您的位置: 专家智库 > >

上海市科委科技攻关项目(055211005)

作品数:4 被引量:10H指数:2
相关作者:刘茜刘庆峰朱丽慧王利陈伟更多>>
相关机构:中国科学院宝钢集团中央研究院上海大学更多>>
发文基金:上海市科委科技攻关项目更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 3篇耐腐蚀
  • 3篇耐腐蚀性
  • 3篇耐腐蚀性能
  • 3篇腐蚀性
  • 2篇力学性能
  • 2篇耐蚀
  • 2篇技术应用
  • 2篇合金
  • 2篇合金材料
  • 2篇力学性
  • 1篇英文
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束溅射
  • 1篇耐腐
  • 1篇耐蚀性
  • 1篇溅射
  • 1篇ZN-AL

机构

  • 4篇中国科学院
  • 3篇上海大学
  • 3篇宝钢集团中央...
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 4篇刘庆峰
  • 4篇刘茜
  • 3篇王利
  • 3篇朱丽慧
  • 2篇归林华
  • 2篇陈伟
  • 1篇霍伟亮
  • 1篇张静玉

传媒

  • 2篇物理化学学报
  • 1篇空间科学学报
  • 1篇科技导报

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
组合法优化Ti掺杂Zn-Al合金薄膜的耐腐蚀性能(英文)被引量:3
2009年
应用组合技术,通过离子束溅射法制备了Zn-Al-Ti合金薄膜材料芯片(其中wAl∶wZn=55%∶45%(w,质量分数)),表征了热处理后薄膜的耐腐蚀性能,研究了Ti掺杂量对薄膜耐腐蚀性能的影响.在Ar+5%(φ,体积分数)H2混合气氛中,经200℃扩散1h,再经370℃热处理2h后可以得到高质量的合金薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对热处理后的典型样品进行相结构和形貌表征.使用电化学方法测试样品的耐腐蚀性能.结果表明,Ti适量掺杂样品的腐蚀速率明显下降,其中Ti掺杂量为6.0%(w)的Zn-Al-Ti合金薄膜(94.0%(w)Zn-Al,其中wAl∶wZn=55%∶45%)具有最优异的耐腐蚀性能,其原因在于,Ti适量掺入后晶粒明显细化,表面更为致密,且钝化作用增强.
张静玉刘庆峰刘茜
关键词:耐腐蚀
组合材料芯片技术应用及Zn-Al合金镀层材料优选被引量:1
2009年
基于组合材料芯片技术原理,通过离子束溅射方法,在低碳钢基片上快速制备了全组份范围的二元Zn-Al薄膜材料样品库,研究了不同热处理条件对薄膜组份互扩散过程的影响.使用XRD及EDS等手段表征薄膜的成分和结构,并采用原子力显微镜和透射电子显微镜观察形貌;使用纳米压痕仪测试材料芯片样品的压痕硬度和弹性模量;使用电化学方法测试平衡电位和极化电阻.在获得薄膜材料样品组成-结构-性能(力学性能和耐腐蚀性能)关联特性的基础上,对具有良好力学性能和耐腐蚀性能的二元Zn-Al合金镀层材料提出了成分设计和优化方案,即选择兼具良好力学性能和耐蚀性能的Al-Zn镀层材料,成分配比应控制为约30at%Zn含量.
刘茜陈伟刘庆峰归林华朱丽慧王利
关键词:力学性能耐腐蚀性能
耐蚀Zn-Al合金材料的组合材料芯片方法优选被引量:2
2008年
应用组合材料芯片方法,通过离子束溅射法制备了全组分范围的Zn-Al薄膜样品阵列.沉积得到的多层薄膜经370℃扩散处理2h形成合金薄膜.通过扫描俄歇能谱仪(AES)、X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)对样品的成分、结构和形貌进行表征.结果显示,在低温退火后,合金薄膜成分均匀,结晶良好,表面致密.材料芯片上的样品在0.1mol·L-1氯化钠溶液中的极化电阻测试结果表明,对于全组分的Zn-Al合金薄膜,Al摩尔分数在87%附近的成分具有最高的极化电阻值.进一步的实验发现,在83%-86%这一较宽的摩尔分数区间内,极化电阻值均保持在105Ω·cm-2以上,比传统热镀锌镀层的极化电阻高1个数量级.
霍伟亮刘庆峰刘茜朱丽慧王利
关键词:耐腐蚀性能离子束溅射
组合材料芯片技术应用最新进展——新型合金材料的快速发现和优选被引量:4
2007年
综述了国内外在组合材料芯片技术研究和应用领域的最新进展。近年来,随着微小样品的结构和成分检测系统、纳米压痕测试系统等的发展,先进组合材料芯片技术在合金材料研究领域的应用日益深入,包括精细相图研究、合金的力学/磁学/耐蚀性能等研究,充分展示了组合方法在新型合金材料研发进程中所表现的快速和高效双重特点。
刘茜陈伟刘庆峰归林华朱丽慧王利
关键词:力学性能耐蚀性
共1页<1>
聚类工具0