国家重点基础研究发展计划(G1999033105)
- 作品数：69 被引量：341H指数：9
- 相关作者：刘理天赖宗声钟先信李志坚刘泽文更多>>
- 相关机构：清华大学华东师范大学重庆大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程电气工程更多>>
- 微机械光调制器的制备及其在不同激励条件下的响应研究被引量：4
- 2002年
- 本文主要讨论了具有机械式抗反射开关 (即MARS)结构的新型微机械光调制器 .MARS结构光调制器由表面微机械工艺制备 .测量结果表明 ,微机械光调制器有一系列的固有频率 .当器件被正弦信号激励时 ,其响应信号也是正弦信号 .当器件被方波信号激励时 ,响应信号和激励频率有关 .当激励方波频率远低于器件固有频率时 ,器件响应实际上是对上下两个阶跃信号的响应 :出现明显的阻尼振荡效应 .当激励频率在固有频率附近时 ,器件实际只对方波的基频效应
- 茅惠兵忻佩胜柯菁华赖宗声
- 关键词：微电子机械系统光调制器
- 基于离散数字混沌序列的图像加密被引量：21
- 2007年
- 由幅值连续的Logistic混沌公式研究了一种幅度值离散数字混沌序列的产生方法,可方便用于硬件实现图像加密。采用函数运算方法由3个不同周期的离散数字混沌序列“异或”运算获得长周期图像加密序列,将图像加密序列与原始图像“异或”加密图像。加密和解密仿真对比可见,该方法对初始值具有敏感性。分析表明,所获得的幅度离散数字混沌序列产生方法具有算法简单,信息安全可靠性高,便于硬件实现的特点。
- 陈帅钟先信石军锋朱士永
- 关键词：图像加密混沌序列异或运算
- 用于RF无源器件的氧化多孔硅隔离层技术被引量：1
- 2005年
- 为了提高片上射频(RF)无源器件的性能,可以利用氧化多孔硅厚膜隔离硅衬底来降低硅衬底的高频损耗。通过采用SerenadeSV建模对共面波导传输性能的分析,计算了不同厚度的氧化多孔硅隔离层硅衬底的损耗。结果表明氧化多孔硅(OPS)隔离层能够极大地降低硅衬底在高频条件下的损耗。实验制备过程中采用电化学阳极氧化法在n+衬底上制备了多孔硅厚膜,继而将孔隙度大于56%的多孔硅样品利用两步氧化法氧化为氧化多孔硅厚膜,有效地解决制备过程中的隆起失效和崩裂失效问题。测量了多孔硅的生长速率和氧化多孔硅的表面形貌。制作了一个氧化多孔硅隔离层上的5nH的Cu平面电感,在2.4GHz时电感的品质因数(Q值)超过了6。
- 陈忠民刘泽文刘理天
- 关键词：多孔硅射频器件损耗
- 4nH硅微机械电感研究
- 在分析影响电感性能的各因素之后,对微波系统中常用的4nH电感进行了具体的计算和模拟,给出了在2GHz工作频率下的优化结构,并提出了该微机械平面螺旋电感的工艺设计。设计结构保证电感在该工作频率下有较高的Q值,工艺流程与硅C...
- 丁勇刘泽文刘理天李志坚
- 关键词：微机械电感Q值硅
- 文献传递
- 三维层叠微带天线的FDTD模拟(英文)被引量：1
- 2004年
- 借助Maxwell方程组,将时域有限差分法应用于实验室研制的新型层叠式微机械微带贴片天线的建模和分析,并根据数值模拟结果讨论了天线的特性参数。根据实际情况,灵活地给出了各边界的近似吸收边界条件,有效地减少了存储空间和计算时间。
- 余文革钟先信巫正中李晓毅
- 关键词：微光机电系统微带贴片天线宽带时域有限差分法吸收边界条件
- Design of coils inductively-tuned RF MEMS shunt switches using novel modeling method
- ＜正＞In this paper,the design of coils inductively-tuned RF MEMS shunt switches using novel modeling method is p...
