国家自然科学基金(60476008)
- 作品数：11 被引量：16H指数：3
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- TMGa流量对玻璃衬底上低温沉积GaN的影响被引量：5
- 2010年
- 采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜。利用原位反射高能电子衍射、X射线衍射、室温透射光谱和原子力显微镜,研究了不同TMGa流量条件下沉积的GaN薄膜的结晶性、光学性质和表面形貌。结果表明,TMGa流量对GaN薄膜质量影响很大,TMGa流量约为1.4cm3/min(标准状态)条件下沉积的GaN薄膜结晶性较好,呈高度c-轴择优取向,420～1110nm波长光区内透过率超过90%,薄膜表面由大小均匀的亚微米量级表面岛按一致取向堆砌而成。
- 陈伟绩秦福文吴爱民刘胜芳杨智慧姜辛李帅董武军
- 关键词：GAN化学气相沉积玻璃衬底
- ECR-PEMOCVD生长GaN基掺锰稀磁半导体的研究
- 本文利用ECR-PEMOCVD（电子回旋共振-等离子体增强金属有机化学气相沉积）方法,采用二茂锰作为锰源,氮气作为氮源,三乙基镓（TEGa）作为镓源,在蓝宝石衬底上外延生长出具有一定Mn含量且晶质较好的GaMnN稀磁半导...
- 秦福文吴爱民吴东江王叶安
- 关键词：ECR-PEMOCVDGAMNNRHEED
- 文献传递
- α-Al_2O_3上生长GaN过程中氮化的研究被引量：2
- 2007年
- 在自行设计研制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-EMOCVD)装置上生长氮化镓(GaN)薄膜,以氮等离子体为氮源,三乙基镓(TEG)为镓源,蓝宝石(α-Al2O3)为衬底。通过反射高能电子衍射、原子力显微镜、射线衍射实验数据分析,研究了ECR等离子体所产生的活性氢源和氮源对蓝宝石(α-Al2O3)衬底的氮化作用,结果表明:在ECR等离子体中,不掺入氢气,温度较低时可以明显提高α-Al2O3衬底的氮化效果,获得平整的氮化层,且生长的氮化镓缓冲层质量是最好的。
- 王艳艳秦福文马世猛吴爱民王叶安
- 关键词：蓝宝石氮化氮化镓等离子体
- ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性被引量：2
- 2007年
- 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K.
- 何欢秦福文吴爱民王叶安代由勇姜辛徐茵顾彪
- 关键词：ECR-PEMOCVD稀磁半导体GAMNN室温铁磁性居里温度
- 基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究被引量：3
- 2008年
- 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,采用二茂锰(Cp2Mn)作为Mn源,高纯氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为Ga源,在蓝宝石(α-Al2O3)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向,表明制备的薄膜倾向于c轴方向生长,薄膜保持很好的纤锌矿结构.表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)用来表征薄膜的磁性.SQUID分析表明,薄膜呈铁磁性,铁磁性仅可能来源于三元相GaMnN,薄膜的居里温度高于350K.而且,高Mn的含量可以提高薄膜的居里温度.
- 王叶安秦福文吴东江吴爱民徐茵顾彪
- 关键词：稀磁半导体铁磁性居里温度
- 玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究被引量：3
- 2008年
- 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。
- 王文彦秦福文吴爱民宋世巍李瑞姜辛徐茵顾彪
- 关键词：氮化镓玻璃衬底
- 氮气流量对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响被引量：2
- 2008年
- 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了高度c轴择优取向的多晶GaN薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD)对样品进行检测,研究了在低温(430℃)沉积中氮气流量对GaN薄膜结晶性的影响.并且利用原子力显微镜(AFM)和室温光致发光(PL)谱研究了薄膜的表面形貌和发光特性,发现薄膜表面形貌较为平整,其发光峰由较强的紫外近带边发光峰和极其微弱的绿光发光峰组成.
- 王文彦秦福文吴爱民宋世巍刘瑞贤姜辛徐茵顾彪
- 关键词：GAN薄膜半导体材料玻璃衬底
- 氮化工艺对GaN缓冲层生长的影响被引量：1
- 2006年
- 以氮等离子体为氮源,以三乙基镓(TEG)为镓源,在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长GaN缓冲层。主要考察了氮化温度和氮气流量对缓冲层生长的影响。实验中采用了氢氮混合等离子体清洗的方法,提高了清洗的质量。用X射线衍射来表征晶体的结构,用原子力显微镜来表征表面形貌。通过对高能电子衍射仪获得的缓冲层与氮化层的衍射图样进行比较,对GaN的氮化实验参数进行了优化。
- 孙万峰顾彪徐茵秦福文马世猛
- 关键词：GAN氮化缓冲层
- 衬底氮化时间对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响
- 2009年
- 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响。结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差。
- 陈伟绩秦福文吴爱民王文彦
- 关键词：GAN氮化ECR-PEMOCVD玻璃衬底
- 采用ECR-PECVD技术低温生长多晶硅薄膜
- 在自行设计研制的先进电子回旋共振（ECR）等离子体增强化学气相沉 （PECVD）装置上,采用“ECR-PECVD”可控活化低温外延技术,以SiH4+H2 为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温（≤550℃）制备多晶硅薄膜。利用...
- 秦福文吴爱民王艳艳冯庆浩李伯海
- 关键词：ECR-PECVD多晶硅薄膜反射高能电子衍射
- 文献传递
