广东省自然科学基金(033177)
- 作品数：15 被引量：21H指数：4
- 相关作者：陆裕东王歆庄志强刘勇刘保岭更多>>
- 相关机构：华南理工大学信息产业部电子第五研究所更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程理学一般工业技术电子电信更多>>
- Ba_(1-x)K_xPbO_3系导电陶瓷的电性能研究被引量：5
- 2005年
- 采用Ba(OH)2·8H2O, Pb(CH3COO)2·3H2O和KOH为原料, 柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂, 采用溶胶凝胶工艺制备了K掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷, 讨论了不同的K受主掺杂浓度对BPO导电陶瓷的电导率和阻温特性的影响.实验结果表明: 采用Sol-Gel法获得了均一相、化学计量比的K掺杂BPO陶瓷;K-BPO陶瓷的室温电阻率随K掺杂量呈倒'S'形状变化, 当掺杂量为3%～5%(摩尔分数)时室温电阻率最低, 约为4.5×10-4 Ω·cm;另外, 与BaTiO3系PTC陶瓷不同, PBO陶瓷引入受主杂质K后, 不但可以降低材料的室温电阻率, 而且可以使材料呈现出一定的PTC效应.
- 陆裕东王歆庄志强
- 关键词：BAPBO3导电陶瓷阻温特性
- Sb掺杂BaPbO_3系导电陶瓷的制备及电性能被引量：5
- 2007年
- 以可溶性无机盐为原料,柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂,采用sol-gel工艺制备了Sb掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷,讨论了不同的Sb施主掺杂浓度对BPO陶瓷的电导率和阻温特性的影响。实验结果表明:采用sol-gel法获得了均一相、化学计量比的Sb掺杂BPO陶瓷;当施主掺杂量≤1 mol%,Sb-BPO陶瓷的室温电阻率随Sb掺杂量的增加而升高,当施主掺杂量≥1mol%,室温电阻率随Sb掺杂量呈“U”形变化,掺杂量为12 mol%-13 mol%时室温电阻率最低,约为2.69×10-4Ω.cm;BPO陶瓷引入施主杂质Sb后,不但可以降低材料的室温电阻率,而且可以使材料呈现出高温PTC效应,当掺杂量为5 mol%时,材料的升阻比最高,其居里温度TC约为850℃。
- 陆裕东王歆庄志强
- 关键词：BAPBO3陶瓷施主掺杂PTCR
- 前驱物性质对PMN-PT弛豫铁电薄膜制备的影响
- 2005年
- 以无机盐为原料,柠檬酸和EDTA为复合螯合剂,乙二醇为溶剂制备PMN-PT弛豫铁电薄膜,研究了复合金属有机盐前驱物的性质对薄膜结构和成膜质量的影响。结果表明:成膜的前驱物最佳浓度为0.35～0.40mol/L;苯甲酸添加剂参与溶胶的聚合,有利于钙钛矿结构相的形成。获得了均匀连续的近全钙钛矿结构相(≥99%)PMN-PT弛豫铁电薄膜。
- 王歆庄志强陆裕东
- 关键词：无机非金属材料SOL-GEL法PMN-PT钙钛矿
- 受主掺杂BaPbO_3晶体的缺陷化学模型
- 2007年
- 以高温平衡电导法测定高温平衡电导率随氧分压的变化为基础,具体分析了不同氧分压范围内主要缺陷类型——包括空穴、电子、氧离子空位、铅离子空位和杂质缺陷随氧分压的变化规律,通过一定的理论假设,建立了以空穴、电子、氧离子空位、铅离子空位和杂质缺陷为主要缺陷类型的受主掺杂BaPbO3材料的缺陷化学模型.
