国家重点基础研究发展计划(2009CB320200)
- 作品数：18 被引量：60H指数：5
- 相关作者：戴永胜高学邦吴洪江尹洪浩韩群飞更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团第十三研究所南京理工大学电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 4～20GHz超宽带低噪声放大器单片电路被引量：3
- 2013年
- 采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构。放大器采用了自偏压单电源供电,因为每级有两个FET串联,自偏压电路更为复杂,通过多个电阻分压的方式确定了每个FET的工作点。测试结果表明,该放大器在频率4～20 GHz内,增益大于14 dB,噪声系数小于3.0 dB,增益平坦度小于±1.0 dB,输入驻波比小于1.5∶1,输出驻波比小于1.8∶1,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm。放大器的工作电压为8 V,电流约为50 mA,芯片面积为2.0 mm×2.0 mm。
- 许春良王绍东柳现发高学邦
- 关键词：超宽带低噪声放大器行波微波单片集成电路
- 基于GaAs PIN二极管的宽带大功率单片单刀双掷开关被引量：5
- 2010年
- GaAs PIN二极管具有开态电阻小、截止频率高以及功率容量大的特点,采用GaAs PIN二极管制作的开关插入损耗较小、隔离度较高、并且功率的线性较好。基于河北半导体研究所GaAs PIN工艺制造了一款单刀双掷开关芯片。该开关采用单级并联结构。通过微波在片测试,在小信号条件下,6～18 GHz范围内插入损耗小于1.45 dB、隔离度大于28 dB,输入输出反射损耗小于7.5 dB。把开关装入夹具中进行功率特性测试,在连续波输入功率37 dBm,12 GHz条件下测试输出功率仅压缩0.5 dB,具有非常好的功率特性。在4英寸(100 mm)晶圆上开关的成品率较高,具有非常好的工程应用前景。
- 刘会东魏洪涛吴洪江高学邦
- 关键词：单刀双掷砷化镓PIN二极管
- 微型蓝牙LTCC平衡滤波器的设计与研究被引量：3
- 2012年
- 提出一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术实现的小型化平衡滤波器。该平衡滤波器频率范围为2.4～2.5GHz,可广泛应用于蓝牙通讯系统。在设计时利用垂直通孔互连工艺技术将滤波器和巴伦进行互连,并且集成在一个模块中,其中,蓝牙滤波器的设计采用半集总结构,Marchand巴伦采用独特的螺旋线宽边耦合带状线结构(SBCS),极大地缩小了巴伦尺寸。实现了具有阻抗变换功能的蓝牙波段微型平衡滤波器,其尺寸仅为2.5mm×2.0mm×1.2mm。测试结果表明,该平衡滤波器带内差损小于1.8dB,相位不平衡度小于±6°,均满足设计指标要求。
- 戴永胜冯媛尹洪浩
- 关键词：低温共烧陶瓷蓝牙
- C波段高增益低噪声放大器单片电路设计被引量：4
- 2009年
- 主要介绍了C波段高增益低噪声单片放大器的设计方法和电路研制结果。电路设计基于Agilent ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现。为了消除C波段低噪声放大器设计中在低频端产生的振荡,提出了在第三级PHEMT管的栅极和地之间放置RLC并联再串联电阻吸收网络的方法,降低了带外低频端的高增益,从而消除了多级级联低噪声放大器电路中由于低频端增益过高产生的振荡。通过电路设计与版图电磁验证相结合的方法,使本产品一次设计成功。本单片采用三级放大,工作频率为5～6GHz,噪声系数小于1.15dB,增益大于40dB,输入输出驻波比小于1.4∶1,增益平坦度ΔGp≤±0.2dB,1dB压缩点P-1≥10dBm,直流电流小于90mA。
- 刘志军高学邦吴洪江
- 关键词：C波段低噪声放大器微波单片集成电路电磁仿真
- 高性能2～18GHz超宽带MMIC6位数字衰减器被引量：9
- 2012年
