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国家自然科学基金(U1330136)

作品数：8 被引量：21H指数：3
相关作者：曲轶李再金高婷戴银谷雷更多>>
相关机构：长春理工大学海南师范大学中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金高功率半导体激光国家重点实验室基金吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体激光
  • 5篇半导体激光器
  • 2篇单量子阱
  • 2篇腔面
  • 2篇光纤
  • 2篇发光
  • 2篇发光特性
  • 2篇发光特性研究
  • 2篇INGAAS...
  • 1篇单模
  • 1篇单模激光
  • 1篇单模激光器
  • 1篇低功耗
  • 1篇钝化
  • 1篇增透
  • 1篇增透膜
  • 1篇窄线宽

机构

  • 8篇长春理工大学
  • 1篇海南师范大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 7篇曲轶
  • 3篇乔忠良
  • 3篇李林
  • 3篇刘洋
  • 3篇李再金
  • 3篇高婷
  • 3篇李特
  • 3篇谷雷
  • 3篇戴银
  • 2篇刘国军
  • 2篇王鑫
  • 1篇马骁宇
  • 1篇李辉
  • 1篇赵懿昊
  • 1篇刘素平
  • 1篇李尧
  • 1篇张晶
  • 1篇郑晓刚

传媒

  • 3篇中国激光
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 6篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
光纤端面宽带减反射膜制备被引量：2
2014年
为了提高高功率半导体激光器光纤耦合系统中光纤的透过率以及耦合效率，通过高精密研磨抛光技术处理光纤端面，选取高激光损伤阈值薄膜材料，优化膜系结构，采用直接光控技术和离子辅助沉积法，成功地在光纤芯直径为100um的多模光纤（MMF）端面上镀制了宽带减反射膜。测试结果表明，在900-1100nm波段光纤双端面光损耗降低6％，总透射率达到99．2％，有效提高了光纤耦合系统中光纤耦合效率。
高婷曲轶郑晓刚李再金
关键词：半导体激光器光纤端面增透膜
光谱稳定的低功耗980nm单模泵浦源半导体激光器被引量：5
2016年
由于在很多特殊应用领域要求980 nm泵浦源半导体激光器具有光谱稳定、低功耗等,本文通过对980nm单模半导体激光器的腔长、腔面反射率及光纤光栅反射率等优化设计,研制出低阈值、高功率980 nm光纤光栅外腔波长稳定半导体激光器。该低功耗、波长稳定的单模半导体激光器,在100 m A工作电流下尾纤输出功率达到51 m W,3 d B带宽为0.16 nm,边模抑制比大于40 d B,器件在250 m A工作电流下,尾纤输出功率达到120 m W。
李辉都继瑶曲轶张晶李再金刘国军
关键词：半导体激光器光纤布拉格光栅波长稳定低功耗
GaAs基半导体激光器真空解理钝化工艺研究被引量：3
2014年
对GaAs基半导体激光器真空解理钝化工艺进行了研究,发现在高真空条件下解理和钝化GaAs基半导体激光器能有效减少激光器腔面缺陷,从而抑制非辐射复合。通过测试光致发光(PL)谱线和X射线光电子能谱(XPS)发现,经过超高真空解理钝化的GaAs基半导体激光器bar条的光致发光特性比没有经过真空解理钝化获得比较大的提升,并且bar条表面污染率有很大改观。对真空解理钝化工艺的钝化膜的厚度进行了优化。
王鑫曲轶高婷徐正文赵懿昊刘素平马骁宇李尧
关键词：半导体激光器钝化腔面
窄线宽1064 nm分布布拉格反射半导体激光器被引量：4
2018年
1064nm分布布拉格反射(DBR)半导体激光器具有窄线宽、输出稳定的特性,在自由空间激光通信用种子光源等方面具有广阔的应用前景。设计了一种单模、窄线宽的1064nm DBR半导体激光器,利用金属有机化合物气相沉积技术生长出InGaAs应变量子阱半导体激光器材料,并制备出腔长为1200μm的脊型波导1064nm DBR半导体激光器。当注入电流为70mA时,室温下该激光器的连续输出功率可达到7mW,3dB光谱线宽为0.12nm。
贾宝山王皓李爱民王梦鹤都继瑶李辉李再金薄报学曲轶
关键词：激光器单模激光器脊型波导窄线宽
带有模式扩展层的小发散角激光器模拟研究
2014年
模拟了带有模式扩展层的半导体激光器,研究了中心波导层、扩展波导层和内限制层对激光器性能的影响。经过优化获得了一个条宽为50μm,远场发散角为23°,阈值电流为117.8mA,限制因子为2.37%的激光器。远场发散角最小可达到18°,此时阈值电流为200.9mA。与普通结构比较,优化后的结构远场垂直发散角减小了20°左右,阈值电流并没有明显增加,模拟计算表明模式扩展层没有降低激光器的电学和温度稳定特性。
戴银李林苑汇帛乔忠良谷雷刘洋李特曲轶
关键词：半导体激光器阈值电流
MOCVD生长1.06μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究被引量：3
2014年
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽(FWHM)的影响。发现在相同生长条件下,对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构,在GaAs(100)偏<111>A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大,半峰全宽较窄;量子阱层低温生长的样品发光强度更强;增大量子阱层V/III比可以提高样品的发光强度,同时PL谱峰值波长出现红移。
刘洋李林乔忠良苑汇帛谷雷戴银李特曲轶
关键词：INGAAS/GAAS量子阱偏向角
InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究被引量：2
2014年
利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15μm/h时,生长的量子阱PL谱较好,增加V/III比能够提高量子阱的发光强度。实验分析了在不同的In气相比条件下,生长速率对量子阱质量的影响,利用模型解释了高In气相比时,随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因。
戴银李林苑汇帛乔忠良孔令沂谷雷刘洋李特曲轶刘国军
关键词：金属有机化学气相沉积生长速率生长温度
GaSb基激光器腔面膜的材料选取及膜系设计被引量：2
2014年
为了提高GaSb基激光器腔面膜的反射率,根据有关薄膜设计理论并借助薄膜设计软件,设计出激光器腔面膜膜系.使高反膜在2.0～3.5 μm波段的理论反射率高于95％;增透膜在波长为2.5 μm处的理论透射率高于99％.并经过反复实验操作比较了实验与理论设计反射率曲线,结果表明,实验所得反射率能达到实际应用的要求.除此之外,还通过比较各种材料的特性,讨论了薄膜材料的选取.
高婷曲轶徐正文王鑫李再金
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