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国家高技术研究发展计划(2009AA03Z123)

作品数：1 被引量：5H指数：1
相关作者：韦奇闫建平聂祚仁李群艳何俊更多>>
相关机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氢气
  • 1篇氢气分离
  • 1篇钴掺杂
  • 1篇微孔
  • 1篇硅膜
  • 1篇二氧化硅膜
  • 1篇钴
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇段小勇
  • 1篇何俊
  • 1篇李群艳
  • 1篇聂祚仁
  • 1篇闫建平
  • 1篇韦奇

传媒

  • 1篇无机化学学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
钴掺杂二氧化硅膜的制备、表征及氢气分离性能被引量：5
2011年
采用正硅酸乙酯(TEOS)和Co(NO3)2.6H2O为前驱体通过溶胶-凝胶法制备掺钴微孔二氧化硅膜,研究钴在二氧化硅膜材料中的存在状态、膜材料孔结构以及膜材料的气体渗透和分离性能。结果表明钴元素以Si-O-Co的形式存在于SiO2骨架之中,掺杂Co 10%的微孔SiO2膜具有典型的微孔结构,其孔体积为0.119 cm3·g-1,平均孔径在0.52 nm左右且孔径主要分布在0.4～0.55 nm之间。氢气在膜材料中的输运低温下遵循Knudsen扩散机理,高于100℃时遵循活化扩散机理,300℃时膜材料的H2渗透率达到6.41×10-7 mol.m-2.s-1.Pa-1,H2/CO2分离系数达到6.61,高于Knudsen扩散的理想分离系数。
闫建平韦奇段小勇何俊李群艳聂祚仁
关键词：钴微孔二氧化硅膜氢气分离
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