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PFCVAD系统靶负压对硅基ZnO薄膜结构及应变的影响被引量：1: 2009年; 采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积（pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD）系统,以Si（100）单晶片为衬底,在衬底温度300℃、氧气压力4.0×10-2Pa的条件下制备出了c轴择优取向的ZnO薄膜。通过原子力显微镜（AFM）和X射线衍射（XRD）技术对ZnO薄膜的表征,研究了靶负压对ZnO薄膜结构和应变的影响。研究结果表明,不同靶负压条件下ZnO薄膜的晶粒大小分布在16.7~39.0 nm之间,靶负压对薄膜表面结构影响较小不同靶负压条件下ZnO薄膜都呈张应力,且张应力随靶负压的增大而增大。; 于鹏赵勇马力盛广沪赖珍荃唐建成; 关键词：ZNO

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江西省教育厅科技计划项目(GJJ09424)