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国家自然科学基金(60576018): 作品数：20 被引量：50H指数：4; 相关作者：任晓敏黄辉黄永清李轶群苗昂更多>>; 相关机构：北京邮电大学中国科学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

新型长波长可调谐光电探测器被引量：8: 2006年; 通过将GaAs基滤波器与InP基探测器键合在一起,实现了一种新型可调谐的长波长光电探测器。通过热调谐,在13 V的偏置电压下,峰值波长从1 540.1 nm红移到1 550.6 nm,实现了10.5 nm的调谐范围,响应线宽维持在0.6 nm,量子效率也保持在22%左右。从理论上分析了器件的调谐原理,利用传输矩阵法模拟了滤波器的透射光谱,并通过实验加以了验证。; 王文娟王兴妍黄辉崔海林苗昂李轶群任晓敏黄永清; 关键词：光电探测器可调谐长波长

基于低温缓冲层的单片集成长波长可调谐光探测器被引量：1: 2007年; 实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上首先生长GaAs/AlAs材料的F-P腔滤波器,然后异质外延InP-In0.53Ga0.47As-InP材料的PIN结构.制作出的器件通过热调谐,峰值波长从1533.1nm红移到1543.1nm,实现了10.0nm的调谐范围,同时响应线宽维持在0.8nm以下,量子效率保持在23%以上,响应速率达到6.2GHz.; 吕吉贺黄辉任晓敏苗昂李轶群王睿黄永清王琦; 关键词：可调谐光电探测器

半导体环形激光器的输出耦合及阈值增益分析被引量：4: 2007年; 通过三维光波导的模式耦合理论分析了半导体环形激光器(SRL)与直波导的耦合系数,用耦合系数的解析表达式结合SRL自再现条件分析了SRL各参数对阈值增益的影响。分析结果表明,耦合系数随波导宽度和厚度、波导间距的增大而减小,随SRL半径的增大而增大;阈值增益随波导宽度和厚度、波导间距的增大而增大,随SRL半径的增大而减小。; 陈海波黄永清黄辉徐玉峰苗昂李轶群任晓敏; 关键词：阈值增益

InP基PIN＋HBT光电集成器件的设计与研制被引量：4: 2008年; 对用于光电集成电路(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)及PIN探测器进行了设计与研制,讨论了堆叠层结构和共享层结构2种常见的集成方式,通过实验比较,确定了共享层结构器件性能更好,并对此结构进行了改进。所研制的HBT截止频率达到30 GHz,直流增益达到100;PIN的3 dB带宽达到了15 GHz。详细介绍了器件结构及工艺流程。; 崔海林任晓敏李轶群苗昂黄辉黄永清

横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型被引量：1: 2007年; 分别考虑气相扩散和掩膜表面扩散过程,建立了金属有机化学气相沉积条件下横向外延过生长的速率模型.在砷化镓衬底上外延磷化铟条件下,模拟得到了生长速率随掩膜/窗口宽度(m/w)变化的关系.通过讨论掩膜/窗口宽度的影响,说明了掩膜宽度、窗口宽度以及有效掩膜宽度是决定生长速率的关键因素.以上结论与实验结果一致.; 刘磊任晓敏周静王琦熊德平黄辉黄永清; 关键词：扩散生长速率

用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT被引量：2: 2009年; 实现了一种可用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT。借助超薄低温InP缓冲层在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功制备出了InP/InGaAsHBT,器件的电流截止频率达到4.4GHz,开启电压0.4V,反向击穿电压大于4V,直流放大倍数约为20。该HBT器件和GaAs基长波长、可调谐InP光探测器单片集成为实现适用于WDM光纤通信系统的高性能、集成化光接收机前端提供了一种新的解决方法。; 李轶群黄辉吕吉贺苗昂吴强蔡世伟黄永清任晓敏

一种具有亚波长光栅结构的光探测器的设计被引量：15: 2009年; 高速智能光纤通信系统和网络的飞速发展对光电探测器提出了更高要求。利用严格耦合波(RCWA)理论,给出了在亚波长光栅(SWG)下方具有分布布拉格反射镜(DBR)结构的理论分析模型,将这种结构作为反射镜应用于谐振腔增强型光探测器(RCE PD)的设计中。仿真表明由于SWG的引入,只需要4对λ/4厚度的InGaAsP/InP系DBR,可使整体膜系结构实现在中心波长1.55 μm处反射率达到99.7%,在1.40μm至1.62μm范围内反射率高于99%。引入SWG后的RCE PD在1.55μm附近的量子效率接近90%,串扰衰减系数与量子效率的乘积超过15 dB。有效地解决了InGaAsP/InP介质膜系DBR作为谐振腔反射镜反射率低、反射带宽窄的问题。; 杨一粟黄永清黄辉王琦任晓敏; 关键词：光电子学亚波长光栅光探测器

1.3μm InGaNAs/GaAs多量子阱“一镜斜置三镜腔”光探测器被引量：3: 2009年; 报道了一种基于InGaNAs/GaAs多量子阱的1.3μmGaAs基"一镜斜置三镜腔"光探测器,采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上直接生长高质量的GaAl/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)和InGaNAs/GaAs多量子阱吸收层,实现了单片集成的GaAs基长波长"一镜斜置三镜腔"光探测器。探测器的峰值响应波长位于1298.4nm,光谱响应线宽(FWHM)为1.0nm,量子效率为3%,在零偏压下其暗电流密度为3.75×10-13A/μm2。; 徐玉峰黄永清黄辉倪海桥牛智川任晓敏; 关键词：光探测器多量子阱

Experimental demonstration and analysis of all-optical label swapping based on RZ-DQPSK/IRZ-ASK modulation format被引量：2: 2010年; A novel optical return zero differential quadrature phase shifted keying/inverse return zero amplitude shifted keying(RZ-DQPSK/IRZ-ASK) orthogonal modulation format scheme for all-optical label swapping is analyzed theoretically and experimentally.The transmission characteristics of RZ-DQPSK/IRZ-ASK modulation format transmission system are demonstrated.Results show that high extinction ratio is obtained for IRZ-ASK label signal while at the same time the all-optical label swapping,differential quadrature phase shifted keying(DQPSK) payload signal is hardly affected.It requires only 0.9 dB higher power penalty compared to 21.4 Gbit/s RZ-DQPSK modulation format and less than 2 dB transmission penalty after 60 km.The proposed scheme is a practical solution for meeting the data rate and cost-efficiency of the optical links simultaneously in future all-optical label swapping.; YUAN Xue-guang ZHANG Jin-nan ZHANG Yang-an ZHANG Ming-lun HUANG Yong-qing REN Xiao-min; 关键词：光标签交换调制格式正交相移键控 DQPSK 数据传输速度

铟取代YAG:Ce的合成和发光性能研究: 以金属硝酸盐为原料,使用NH·HO为沉淀剂,采用化学共沉淀法和两步烧结法合成掺铈的钇铝铟石榴石(YAlInO:Ce)黄色荧光粉,分析了通过改变掺铈浓度和烧结时间对样品性能的影响。采用XRD研究共沉淀法制备的钇铝石榴石粉末...; 岑锦升张伟赵韦人罗莉盛霞赖菊兰; 关键词：共沉淀法钇铝石榴石发光材料; 文献传递

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