国家自然科学基金(60576005)
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 相关作者：武红磊郑瑞生黄俊毅孟姝刘文更多>>
- 相关机构：深圳大学华南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 氮化铝体单晶生长技术研究进展(英文)被引量：5
- 2010年
- 评述氮化铝体单晶生长技术中常用的金属铝直接氮化法、溶解生长法、氢化物气相外延法和物理气相传输法.指出氢化物气相外延法和物理气相传输法是前景看好的生长氮化铝体单晶方法.介绍本课题组对物理气相传输法的一些改进.认为生长大尺寸氮化铝单晶体的研究将集中在精确控制生长条件、选择合适的坩埚材料、优化制备工艺和制备优质氮化铝籽晶等方面.
- 郑瑞生武红磊
- 关键词：半导体材料晶体生长氮化铝单晶体宽禁带半导体物理气相沉积
- 碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究被引量：1
- 2011年
- 采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比.计算结果表明,在氮化铝中由碳硅共掺形成的Cn-Si络合物(n=1,2,3,4)可以稳定存在,特别是在C2-Si络合物中碳受主电离能仅有0.19 eV,比单个碳受主低0.28 eV.利用碳硅共掺方法,在实验上制备出空穴浓度为1.4×1014cm-3、迁移率为52 cm2/(V.s)的p型氮化铝晶体.
- 武红磊郑瑞生孟姝黄俊毅
- 关键词：半导体材料掺杂第一性原理计算氮化铝电阻率
- 改进的升华法制备氮化铝单晶体(英文)
- 2007年
- 采用改进的升华法在氮气环境下制备氮化铝单晶体。通过优化实验条件制备出了六角形的高质量的氮化铝单晶体。实验发现,在坩埚的不同区域得到的氮化铝晶体的大小和形态有所不同。讨论了温度梯度对氮化铝晶体尺寸大小和形态的影响。
- 孙秀明郑瑞生鲁枫武红磊刘文敬守勇
- 关键词：晶体形态
- 高温气相法生长AlN晶体中保温材料的研究
- 保温材料是影响高温气相法生长AlN晶体的主要因素之一。石墨由于其优良的耐高温性和低的热导率,成为目前制备AlN最常用的保温材料,但是存在易引入C杂质、减少坩埚寿命等缺点。采用不添加任何添加剂AlN粉体制作了高温气相法生长...
- 武红磊郑瑞生孟姝
- 关键词：氮化铝石墨晶体保温
- 文献传递