- 陆裕东王歆庄志强刘保岭
- 关键词：受主
- BaPbO_3与BaTiO_3多晶态陶瓷缺陷结构对比被引量：2
- 2007年
- BaPbO，是具有类金属导电特性的钙钛矿结构导电陶瓷，其晶体结构由Ba2＋和O^2-离子紧密堆积形成，pb^4＋离子占据由O^2-离子形成的八面体空隙。BaTiO3同为钙钛矿结构的陶瓷材料，由Ba^2＋和O^2-离子紧密堆积形成，Ti^4＋离子占据由O^2-离子形成的八面体空隙。BaPbO3和BaTiO3的A位离子相同,B位离子都为可变价离子。
- 陆裕东王歆庄志强刘勇
- 关键词：BAPBO3BATIO3
- BaPbO_3导电薄膜的制备、结构及性能研究被引量：7
- 2007年
- 以可溶性无机盐为原料,EDTA、柠檬酸、酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂,采用改进的溶胶-凝胶法制备了无裂纹、晶粒尺寸小且均匀分布的钙钛矿结构的BaPbO3导电薄膜．利用XRD、SEM和EDS表征方法结合薄膜方阻的测定,具体分析了Pb／Ba比和晶粒生长情况对BaPbO3薄膜导电性能的影响．实验结果表明: Pb／Ba比和晶粒生长情况是决定BaPbO3薄膜导电性的两个主要因素,Pb／Ba比的上升和晶粒的长大,都会提高BaPbO3薄膜的导电性能;热处理次数对BaPbO3薄膜方阻的影响与薄膜厚度有关．在700℃下保温10min的快速热处理方法,可以获得钙钛矿结构、薄膜方阻为5．86Ω·□-1的BaPbO3薄膜．
- 陆裕东王歆庄志强
- 关键词：陶瓷SOL-GEL
- 受主掺杂BaPbO_3中的非化学计量比被引量：1
- 2007年
- 采用高温平衡电导法测定了高温平衡电导率随氧分压(10^(-12)～10~5Pa)的变化曲线,由此确定了未掺杂和Al受主掺杂BaPbO_3陶瓷多晶体中的主导缺陷及其电荷补偿缺陷.同时讨论了受主掺杂浓度对材料的高温平衡电导率、高氧分压和低氧分压下主导缺陷转变点的影响,确定了受主掺杂BaPbO_3缺陷行为随掺杂量的变化机理.在高氧分压下,材料表现出本征缺陷行为,Pb离子空位占主导,电荷补偿缺陷为空穴;随着氧分压的下降,材料由本征缺陷控制区域进入非本征缺陷控制区域,受主杂质取代Pb离子空位占主导;在低氧分压区域,随着氧离子空位浓度的上升,氧离子空位取代空穴,成为受主杂质的电荷补偿缺陷.
- 陆裕东王歆庄志强刘保岭刘勇
- 关键词：受主
- 热处理对BaPbO_3薄膜化学组成及薄膜电阻的影响被引量：1
- 2007年
- 以可溶性无机盐为原料,乙二氨四乙酸、柠檬酸、酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂,采用溶胶-凝胶法在Al2O3基片上制备了钙钛矿结构的BaPbO3导电薄膜.利用X射线衍射和能量散射X射线能谱表征方法,并结合薄膜方块电阻的测定,探讨了热处理方式和热处理温度对薄膜化学组成及薄膜电阻的影响.研究表明,与常规热处理技术相比,采用快速热处理工艺制备BaPbO3薄膜需要更高的热处理温度,同时,随着热处理温度的升高,薄膜中的Pb/Ba摩尔比下降,导致薄膜方块电阻上升.采用常规热处理方法,在670℃下保温10min可以制备膜厚约2.5μm、薄膜方块电阻为32Ω/□的BaPbO3薄膜.
- 陆裕东王歆庄志强刘勇
- 关键词：溶胶-凝胶法化学组成方块电阻
- 受主掺杂铅酸钡陶瓷的缺陷补偿机理(英文)被引量：4
- 2007年
- 由非化学计量比引起的晶体缺陷是影响材料电学和光学性能的主要因素之一,而掺杂是造成材料非化学计量比的一个重要因素。在未掺杂铅酸钡(BaPbO3)缺陷化学研究的基础上,采用高温平衡电导法分析了铝(Al)受主掺杂BaPbO3的缺陷补偿机理,建立了受主掺杂BaPbO3的缺陷化学模型。具体分析了受主杂质对材料高温平衡电导率、高氧分压和低氧分压下的主导缺陷转变点的影响。在高氧分压下,受主掺杂BaPbO3的缺陷行为由本征缺陷所控制,受主掺杂对平衡电导率的影响不大。随着氧分压的下降,材料由本征缺陷控制转变为非本征缺陷控制,受主掺杂可以提高平衡电导率。在高氧分压和低氧分压区域的主导缺陷转变点因受主杂质的存在而向高氧分压方向移动。
- 陆裕东王歆庄志强
- 关键词：受主
- 基底性质对PMN-PT弛豫铁电薄膜晶体生长及相结构的影响
- 采用溶胶-凝胶技术,以可溶性无机盐为原料,柠檬酸和乙二铵四乙酸为复合螯合剂,形成溶解在乙二醇溶剂中的Pb-Mg-Nb-Ti金属复合有机盐前驱溶液。在不同材料的基底(不锈钢、玻璃和Al2O3基片/Pd-Ag、Pt 和Pt-...
- 王歆庄志强陆裕东
- 关键词：基底溶胶-凝胶法晶体生长
- 文献传递
