上海市科委纳米专项基金(0452nm071)
- 作品数：4 被引量：61H指数：4
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- 相关机构：中国科学院中国科学院研究生院更多>>
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- ZnO基稀磁半导体薄膜材料研究进展被引量：13
- 2006年
- 稀磁半导体(DMSs)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景．本文对近几年来ZnO 基稀磁半导体薄膜材料研究进展作一综述,对研究热点和存在问题作一评价,提出解决的思路,最后对DMSs器件的潜在应用作简单介绍．
- 刘学超施尔畏张华伟宋力昕陈之战
- 关键词：ZNO稀磁半导体过渡金属
- ZnO基稀磁半导体磁性机理研究进展被引量：17
- 2009年
- 稀磁半导体是指在非磁性化合物半导体中通过掺杂引入部分磁性离子所形成的一类新型功能材料.目前,稀磁半导体的磁性来源和机理一直是该领域的研究热点,掺杂的磁性离子通过怎样的交换方式实现铁磁性一直存有争议.本文对近几年来ZnO基稀磁半导体磁性机理研究进展作一综述,着重阐述了代表性的RRKY理论、平均场理论、双交换理论和磁极子理论,对实验和理论方面的热点和存在问题作一评价,对磁性理论的研究提出了新思路.
- 刘学超陈之战施尔畏宋力昕
- 关键词：ZNO稀磁半导体
- 磁约束电感耦合等离子体增强溅射沉积Co掺杂ZnO薄膜及其光学特性被引量：4
- 2006年
- 采用磁约束电感耦合等离子体增强溅射法(ICP-PVD)在Si(100)和石英玻璃衬底上沉积了Zn0.95Co0.05O薄膜。XRD谱显示薄膜具有较强的(002)衍射峰,表明Zn0.95Co0.05O薄膜为c轴择优取向生长;透过光谱显示Zn0.95Co0.05O薄膜具有良好的透过性,其在可见光和红外波段的平均透过率大于80%,吸收光谱表明Co2+取代了Zn2+处于四配位晶体场中;喇曼光谱证明Zn0.95Co0.05O薄膜具有良好的六方纤锌矿结构;室温PL谱测量发现在可见光的蓝光波段和绿光波段存在较宽的发光带,却没有发现本征的近紫外光发射,这是由于Co掺杂后引入较多的缺陷导致的。
- 刘学超施尔畏陈之战张华伟宋力昕
- 关键词：ZNO薄膜CO掺杂溅射沉积光学特性
- 固相反应法制备Co掺杂ZnO的磁性和光学性能研究被引量：32
- 2006年
- 研究了以固相反应法制备Co掺杂ZnO粉体的磁性和光学性能,测试结果表明对于均匀掺杂的Zn0·95Co0·05O粉体,Co2+随机取代Zn2+的位置进入ZnO晶格.Co2+之间的3d自旋电子耦合交换作用使得近邻的Co2+自旋反平行,Zn0·95Co0·05O粉体在3—300K表现为顺磁性,而非铁磁性.
- 刘学超施尔畏宋力昕张华伟陈之战
- 关键词：ZNO固相反应稀磁半导体顺磁性
