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国家自然科学基金(50807038)

作品数:1 被引量:2H指数:1
相关作者:罗遂斌于淑会梁先文孙蓉庄志强更多>>
相关机构:香港中文大学中国科学院华南理工大学更多>>
发文基金:深圳市基础研究计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇乙烯
  • 1篇正硅酸乙酯
  • 1篇制备及性能
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米银
  • 1篇介电复合材料
  • 1篇聚偏二氟乙烯
  • 1篇硅酸
  • 1篇氟乙烯
  • 1篇复合材料
  • 1篇
  • 1篇复合材

机构

  • 1篇华南理工大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇香港中文大学

作者

  • 1篇庄志强
  • 1篇孙蓉
  • 1篇梁先文
  • 1篇于淑会
  • 1篇罗遂斌

传媒

  • 1篇绝缘材料

年份

  • 1篇2010
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
正硅酸乙酯改性的银填充聚偏二氟乙烯介电复合材料的制备及性能研究被引量:2
2010年
利用湿化学还原法制备了银(Ag)颗粒,并用正硅酸乙酯对其进行处理,通过混合和热压工艺制备了正硅酸乙酯改性的银填充聚偏二氟乙烯介电复合材料。研究了正硅酸乙酯水解得到二氧化硅(SiO2)绝缘层对该复合材料介电性能的影响。结果表明:正硅酸乙酯水解在Ag颗粒之间生成的SiO2绝缘层避免了Ag颗粒之间的直接接触,形成了内部电子阻隔层,使复合材料的渗流阈值增大,介质损耗保持较低的值(小于0.08,1kHz,体积分数28%),电导率为2.85×10-5S/m(1 kHz,体积分数28%)。由于SiO2绝缘层具有一定的厚度(计算值为10 nm),载流子在金属Ag颗粒间及颗粒与基体间跃迁相对较难,导致了该复合材料具有较低的介电常数值(ε=38.5,1 kHz,体积分数28%)。
梁先文于淑会孙蓉罗遂斌庄志强
关键词:正硅酸乙酯聚偏二氟乙烯复合材料纳米银
共1页<1>
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