国家自然科学基金(60876062)
- 作品数：10 被引量：6H指数：1
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- 对称薄膜双栅MOSFET温度特性的研究被引量：1
- 2012年
- 文章对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究。首先对其进行理论分析,得到亚阈值电流、阈值电压和饱和电流等随温度的变化关系,并计算出理论结果,再用Medici模拟仿真加以验证,比较了不同温度下的输出特性、饱和漏电流、阈值电压与温度变化的关系,验证结果表明两者是一致的。
- 谌婧娇陈军宁高珊
- 关键词：温度阈值电压亚阈值电流
- OISD MOSFET阈值电压建模与结构设计被引量：1
- 2010年
- 对一种新型半绝缘SOIMOS器件的阈值电压进行建模,该器件采用源漏注氧OISD技术,具有优良的自加热效应抑制能力和耐压特性.由于沟道中存在复杂的二维势场分布,OISD MOSFET阈值电压,亚阈值斜率及短沟道效应均受到硅窗口尺寸的调制.给出了一个基于数值仿真的OISD MOSFET阈值电压简单模型,该模型可指导器件结构设计,并通过MEDICI二维数值仿真进行验证.最后,对OISD MOSFET亚阈值斜率、短沟道阈值电压偏移以及DIBL因子等重要电学参量进行详细的研究.
- 高珊孟坚陈军宁柯导明
- 关键词：MOSFET阈值电压短沟道效应
- N-LDMOSFET的掺杂分布与热载流子效应
- 2012年
- 文章从MOSFET热载流子效应角度研究了N-LDMOSFET在不同的区域掺杂浓度条件下器件的最坏热载流子应力条件;在确定的器件工作条件下结合器件仿真结果,分析了在不同掺杂浓度下器件电特性退化的趋势;详细分析了导致器件退化趋势不同的原因,重点讨论了沟道掺杂和漂移区掺杂与器件热载流子效应关系,提出了N-LDNMOS中区域掺杂的优化策略。
- 罗扣陈军宁高珊张志伟
- 关键词：热载流子效应
- 双掺杂多晶Si栅MOSFET的截止频率研究被引量：1
- 2010年
- 在前期对双掺杂多晶Si栅(DDPG)LDMOSFET的电场、阈值电压、电容等特性所作分析的基础上,仍然采用双掺杂多晶Si栅结构,以低掺杂漏/源MOS(LDDMOS)为基础,重点研究了DDPG-LDDMOSFET的截止频率特性。通过MEDICI软件,模拟了栅长、栅氧化层厚度、源漏区结深、衬底掺杂浓度以及温度等关键参数对器件截止频率的影响,并与相同条件下p型单掺杂多晶Si栅(p-SDPG)MOSFET的频率特性进行了比较。仿真结果发现,在栅长90 nm、栅氧厚度2 nm,栅极p,n掺杂浓度均为5×1019cm-3条件下,截止频率由78.74 GHz提高到106.92 GHz,幅度高达35.8%。此结构很好地改善了MOSFET的频率性能,得出的结论对于结构的设计制作和性能优化具有一定的指导作用,在射频领域有很好的应用前景。
- 齐锐代月花陈军宁李俊生
- 关键词：截止频率
- 复合多晶硅栅LDD MOSFET制造工艺研究
- 2011年
- 通过工艺模拟软件TSUPREM,设计了一种复合多晶硅栅(DDPG-MOS FET)的制造工艺,并使用MEDICI软件对采用该工艺的器件的频率特性和瞬态特性进行分析。结果表明,DDPG-MOS制造工艺简单、完全与CMOS工艺兼容,其结构明显改善了传统MOSFET的多项性能,在射频领域具有很好的应用前景。
- 方磊代月花陈军宁
- 关键词：MOSFET
- 倒掺杂沟道MOSFETs的研究
- 2010年
- 本文研究了一种倒掺杂沟道MOSFET。与传统的MOSFETs不同,这种器件采用沟道表面掺杂浓度低、体内掺杂浓度高的倒掺杂设计。基于Possion方程,建立了线性变掺杂的沟道倒掺杂模型,得出了器件表面电势以及漏极电流的表达式,研究了垂直于沟道方向上倒掺杂的陡峭程度对漏极电流、饱和驱动电流以及表面电势的影响。计算结果与二维仿真软件MEDICI模拟结果相符。
- 杨颖琳陈军宁高珊
- 关键词：漏极电流MOSFET
- 功率LDMOS中的场极板设计被引量：3
- 2010年
- 本文提出了LDMOS器件漂移区电场分布和电势分布的二维解析模型,并在此基础上得出了LDMOS漂移区电势分布和电场分布的解析表达式。通过表达式的结果,研究了多晶硅场板的长度和位置对于器件表面电场和电势的影响,解析结果与MEDICI结果相符。
- 肖小虎高珊陈军宁柯导明
- 关键词：横向扩散金属氧化物半导体表面电场
- 基于摄动法研究短沟道SOI MOSFET亚阈值特性
- 2010年
- 提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计及不可动的电离杂质,而且需要考虑自由载流子的数量和分布的影响.利用摄动法求解非线性泊松方程可以得到短沟道SOI MOSFETs二维的表面势解析模型.通过与二维数值模拟器MEDICI模拟结果比较,证明了在亚阈区改进模型所得的结果比只计及不可动的电离杂质的SOI MOSFETs模型所得的结果吻合更好.
- 金林高珊陈军宁褚蕾蕾
- 关键词：表面势亚阈值MOSFETS
- 异质栅MOSFET热载流子效应的研究
- 2010年
- 异质栅MOSFET器件的栅极由具有不同功函数的两种材料拼接而成,能够提高载流子输运速度、抑制阈值电压漂移等.文中比较了异质栅MOSFET和常规MOSFET的热载流子退化特性.通过使用器件数值模拟软件MEDICI,对能有效监测热载流子效应的参数,例如电场、衬底电流和栅电流等参数进行仿真.将仿真结果与常规MOSFET对比,从抑制热载流子效应方面验证了新结构器件的高性能.
- 褚蕾蕾高珊金林陈军宁
- 关键词：异质栅MOSFET热载流子效应MEDICI
- 基于LDMOS栅漏电容特性的研究
- 2012年
- 此处主要对LDMOS栅漏电容(CGD)进行分析与计算,并借助二维器件模拟软件MEDICI模拟并分析了栅漏电容与漏源电压的关系,通过计算得到的数据与软件模拟结果的对比。研究了场极板长度、场氧化层厚度、P阱注入剂量,漂移区浓度4个结构工艺参数对栅漏电容的影响。
- 张志伟高珊陈军宁罗扣
- 关键词：漂移区场极板
