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ZnO薄膜及ZnO-TFT的性能研究被引量：7: 2009年; 采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量。其结果是:XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势。制备了底栅型ZnO薄膜晶体管,测试表明器件具有明显的场效应特性及饱和特性。; 马仙梅荆海马凯王龙彦王中健; 关键词：氧化锌薄膜 X射线衍射光致发光

Simple digital PWM and PSM controlled DC-DC boost converter for luminance-regulated WLED driver被引量：4: 2009年; 这篇文章为一个 DC-DC 增加变换器基于简单数字脉搏宽度调整(DPWM ) 和脉搏翻斗车调整(PSM ) 介绍控制策略，到开车射出二极管(WLED ) 的一盏调整发光性的白灯。介绍控制策略不仅保留大多数优点和传统的数字 PWM 的灵活性，而且减少复杂性和费用。基于分析介绍控制策略的原则，白轻射出二极管(WLED ) 驱动程序被设计并且模仿了使用 0.6 m 互补金属氧化物半导体进程。当供应电压从 2.7 V 变化到 5.5 V 时，模拟电源效率为完整的负担超过 76% 的增加变换器表演结果，与 88% 的山峰效率。控制策略与轻负担为 PWM 模式克服低效率。; LIU Xin GUO Shu-xu CHANG Yu-chun ZHU Shun-dong WANG Shuai; 关键词：白光LED驱动器升压转换器数字PWM 相移掩模白光发光二极管

氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备(英文)被引量：2: 2008年; 通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜。XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO薄膜是主度的c轴取向。基于ZnO薄膜基础,我们制备了ZnO基薄膜晶体管。; 马仙梅杨小天朱慧超王超高文涛金虎齐晓薇高博付国柱荆海马凯常遇春杜国同; 关键词：氧化锌薄膜晶体管 MOCVD

氧化锌基薄膜晶体管制备与研究被引量：2: 2008年; 以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长。利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管。SiO2被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)成功运作目的。ZnO-TFT的电流开关(on/off)比达到104以上。ZnO-TFT在可见光区平均光透过率大约为80 %。以上表明利用ZnO替代传统Si材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的。; 杨小天马仙梅朱慧超高文涛金虎齐晓薇高博董秀茹付国柱荆海王超常遇春杜国同曹健林; 关键词：氧化锌薄膜晶体管 MOCVD

不同衬底上氧化锌薄膜的金属有机化学气相沉积方法生长(英文)被引量：1: 2009年; 氧化锌薄膜通过金属有机化学气相沉积方法生长在康宁玻璃与α-蓝宝石衬底上,研究了有关薄膜的生长质量与发光特性。通过X光衍射方法测试研究发现,不仅在以α-蓝宝石为衬底的样品中,同时,在以玻璃为衬底的样品中都发现了氧化锌(002)方向生长的尖峰,表明生长在两种衬底上的样品都是高度的C向生长。对两种样品的荧光谱研究发现,两者的紫外峰位于374nm附近,在以α-蓝宝石为衬底的样品中,有深能级发射,但在以玻璃为衬底的样品中没有发现,表明在玻璃衬底上我们生长出了高质量的氧化锌薄膜。通过原子力显微镜,对生长在两种衬底上薄膜的表面形貌做了观察,其晶粒的大小与表面粗糙度有一定的差别,表明二者都是以柱状形式生长的。; 王超杨小天唐魏赵春雷杨佳高晓红李香萍高忠民杜国同; 关键词：氧化锌 MOCVD

PWM/PFM混合控制DC-DC变换器芯片的设计被引量：18: 2006年; 结合脉冲宽度调制(PWM)和脉冲频率调制(PFM)功率损耗特点,提出了一种降压型PWM/PFM混合控制DC-DC变换器芯片的电路结构,大大提高了全负载范围转换效率。重点讨论了混合控制策略和PWM/PFM切换电路的设计。Hspice模拟仿真结果验证了设计的正确性。; 徐峰常玉春田小建杜国同; 关键词：DC-DC变换器脉冲宽度调制脉冲频率调制混合控制降压型变换器

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国家自然科学基金(60576043)