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江苏省科技支撑计划项目(BE20120070)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：王金周建军孔岑陈堂胜倪金玉更多>>
相关机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金江苏省科技支撑计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低温合金
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇外延层
  • 1篇减薄
  • 1篇合金
  • 1篇HEMT

机构

  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇刘涛
  • 1篇倪金玉
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇孔岑
  • 1篇周建军
  • 1篇王金

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究
2013年
研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及合金温度550°C时,得到接近传统高温合金条件下的接触电阻,最小值达到0.76Ω.mm,同时实现的欧姆接触电极具有良好的形貌。该技术有望应用于高频、高功率GaN HEMT的工艺。
王金孔岑周建军倪金玉陈堂胜刘涛
关键词：低温合金欧姆接触
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共1页<1>
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