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江苏省高校自然科学研究项目(05KJA43006)

作品数：5 被引量：7H指数：2
相关作者：狄国庆罗晓东张学彩更多>>
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文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学

主题

  • 3篇溅射
  • 3篇溅射制备
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇光学
  • 2篇表面形貌
  • 1篇带隙
  • 1篇低电阻率
  • 1篇电沉积
  • 1篇电阻率
  • 1篇形貌
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇热电效应
  • 1篇自旋
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲电源
  • 1篇光吸收
  • 1篇光学带隙
  • 1篇光学特性
  • 1篇NB

机构

  • 5篇苏州大学

作者

  • 2篇狄国庆
  • 1篇罗晓东
  • 1篇张学彩

传媒

  • 4篇物理学报
  • 1篇苏州大学学报...

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
溅射制备Ta2O5薄膜的表面形貌与光学特性被引量：2
2011年
在室温条件下利用溅射Ta2O5靶材的方法制备了Ta2O5薄膜,并采用将薄膜两侧的反射率光谱进行比较的简便方法分析评估薄膜的光吸收,发现溅射制备薄膜的额外光吸收源是溅射引起的缺氧形成的,选择适当的溅射功率和含氧比例的工作气体能有效地消除这些缺陷、不用任何加温处理就可制备得到表面平坦和高致密度的高品质Ta2O5薄膜.
狄国庆
关键词：光吸收表面形貌磁控溅射
溅射制备Ge，Nb共掺杂窄光学带隙和低电阻率的TiO2薄膜被引量：2
2012年
采用射频磁控溅射技术制备了Ge,Nb共掺杂的锐钛矿结构TiO_2薄膜,详细探讨了薄膜的结构、电阻率及光学带隙等性质随Ge,Nb掺杂量、溅射功率和热处理温度等参数的变化,发现Ge,Nb共掺杂可以同时调节TiO_2薄膜的光学带隙和电阻率.体积分数约为6%Nb和20%Ge的共掺杂TiO_2薄膜电阻率由10~4Ω/cm减小至10^(-1)Ω/cm,光学带隙由3.2 eV减小至1.9 eV.退火后掺杂TiO_2薄膜不仅显示更低的电阻率,还表现出更强的可见-红外光吸收.结果表明,改变Ge,Nb的掺杂量和退火条件能够制备出电阻率和带隙都可调的TiO_2薄膜.
罗晓东狄国庆
关键词：电阻率光学带隙磁控溅射
磁各向异性热电效应对自旋相关器件的影响
2012年
在纳米点接触热电效应的实验中检测到"T"形Ni线两端的温差电压在外磁场作用下有较大变化,确认了这是由Ni线的磁各向异性热电效应引起的,外磁场的作用总是在逆温度梯度的方向产生一个额外的电动势,它与磁场以及Ni线两端温度差之间有清晰的对应关系.实验结果提示,自旋相关效应器件的研究需要留意器件样品的磁性材料构形设计和测试方法,以避免混入额外的电磁信号,给实验结果带来误判.
陈家洛狄国庆
关键词：热电效应磁各向异性
磁控溅射制备Y2O3-TiO2薄膜形貌的研究被引量：3
2011年
室温下采用射频磁控溅射法,在硅衬底上制备了Y2O3-TiO2氧化物复合薄膜.利用XRD(X-ray diffraction)和AFM(atomic force microscopy)分析观察了退火前后样品的物相、形貌等变化,讨论了致密薄膜的生长机理.实验发现,溅射功率越大,薄膜的平整度和致密度越好.对热处理前后样品的结晶结构和表面形貌的分析结果显示,在本实验参数范围内,随着溅射功率的增大,更多的Y2O3填入TiO2周围的孔隙、抑制了TiO2大颗粒的形成,改善了薄膜的平整度和致密度.热处理后的XRD测试结果还表明,Y2O3的掺入还抑制了TiO2锐钛矿晶粒的形成,有利于制备以金红石为主相的高介电常数薄膜.
曹月华狄国庆
关键词：表面形貌原子力显微镜磁控溅射
脉冲电源制作镍纳米接触及其BMR效应
2010年
通过不同电源制作结果的比较,我们发现采用高频脉冲电流源并在电沉积过程中施加磁场的方法,制作镍纳米接触.这样制备的样品其弹道磁电阻(BMR)更加明显稳定,成功率也得以大幅提高.在所测样品中BMR值最大可达13 500%,而在保存2个月后个别样品BMR依然明显稳定,这些为镍纳米接触BMR效应的研究和应用提供了必要条件.
张学彩狄国庆
关键词：脉冲电源电沉积
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