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上海市高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金(B01601)

作品数:4 被引量:4H指数:1
相关作者:汤乃云明安杰王跃林李铁季亚林更多>>
相关机构:上海电力学院中国科学院中国科学院研究生院更多>>
发文基金:上海市教育委员会重点学科基金上海市高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金上海市教育委员会创新基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇隧穿
  • 2篇极化效应
  • 2篇共振隧穿
  • 1篇大位移
  • 1篇电流
  • 1篇电流特性
  • 1篇电阻
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁共振
  • 1篇离子注入
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇极化电荷
  • 1篇共振隧穿二极...
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇二极管

机构

  • 4篇上海电力学院
  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 3篇汤乃云
  • 1篇陈效双
  • 1篇李铁
  • 1篇季亚林
  • 1篇王跃林
  • 1篇明安杰

传媒

  • 3篇功能材料与器...
  • 1篇物理学报

年份

  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
4 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
尺寸分布和界面混合对InAs/GaAs量子点光学性质的影响被引量:1
2008年
研究了自组织生长模式(S-K modes)下量子点尺寸的不均匀分布对量子点发光性质的影响,对其光致发光峰进行了拟合计算。研究发现,量子点尺寸的不均匀分布导致了量子点发光峰的展宽以及发光峰位的红移。另一方面,后处理工艺中的退火及质子注入引起的界面混合导致了量子点PL谱发光峰的蓝移及半高宽的减小。
汤乃云季亚林陈效双
关键词:量子点光致发光离子注入
垂直磁场下GaAs/AlAs/InGaAs应变RTD电流输运特性研究
通过研究垂直磁场对 GaAs/AlAs/InGaAs 应变 RTD Ⅰ-Ⅴ特性的影响,从实验上解释了Ⅰ-Ⅴ负阻区“平台”现象来源于发射极子能级和量子阱子能级之间的相互耦合。外加垂直磁场抑制电子共振能级隧穿,引起峰值电流随...
汤乃云
关键词:垂直磁场
文献传递
GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运以及极化效应的影响
2009年
通过理论计算研究GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运特性.理论结果表明在电流特性曲线上出现两个明显的自旋分裂峰.该电流自旋分裂峰和相应的自旋极化随温度的升高而逐渐减小消失.当进一步考虑到GaN异质结界面极化电荷影响时,自旋向下的电流共振峰得到明显增强,同时电流的自旋极化也得到相应的提高.在一定的极化电荷条件下,可以获得较高的自旋极化电流.
汤乃云
关键词:GAMNN铁磁共振隧穿极化效应极化电荷
大位移MEMS静电梳齿驱动器的设计及制作被引量:3
2009年
文章提出了一种大位移低驱动电压的MEMS静电梳齿驱动器,对器件进行了设计、模拟、制作以及测试。梳齿驱动器的侧向不稳定性即侧向吸合现象限制了梳齿驱动器的最大驱动位移,发现侧向稳定因子S,随支撑梁刚度比ky/kx以及梳齿间隙g的增加而增加,随梳齿交叠长度的增加而减小;而驱动器的驱动电压随梳齿间隙的增加而升高。在以上研究的基础上,提出了一种采用小间隙无初始交叠、长度线性递增梳齿结构和高纵/横向刚度比的预弯曲支撑梁结构的梳齿驱动器。器件测试结果表明,驱动电压71V时,可以达到100μm的驱动位移,进一步测试表明,驱动器的基模共振频率为573Hz,Q值为35.88。
明安杰李铁王跃林
关键词:MEMS侧向稳定性
极化效应对AlN/GaN共振隧穿二极管电流特性的影响
2009年
本文采用半经验紧束缚能带理论,通过自洽计算薛定谔方程和泊松方程研究了AlN/GaN共振隧穿二极管中极化效应对电流的影响。结果发现,极化效应导致电流曲线发生不对称性,并影响电流的共振电压位置,这与实验报道的结果相一致。并且随着极化电荷的增加,在一定的偏压条件下,只能观测到一个子能级隧穿或者根本没有负微分电阻现象发生。
汤乃云
关键词:共振隧穿二极管负微分电阻
共1页<1>
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