的关系。结果表明 ,随氮含量增加 ,样品表现出两种并行的电导机制 :欧姆机制与Poole Frenkel机制。采用两种电导机制拟合电流随温度变化曲线后得到了不同氮含量样品的电导激活能。由于氮在非晶硅中为施主类杂质 ,且具有特殊的结构组态 ,因而提出了一种调制掺杂模型解释了实验现象。
- 王燕岳瑞峰
- 关键词：氮化硅薄膜导电
- 高温退火前后低碳含量a-SiC_x∶H薄膜结构和荧光特性的研究被引量：3
- 2001年
- 采用Raman光谱 ,结合光致发光和X射线衍射测量对富硅a SiCx∶H薄膜的结构及荧光特性进行了详细研究。结果表明 ,刚制备的样品中由于硅和碳原子的电负性和原子尺寸的差异 ,出现了化学集团效应 ,即样品基本保持了a Si∶H中的网络结构 ,只有少量的Si—C键存在 ,碳主要以CHn 的形式与SiHn 和Si—C键一起作为硅团簇的边界。样品表现出较强的室温荧光 ,发光主要来自CHn,SiHn 和Si—C键边界区域对硅团簇中载流子的限制作用。样品在 12 5 0℃氮气中退火 1h后 ,不但有平均尺寸为 2 4 8nm的硅晶粒析出 ,还有少量的SiC晶粒析出 ,退火后样品的荧光峰较退火前有大的蓝移 ,且半高宽变窄 ,这与析出的SiC晶粒有关。
- 王燕岳瑞峰
- 关键词：微结构退火光致发光荧光特性光电子器件氮化硅薄膜
- 纳米晶粒Ag-TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性被引量：20
- 2001年
- 以物理气相沉积方法将TCNQ和Ag制备的金属有机络合物薄膜 ,在一定的工艺条件下可做到构成薄膜的晶粒直径为 40nm左右 ,粗糙度也为纳米量级。同时在大气及室温条件下 ,在STM电场的作用下薄膜可从高阻态转换为低阻态 ,作用点的直径约为 70nm。
- 叶钢锋严学俭潘钢张群章壮健华中一
- 关键词：银TCNQ纳米晶粒物理气相沉积
- 低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的Raman和荧光特性
- 2001年
- 采用Raman和荧光测量研究了低碳含量a Si1-xCx∶H(x≤ 2 0 % (原子比 ) )薄膜的结构特征 ,并选用两种不同波长的激光来激发这些材料。采用 6 47.1nm光激发时 ,由于激发光能量接近于各样品的光学带隙 ,因而在样品中具有较大的透射深度 ,而 488 0nm光激发时则被样品表面强烈吸收。探测深度的变化造成了Raman谱和荧光谱有较大的差异 ,这些结果一方面表明样品的表面存在一层高浓度的缺陷层 ,同时也证明样品体内存在着带隙的空间起伏 ,这两种空间的不均性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽 ,而荧光峰和半高宽则有小的蓝移和展宽。以上结果表明在a Si1-xCx∶H样品中 。
- 王燕岳瑞峰
- 关键词：碳化硅薄膜RAMAN谱
- a-SiN_x∶H薄膜的室温光致发光被引量：2
- 2000年
- 研究了a SiNx∶H薄膜中不同氮含量样品的室温光致发光。当x≥ 0 .5时 ,在室温下观察到了较强的室温荧光 ,而且随氮含量增加 ,发光峰能量与强度不断增加。首次发现在富硅 (x≤ 1.3)样品中存在两种荧光机制 ,其临界值位于x =0 .8。当x≤ 0 .8时 ,样品表现为与a Si∶H类似的荧光特性及温度特性 ;当x >0 .8时 ,荧光强度和峰位均有大的增加 ,归一化后的低温和室温的荧光谱几乎完全重合。最后 ,采用量子限制模型并结合渗流理论解释了实验现象。
- 岳瑞峰王燕李国华廖显伯王永谦刁宏伟孔光临
- 关键词：渗流理论
- 低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的化学键结构被引量：2
- 2001年
- 利用两种不同激发波长进行 Ram an测量 ,研究了低碳含量 a- Si1 - x Cx∶ H (～ <2 0 at.% )薄膜的结构特征 .采用 6 47.1nm激发时 ,由于激发光能量接近于各样品的光学带隙 ,因而在样品中具有较大的穿透深度 ;而采用488nm激发时 ,激发光被样品表面强烈吸收 .探测深度的变化造成了两种激发下 Raman谱出现较大的差异 .实验结果表明样品体内存在硅团簇结构 ,样品的自由表面存在一层高浓度的缺陷层 .这两种空间的不均匀性造成了高能激发时 Raman谱的 TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽 .以上结果证明不同激发波长将造成Ram an测量结果的差异 .
