宁波市自然科学基金(2011A610093)
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 相关作者：崔教林高榆岚周红李亚鹏张晓军更多>>
- 相关机构：太原理工大学中国矿业大学宁波工程学院更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 宽带隙n-型半导体CuIn_5Se_8的热电性能研究
- 2013年
- 利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙三元半导体化合物CuIn5Se8,并对其热电性能进行了研究。物相分析表明,化合物为单相CuIn5Se8,带隙宽度为1.13eV,比In2Se3合金的低。电学性能测试结果表明,随温度升高Seebeck系数绝对值从370.0μV·K1降低到263.0μV·K1,而电导率则随温度迅速增大。在818K时,其电导率达到最大值2.921031·m1,热导率为0.50W·K1·m1,最高热电优值ZT值达到0.33。
- 周红应鹏展崔教林王晶高榆岚李亚鹏李奕沄
- 关键词：宽带隙半导体热电性能
- 黄铜矿型三元合金CuGaTe_2的热电性能
- 2013年
- 利用放电等离子烧结技术制备了三元半导体CuGaTe2。XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物CuGaTe2,带隙宽度(Eg)约为1.0eV,与Ga2Te3(1.65eV)的带隙相比明显变窄。在701K时电导率达到1.6×104/(Ω.m)。电导率的显著提高与带隙变窄密切相关。晶格热导率占总热导率(κ)的主要部分,κ值由室温时的3.64W/(m.K)降低到701K时的1.1W/(m.K),并基本符合∞T-1关系,即声子散射基本受Umklapp过程控制。在701K时该三元化合物的最大热电优值ZT为0.49,而Ga2Te3在860K时的最大ZT值为0.16。
- 李亚鹏孟庆森周红杨江锋崔教林
- 关键词：热电性能
- 共掺杂Cu,Te后禁带宽度变窄对In_2Se_3基半导体热电性能的影响被引量：1
- 2012年
- α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·K-2;最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63。高分辨电镜(HRTEM)观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织。在温度高于500K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系。
- 崔教林张晓军李奕沄高榆岚
- 关键词：热电性能