- Lei Xiaofeng~*
- 文献传递
- 无线传感器网络地址重构硅知识产权核被引量：1
- 2006年
- 在基于Z igbee协议的无线传感器网络中采用少数字节固定表示节点地址,由于地址不够分配,就会出现地址缺乏.为实现无线传感器网络节点中地址的灵活调整,适应片上系统集成化的需求,解决无线传感器网络中地址不够分配的问题,提出了无线传感器网络地址重构硅知识产权(IP)核.描述了无线传感器网络地址重构IP核的数学求解模型.应用模块化分割技术采用硬件描述语言,在电子设计自动化(EDA)中综合实现了地址重构IP核.仿真结果表明,所完成的地址重构IP核可以满足无线传感器网络节点地址的灵活预置调整.为无线传感器网络节点单芯片系统的地址重构集成化提供了意义.
- 陈帅钟先信徐道连石军锋邵小良
- 关键词：无线传感器网络ZIGBEE
- 两侧下拉电极MEMS压控电容的分析和优化被引量：3
- 2005年
- 基于能量法对两侧下拉电极控制(SPEC)的MEMS(微机电系统)压控电容进行了分析和优化。使用数值迭代方法计算了压控电容可动极板的挠度试解函数,得到了试解函数形状在不同驱动电压下的曲线。计算结果与有限元仿真所得结果一致。在此基础上,给出了基于铝材料的两侧下拉电极MEMS压控电容的优化过程,得到了优化结果。对于初始应力5 MPa,杨式模量70 GPa,极板厚度1.5μm,极板间距1μm,总长度为600μm的铝材料压控电容,控制电极采用70μm的优化长度,可以实现变化比率为2∶1电容变化比率。结果表明采用(SPEC)结构的压控电容,能有效地减小或避免静电微机械结构特有的“崩塌”效应,获得较大的电容调节范围。
- 刘泽文韦嘉王昱方杰刘理天李志坚
- 关键词：压控电容微机电系统能量法
- 高阻硅上RF-MEMS共面波导设计及测量研究被引量：8
- 2005年
- 设计并实现了基于高阻硅RF MEMS(射频微机电系统)共面波导传输线(CWP), 并测量和分析了不同偏压下的特征阻抗值。利用部分电容法和保角变换法得到的分析公式确定了特征阻抗为50Ω的共面波导的几何结构尺寸,采用MEMS准平面加工工艺在高阻硅衬底上实现了2.5μm厚的金共面波导结构。在施加不同直流偏压的情况下对所设计的共面波导进行了S参数测量。计算了Winkel多项式中所有系数的具体表达式,运用该多项式获得了共面波导的特征阻抗,并与传统的特征阻抗提取方法进行了结果比较。实验数据表明,在中心信号线上施加的直流偏压对S参数的影响很小,而对共面波导特征阻抗的影响较为明显,当施加的直流偏压从0 V变为38 V时,特征阻抗的实部会增加,变化幅度小于1.2Ω,虚部会减小,变化幅度小于0.8Ω。
- 刘泽文宣云雷啸锋李志坚刘理天
- 关键词：共面波导特征阻抗
- 斜拉梁结构的RF-MEMS开关制作研究被引量：3
- 2005年
- 介绍了一种新型斜拉梁结构的电容耦合式开关的制作。该开关的上电极采用斜拉梁支撑结构以提高上电极的平整性和开关整体的可靠性,通过优化开关的结构,将开关的谐振点频率降低到20 GHz附近。制作过程中将平面工艺和垂直喷镀工艺相结合,获得了较厚的共面波导传输线。开关的驱动电压为20 V,在20 GHz下,“开”态插入损耗为1.03 dB,“关”态隔离度为26.5 dB。
- 宣云刘泽文雷啸锋李志坚刘理天
- 关键词：开关射频微机电系统共面波导