- 王燕岳瑞峰韩和相廖显伯王永谦刁宏伟孔光临
- 非晶氮化硅薄膜退火前后微结构的XPS研究被引量：3
- 2000年
- 用X射线光电子谱研究了由等离子体增强化学气相沉积方法制备的富硅a SiNx∶H(x≤ 0 .80 )薄膜的结构。实验中选取两类典型样品 ,x分别为 0 2 8和 0 80。对Si 2 p峰用两个高斯峰来拟合 ,结果表明样品中确实存在分凝现象 ,是由a Si原子团和位于其边界的富氮a SiNy∶H组成 ,其中y约为 1 5。随N含量增加 ,两相所对应的Si2 p峰的位置和半高宽均不发生变化 ,但两相相对强度的变化导致了Si 2 p峰向高能方向移动。 75 0℃高温退火后 ,样品中发生结构重组 ,对x =0 .2 8的样品 ,H释放后形成的硅悬挂键与N结合 ,使a Si相所占比例从 5 8 9%下降到 46 3% ,而且键角畸变增加引起各峰半高宽大大展宽 ;对x =0 .80的样品 ,高温退火使两个Si—N—H结合形成两个Si—N键并释放出氢 ,因此无论是两相比例还是半高宽均无大的变化 ,相应的 y增至 2。
- 岳瑞峰王燕廖显伯王永谦刁宏伟孔光临
- 关键词：X射线光电子谱
- 彩色PDP喷砂工艺的障壁层清除速率和工艺稳定性研究被引量：3
- 2000年
- 提出了彩色PDP喷砂工艺障壁层清除速率的测量公式和减小测量误差的方法 ,讨论了影响清除速率的相关参数及用清除速率定量控制喷砂工艺的条件。指出高耐磨并采用特殊设计的喷头是提高喷砂工艺稳定性和可控性的关键 ,小孔径圆柱状喷头不适用于大生产喷砂工艺。
- 刘忠安
- 关键词：彩色等离子体显示器
- a-SiN_x∶H薄膜退火前后微结构的Raman谱研究
- 2000年
- 采用微区Raman谱 ,并结合红外透射测量研究了等离子体增强化学气相沉积方法制备的不同氮含量的a SiNx∶H样品退火前后TO模及TA模与样品微结构的关系。结果表明 ,氮的引入主要影响了第二近邻以外的中等程序的有序度 ,因而随N含量增加 ,TA模相对于TO模的强度增加且频率有较大的蓝移 ,TO模的频率及半高宽则变化较小。N的引入使得样品在750℃ (高于a Si∶H的晶化温度 )退火时不能结晶。退火引起大量H的逸出 ,使得样品的缺陷态密度大大增加 ,导致TO模和TA模均有大的红移 ,TO模的半高宽也急剧增加 ,并且在 492cm- 1 出现了退火前较难观察到的代表Si3
- 岳瑞峰王燕韩和相廖显伯
- 关键词：RAMAN光谱微结构
