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国家重点实验室开放基金(KL201209SIC)

作品数：1 被引量：15H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇调制

机构

  • 1篇北京航空航天...

作者

  • 1篇郑晓虎
  • 1篇肖志松
  • 1篇贾林楠
  • 1篇王玫
  • 1篇黄安平

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
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排序方式：
界面效应调制忆阻器研究进展被引量：15
2012年
忆阻器因其优异的非易失存储特性,且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势,在新型电子器件研究领域引起了广泛关注.本文从忆阻器结构出发,对忆阻器主要材料、机理等进行了综述,介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的研究进展,重点讨论了界面效应对忆阻行为及性能改善等方面的重要作用,提出了界面纳米点嵌入结构对优化忆阻性能的显著效果,并分析了忆阻器可能的发展趋势.
贾林楠黄安平郑晓虎肖志松王玫
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