- 介绍了一种高性能2～18GHz MMIC 6位GaAs PHEMT数字衰减器的设计、制造和测试结果。研制的单片数字衰减器衰减步进为0.5dB;最大衰减范围为31.5dB;参考态插入损耗<5.71dB;所有衰减态的输入、输出电压驻波比<1.8;衰减精度:+2.31dB/-0.51dB;插入相移:+6.28°/-1.53°;64态幅度均方根误差<1.0dB;64态相移均方根误差<1.3°;芯片尺寸:2.89mm×1.22mm×0.1mm。工艺成品率高达85%。
- 戴永胜李平孙宏途徐利
- 关键词：数字衰减器微波单片集成电路砷化镓超宽带赝配高电子迁移率晶体管
- 宽带GaAs MMIC开关耦合器芯片设计被引量：2
- 2009年
- 介绍了一种宽带开关耦合器芯片的研制。在GaAspHEMT工艺平台上将宽带单刀双掷开关和兰格耦合器集成在一个芯片上，在实现二路功率分配功能的同时，还提供了在两个输出端口之间±90°相位切换的功能。该芯片频率范围覆盖6～18GHz，在整个频带内插入损耗〈3．7dB，相位误差〈14°，输入输出驻波比〈1．8：1。芯片尺寸1．5mm×3．0mm×0．1mm。详细描述了电路的设计流程，并提供最终的测试结果。该芯片具有频带宽、体积小、使用方便等特点，可应用于不同的微波系统。
- 刘文杰吴洪江高学邦
- 关键词：宽带砷化镓微波单片集成电路PHEMT微波开关兰格耦合器
- 基于DGS与半集总结构的新型LTCC超宽带滤波器被引量：1
- 2013年
- 设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的新型超宽带(UWB,)带通滤波器。该款滤波器结合了半集总高通结构与缺陷地(DGS)结构,利用半集总结构实现截止频率为3.1GHz的高通滤波器,再结合DGS在高端产生阻带,从而实现通带为3.1～10.6GHz的带通滤波器,尺寸仅为3.2mm×1.6mm×1.2mm。实测结果表明:插入损耗<1.5dB,反射损耗<12dB,群时延<0.8ns,带外抑制>15dB(11.5～17GHz)。测试与仿真结果较为吻合。此种LTCC滤波器结构具有尺寸小、插损小、群时延小等优点,而且结构简单,带宽和中心频率容易控制,相对带宽可做到150%以上,特别适合用于极宽带通信系统的频率选择。
- 戴永胜郭风英韩群飞
- GaAs MMIC宽带双平衡混频器的研制被引量：7
- 2009年
- 采用GaAs肖特基二极管工艺,设计并制造了一款宽带无源双平衡混频器,射频、本振频率为1.5~3.7 GHz,变频损耗小于10 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,中频带宽DC^0.8 GHz。该混频器采用了环形二极管和螺旋式巴伦结构,在获得良好的变频损耗与隔离度的同时,显著减小了芯片面积,整体芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm。
- 赵宇吴洪江高学邦王绍东
- 关键词：混频器变频损耗肖特基二极管
- X波段压控振荡器微波单片集成电路
- 本论文基于GaAs HBT工艺设计了一款X波段压控振荡器MMIC,频率覆盖8-12.5GHz。该芯片电路在2.2mm×1.7mm的面积内集成了LC谐振电路、负阻产生电路、隔离放大器电路和ESD保护电路,无需任何外部器件,...
- 吴永辉
- 关键词：微波单片集成电路压控振荡器相位噪声静电保护电路
- 文献传递
- C波段LTCC无通孔微型Lange耦合器的研究
- 2012年
- 研究了一种C波段LTCC无通孔微型Lange耦合器,其结构紧凑,尺寸小。LTCC叠层技术是实现高性能、高可靠、微型化微波元件的主流技术之一,尤其是在提高电路集成度方面。Lange耦合器由于其特殊的结构使得其可以实现宽频带、高性能。设计、制作了一种中心频率为4GHz的宽带3dB Lange耦合器,尺寸仅为7.0mm×2.2mm×1.4mm。在2.0～6.0GHz频带内测试结果如下:插入损耗<0.3dB,反射损耗<21dB,隔离>27dB,相位平衡<90±3°,最大承受功率<40W(连续波)。测试与仿真结果较吻合,验证了研究结果的一致性。
- 戴永胜谢秋月韩群飞尹洪浩左同生
- 关键词：低温共烧陶瓷LANGE耦合器微型化
